电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:49:53
0 电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:27:500 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:12:390 电子发烧友网站提供《互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:57:050 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:56:000 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41
178 
什么是热电偶稳定性？影响热电偶稳定性的主要因素 热电偶热稳定性怎样检测？ 热电偶稳定性是指热电偶在一定时间范围内的温度测量值的稳定程度。在实际应用中，热电偶的稳定性非常重要，因为它直接影响到测量数据
2024-03-08 15:32:4776 IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种高效能的半导体器件，它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
？
再者在场效应管这种单极性导电半导体中，为什么只是有一种离子导电，而非两种离子，不像晶体管那种两种离子导电，请问这是为什么？同样对于场效应管也有上面的问题？
2024-02-21 21:39:24
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物半导体器件。除了
2024-02-19 10:30:40
该HI-8585 and HI-8586 是互补式金属氧化物半导体集成电路，设计用于在8引脚封装中直接驱动ARINC 429总线，两个逻辑输入控制输出引脚之间的差分电压，产生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
在电力电子技术领域，绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种被广泛应用的半导体开关器件。它结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗高和双极型晶体管（BJT）的载流能力强的优点。
2024-02-18 10:29:261061 
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种半导体功率器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 为了确保晶体管工作在合适的工作区域，需要通过电流偏置来控制基极电流。通常在放大区，晶体管的基极电流被设置为恒定值，以确保其稳定性和线性放大功能。
2024-02-05 15:21:23425 硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、锗（Ge）等。其中，硅是最为常见和广泛应用的半导体材料之一。 硅是地壳中非常丰富的元素之一，它具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械性能，因此硅材料具有广泛的应用前景。硅晶体的晶体结构为钻
2024-02-04 09:46:07456 ，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加负向电压沟道电阻变小，加正向电压导电沟道变小，而且正向电压减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。
场效应管分为结型场效应管和金属氧化物场效应管
2024-01-30 11:38:27
元件而直接串联，因其漏极电流具有负温度系数，温度升高，沟道电阻增大，漏极电流减小，是因为场效应管的沟道电阻比较大，且在流过较大电流时发热较大，阻值上升很快，进一步又降低了漏极电流，故不需要在每个器件串接电阻？这个场效应管包括结型和金属氧化物两种类型？
2024-01-26 23:07:21
晶振的频率容差的定义 振荡器稳定性的重要性 影响频率稳定性的因素以及提高晶振耐受性和稳定性的方法 晶振是一种利用晶体材料振荡产生固定频率的设备。在电子设备中，晶振被广泛应用于时钟信号源、频率合成
2024-01-26 17:12:34187 什么是晶振的频率稳定性？如何确保晶振的稳定性呢？ 晶振的频率稳定性是指晶振在工作过程中频率的变化程度。对于许多电子设备和系统而言，晶振频率的稳定性是非常重要的，因为它直接影响到设备的精确性、稳定性
2024-01-24 16:11:40200 影响晶振频率稳定性的有哪些因素呢？如何解决呢？ 晶振频率稳定性是指晶振器在工作过程中频率的变化程度。晶振器是一种电子元件，广泛应用于各种电子电路中，特别是时钟电路和振荡电路。晶振频率稳定性的好坏
2024-01-23 16:43:03207 ，则分析时则按照单独的晶体管电路分析，与一般晶体管电路无差。
