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电子发烧友网>今日头条>用于蚀刻冲洗和干燥MEMS晶片的最佳工艺条件实验报告

用于蚀刻冲洗和干燥MEMS晶片的最佳工艺条件实验报告

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2023-06-26 11:12:39

半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀

离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此,氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量,它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束,蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:564728

上海伯东大口径射频离子源成功应用于12英寸IBE 离子束蚀刻

上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀
2023-06-15 14:58:47726

利用氧化和“转化-蚀刻”机制对富锗SiGe的热原子层蚀刻 引言

器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术,它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术,允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05588

为什么这么难?MEMS传感器的8大工艺问题

样板试制。当研发一种新的MEMS传感器制造工艺时,最初的几片晶圆通常不会量产可工作的器件。根据工艺的复杂性和创新性,将需要几个星期、几个月甚至几年的时间去得到为数不多的好芯片。 您可能会问自己这样一个问题:怎样才能使
2023-06-15 08:39:16590

华林科纳的半导体晶圆干燥的研究

通过测量晶片上的残留物得知,晶片上已经分配并干燥了含有金属盐作为示踪元素的溶液。假设有两种不同的沉积机制:吸附和蒸发沉积。
2023-06-08 10:57:43236

了解MEMS硅芯片的常见规格

关于 MEMS 芯片,首先要了解的是,当它们暴露在压力或温度下时,它们会产生相应的输出(以毫伏为单位),前提是已提供输入电压或激励电压。 MEMS 芯片的毫伏输出实质上是压力值。 因此,在各种条件下测试芯片时,要在任何 MEMS 芯片中寻找的一般特性是稳定且可重复的输出。
2023-06-07 15:22:501388

精准医疗的MEMS——微流控技术

微流控芯片(MicrofluidicChip) ,又称为芯片实验室(Lab-on-a-Chip)或生物 芯片。是利用MEMS技术将一个大型实验室系统缩微在一个玻璃或塑料基板上,从而复制复杂的生物学和化学反应全过程,快速自动地完成实验
2023-06-05 15:00:512305

热泵干燥系统如何实现数据远程在线监控

传统的热风循环干燥加工技术因能耗大、耗时长、品控差等原因,无法满足加工厂对高品质产品的需求。热泵干燥加工是广泛应用于木材、农产品、药材、食品等场景的生产工艺,通过PLC控制可以实现温度、湿度、重量
2023-06-02 10:52:18353

碳化硅晶片的超精密抛光工艺

使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062528

载体晶圆对蚀刻速率、选择性、形貌的影响

等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54499

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111192

纳芯微推出采用MEMS工艺的汽车级压差传感器NSPGM2系列

纳芯微推出一款基于硅的压阻效应并采用先进的MEMS微加工工艺设计而成的汽车级压差传感器模组NSPGM2系列。该产品采用汽车级信号调理芯片对贵金属MEMS芯体输出进行校准和补偿,能将0~±5kPa
2023-05-30 14:39:41486

可以使用EspEasy冲洗一个4通道触摸控制墙壁开关吗?

你们中有人可能已经使用 EspEasy 冲洗了一个 4 通道触摸控制墙壁开关吗? 一到三个频道似乎不是问题。
2023-05-30 07:22:04

陆芯科技荣获车规级IGBT最佳工艺解决方案

2023年5月25日,在杭州举行的 CAPS2023 功率半导体之“芯“ 颁奖典礼上, 陆芯科技荣获了车规级IGBT最佳工艺解决方案奖! 「车规级IGBT最佳工艺解决方案奖」是弘扬表彰在车规级功率
2023-05-29 12:44:291127

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40818

led晶片推拉力机半导体推拉力测试仪

led晶片
力标精密设备发布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31631

热环境中结晶硅的蚀刻工艺研究

微电子机械系统(MEMS)是将机械元件和电子电路集成在一个共同的基板上,通过使用微量制造技术来实现尺寸从小于一微米到几微米的高性能器件。由于现有的表面加工技术,目前大多数的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26432

PCB常见的五种蚀刻方式

一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:486024

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12844

干燥机轴头磨损的修复

干燥机是指一种利用热能降低物料水分的机械设备,用于对物体进行干燥操作。干燥机通过加热使物料中的湿分汽化逸出,以获得规定湿含量的固体物料。干燥的目的是为了物料使用或进一步加工的需要。
2023-05-16 17:27:280

晶片的酸基蚀刻:传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00636

厚声晶片排列电阻器-阻容1号

晶片排列电阻器(Surface Mount Resistor Array)是一种常用的电阻器封装方式,它采用集成电路工艺制造,将多个电阻器集成在一个小型封装中。
2023-05-15 17:06:06525

简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:061124

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