如果多发射极或多集电极的电路在非多极的一侧全部短起来当作一个晶体管，那么此时的关系可以看作一个或门的关系，只要有一路导通，则晶体管就实现
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线
2024-01-12 23:14:23769 
）简化电路设计：由于晶振内部已经有了振荡电路，所以只需要为其提供电源，它就会输出一个时钟信号。这简化了电路板设计。
（2）高精度和高稳定性：晶振通常能够提供比基本的晶体更高的精度和稳定性，特别是在宽温度
2024-01-04 11:54:47
IGBT）是一种半导体器件，它将MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点集于一身，具有高输入阻抗、低导通压降、高电流密度等优点。IGBT广泛应用于电力电子、轨道交通
2024-01-03 15:14:22269 
。它们主要包括晶体管(三极管)、存储单元、二极管、电阻、连线、引脚等。
随着电子产品越来越“小而精，微薄”，半导体芯片和器件尺寸也日益微小，越来越微细，因此对于分析微纳芯片结构的精度要求也越来越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
请问
1）惯性陀螺仪或加速度计的零偏稳定性(bias stability)与零偏不稳定性(bias instability)指的是同一个指标吗？
2）零偏稳定性的测量与计算的？
谢谢！
2023-12-29 08:23:56
测试通过率、问题分布、在各个测试终端上的问题分布情况。
点击测试设备后的查看详情按钮，可以查看测试任务详情信息，如测试截屏、资源轨迹、异常信息和日志信息。
稳定性测试
稳定性测试主要验证
2023-12-25 10:56:58
TG5032CGN 晶振是EPSON推出的一款额定频率10MHz至40MHz的石英晶体振荡器，该型号采用互补金属氧化物半导体技术，输出波形稳定可靠。外形尺寸为5.0 × 3.2 × 1.45mm具有
2023-12-22 11:20:490 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
，由于石英晶体谐振器的Q值较高，电路的阻抗会受到频率、温度等因素的影响。并联电阻可以提供额外的阻抗，以抵消这些因素的影响，从而改善电路的性能。
3.增加电路稳定性
并联电阻可以提高晶振电路的稳定性。当
2023-12-13 09:38:27
教授李清庭做了“GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管”的主题报告。
2023-12-09 14:49:03921 
温度和结构如何影响电阻稳定性
2023-12-07 11:38:26231 
该陪审员同意了普度的意见，即电动汽车用充电器及其他产品使用的碳化物金属氧化物半导体电场效果晶体管（mosfet）侵害了高电压电源应用（high power power application）使用的晶体管的专利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二极管、功率晶体管、功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。它们主要在电源、变频器、电机驱动等功率电子领域中使用。 集成电路是将大量电子器件（如晶体管、电阻、电容等）集成在单个芯片上，形成一个完整的
2023-12-04 17:00:57682 MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的缩写。它是
2023-11-30 14:24:54619 [半导体前端工艺：第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2023-11-29 16:24:59193 
我们常说IGBT是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）所构成
2023-11-28 16:55:11519 
晶振的稳定性对遥控器性能和可靠性具有重要影响。
2023-11-24 17:37:11307 来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
阻抗控制性能提升后对稳定性有怎样的影响？如何权衡阻抗控制性能与稳定性的关系？ 当阻抗控制性能提升时，往往需要更高的控制增益来实现更快的响应和更小的跟踪误差。 这会导致控制系统的稳定性受到挑战，因为
2023-11-14 15:26:51287 
如果用AD 8675 做比例放大的buffer 的时候，负载能带多大电容，稳定性改如何考虑呢？ 在ADI 官方的应用文档里面好像没有找到有关这方面的介绍，比如8675 是几级运放，稳定性改如何考虑，如果有大电容负载是否合适等等？
2023-11-14 08:21:11
学术界和工业界已经提出将二维（2D）过渡金属二掺杂化合物（TMD）半导体作为未来取代物理栅极长度小于10纳米的硅晶体管的一种选择。在这篇评论中，我们分享了基于堆叠二维TMD纳米带制造互补金属氧化物
2023-11-07 09:55:55568 
运放电路闭环稳定性的判断方法 运放电路的闭环稳定性判断是保证电路正常工作的重要环节。以下为你详尽、详实、细致的关于运放电路闭环稳定性判断方法的文章： 在电子系统中，运放电路是最常用的模拟电路
2023-11-06 10:20:19906 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 请问有用过GD32F330系列的单片机吗，稳定性怎么样？
2023-11-02 07:07:13
运放系统稳定性原理 运放的频率补偿 运放系统稳定性原理 运放系统的稳定性是电路设计中的一个重要的问题，其中运放是一个主要的组成部分。稳定性问题的产生通常是由于反馈系统中存在非线性元素、相位滞后
2023-10-25 11:01:46406 螺杆支撑座是如何维持精度和稳定性的？
2023-10-23 17:50:25465 
金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）是互补金属氧化物半导体（Complementary
2023-10-20 10:50:32122 
上期文章《运放11-运放稳定性评估举例》文末提到了，如果我们有放大器的Spice模型，可以借助仿真软件直接仿真电路的稳定性——可以直接得到波特图曲线，这一期就专门来看看具体怎么玩。
2023-10-16 16:21:50549 
重要的角色。 在半导体清洗工艺中，PFA管的主要作用是用于传输、储存和排放各种化学液体。这些化学液体可能是用于清洗半导体的试剂，也可能是用于腐蚀去除半导体表面的各种薄膜和污垢。在这个过程中，PFA管需要承受各种化学物质的侵
2023-10-16 15:34:34258 技术来控制频率的输出。
三、可编程晶振具有以下特点：
频率精度高：可编程晶振的频率精度可以高达±0.01ppm，这远高于普通的晶体振荡器。
输出稳定：由于其数字控制方式，可编程晶振的输出频率稳定性极高
2023-10-14 17:38:14
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
怎么分析电路的稳定性？ 电路的稳定性是指电路在不同条件下保持稳定的能力。稳定性是电路设计中十分重要的一个方面，因为稳定的电路能够提供可靠和一致的性能。在其他条件恒定的情况下，最稳定的电路可以提供
2023-09-17 16:44:38971 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
半导体行业生产设备有刻蚀、薄膜沉积、清洗、湿制、封装和测试、抛光、硅晶圆制造等设备，这些精密生产设备对工艺要求很高，例如对供电的稳定性和质量要求，对温度严格的监测和控制等
2023-08-31 12:33:15378 
晶体管是一种半导体元器件，它由三个层叠在一起的材料构成，分别是 P 型半导体、N 型半导体和 P 型半导体。其中 NPN 和 PNP 型晶体管是最常用的两种。晶体管有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
2023-08-25 17:17:47652 晶体管的工作原理介绍 晶体管是一种电子器件，它是现代电子设备的基础，如计算机、手机、电视等。晶体管是一个半导体器件，它可以放大或开关电流信号。晶体管的工作原理是由三个不同类型的材料组成：N型半导体
2023-08-25 15:35:141800 其中，华映科技显示面板业务主要在子公司华佳彩，华佳彩拥有一条金属氧化物薄膜晶体管液晶显示器件生产线，产能 3 万片 LCD大板/月，主要生产中小尺寸显示面板。
2023-08-16 14:49:43516 、胸腔晶体管、双极交接晶体管、金属-氧化半导体外效晶体管和隔热双极晶体管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在电子应用中,二极管发挥简单的开关功能,只允许电流向一个方向流动,电极二极管拥有更大的动力、电压和当前处理能力,在电
2023-08-15 17:17:32699 
以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。
2023-08-09 16:14:42522 
摘要：本文叙述了 FPGA 的亚稳定性，叙述了它是如何发生的，是如何导致设计失效的。文
中说明了如何计算亚稳定性能的 MTBF 值，并解释了器件和设计性能的变化将会如何影响该
值。
2023-08-07 15:34:570 晶体管是现代电子设备中至关重要的元件之一，其稳定性对于设备的性能和可靠性至关重要。为了提高晶体管的稳定性，有几个关键的方面需要考虑和优化。
2023-08-04 09:44:26318 沟道和 N 沟道类型。
场效应管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是所有类型晶体管中最常用的。顾名思义，它包括金属栅极的端子。该晶体管包括四个端子，如源极、漏极、栅极和衬底或主体
2023-08-02 12:26:53
随着晶体管尺寸的不断微缩，晶圆制造工艺日益复杂，对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
2023-08-01 10:01:561639 
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。
2023-07-27 15:24:51609 
MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成MOS。下面是一个典型的MOSFET结构。
2023-07-11 10:56:241285 
在电阻型放大电路中，如PGA,LDO等，常常会出现如下稳定性问题：单独仿真的稳定性很好的运放接入电阻反馈网络后环路稳定性变差很多。
2023-07-05 16:01:10870 
随着电子技术的不断发展，对电路板的要求也越来越高。其中，高温下斯利通氧化铝陶瓷电路板因其高温稳定性、优良的介电性能、较低的介电损耗和热膨胀系数等优点，被广泛应用于航空航天、卫星通信、汽车电子、军事
2023-06-29 14:12:13352 布线过程中要注意哪些问题，以保证AD采样的稳定性？
2023-06-19 08:31:20
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07:03
射频芯片的稳定性是一个关键的设计和性能指标，它描述了芯片在工作过程中的信号稳定性和性能的一致性。射频芯片的稳定性主要包括以下几个方面。
2023-06-13 12:40:17692 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其发挥作用，可谓是一举多得。
2023-06-13 12:29:09596 
MOSFET是金属－氧化物－半导体场效晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的优势和巨大的发展潜力，越来越得到国内外的重视。
2023-05-24 10:44:29568 
我们常见的环路大部分都是负反馈环路，对于负反馈系统的稳定性，我们有相应的稳定性判据。
2023-05-23 17:15:251640 
本文介绍一种SSF稳定性补偿方案，并推导其闭环特性，给出相关参数的设计指引。
2023-05-23 17:15:141451 
结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并输出半导体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度及费米能级，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面及少子寿命。
2023-05-23 14:11:56346 
影响直流稳压电源输出电压稳定性的因素有哪些？
2023-04-21 17:50:27
电力系统中的电压稳定性定义为电力系统在正常条件下和受到干扰后在系统中的所有总线上保持可接受电压的能力。在正常工作条件下，电力系统的电压是稳定的，但是当系统中发生故障或干扰时，电压变得不稳定，这会
2023-04-21 16:14:04
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
氧化铝陶瓷基片作为一种基板材料广泛应用于射频微波电子行业，其介电常数高可使电路小型化，其热稳定性好温漂小，基片强度及化学稳定性高，性能优于其他大部分氧化物材料，可应用于各类厚膜电路、薄膜电路、混合电路、微波组件模块等。
2023-04-19 16:14:48602 在厚铜PCB的设计和制造过程中，确保电路连接稳定性非常重要。电路连接的质量和稳定性直接影响到PCB的性能和可靠性，那如何确保厚铜PCB的电路连接的稳定性呢？
2023-04-11 14:35:50
的 REGCRL 输出连接到 NJD2873 晶体管的基极。基极连接上还有一个用于环路补偿的 1uF 电容器。最新的 MPC5674 数据表显示了 12 欧姆电阻和 2.2uF 电容器。电阻/电容值对于
2023-04-04 08:44:48
高质量RC振荡器的稳定性预计在0.1%左右，而通常我们可以假设LC振荡器的稳定性高达0.01%。当需要更高水平的稳定性时，我们必须使用基于晶体的振荡器电路。
2023-04-02 10:05:041055 
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
应用主要有降低信号电平、源于负载之间的匹配、 元器件隔离保护等应品特点：•采用半导体工艺技术生产，图形精度高• 寄生参数小、频率特性稳定•尺寸小，重量轻•表面贴装易于集成产品设计规范：•电阻类型：TaN
2023-03-28 14:19:17
氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具有热稳定性好、禁带宽度大、紫外吸收系数大、材料易加工等优点，是日盲紫外探测理想的半导体材料。基于Ga2O3的日盲紫外光电探测器已有很多的报道。
2023-03-28 11:48:012795 我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
电子发烧友App
工商网监
评论