据日本研究人员报告，通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”，氮化镓（GaN）的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51:34
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我只使用SPI的MOSI来发送数据，不需要过度采样，我怎样才能提高SPI的速率？
我看到 SPI 的最大波特率是 4MHz，我需要它是 8MHz，超采样至少是 6，如何将其配置为 3？
芯片是 CY8C4025，谢谢。
2024-02-26 07:11:01
50ms，这样会导致在120MB/S发送数据时，存在丢数的情况，这个大概是什么原因导致的呢，有什么方法可以提高数据接收的速率呢，我们使用的固件是slavefifo。
2024-02-23 07:50:38
根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109 过热保护器的作用 过热保护器是一种安全设备，它在电器或电子设备过热时自动断开电源，以防止设备的损坏和火灾的发生。过热保护器在很多电器中都有使用，如电风扇、冰箱、空调、热水器和炉灶等。 首先，让我们
2024-02-01 17:25:14329 导致TLF35584过热的原因有哪些？ 如何排除原因
2024-01-24 08:31:36
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
如何增强MOS管的带载能力呢？ 增强MOS管的带载能力是通过优化器件的设计和选择适合的工作条件来实现的。下面将详细介绍如何增强MOS管的带载能力。 1. 选择合适的材料： MOS管的材料选择
2024-01-12 14:43:47424
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
镓MOS管的驱动原理、驱动电路设计和驱动方式选择等方面的内容。 驱动原理 氮化镓MOS管的驱动原理主要包括充电过程、放电过程和电流平衡过程三个阶段。 在充电过程中，通过控制输入信号使得氮化镓MOS管的栅极电压逐渐上升，从而开启MOS管。
2024-01-10 09:29:02412 晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 ，需要确保所使用的变频器制动电阻的额定功率能够与应用中的需求匹配。如果功率不足，就会导致过载和过热。因此，检查和更换符合需要的功率的电阻是必要的。 2. 提高散热条件：过热问题通常是由于电阻周围的散热不良导致的。可以通过
2023-12-29 10:45:27918 来了解一下氮化镓开关管的基本结构。它由氮化镓（GaN）和铝镓氮化物（AlGaN）等半导体材料组成，这些材料具有优异的电特性，能够实现高电压、高频率和高功率的开关操作。而四个电极则起到了不同的作用。 首先是栅极（G）：栅极是氮化镓开关管的控制电极，通过
2023-12-27 14:39:18356 Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
一下，如何才能提高转换速率。目前激励信号频率设计为13K，带宽为1.3K，C2=C3=C4=68000pF。希望能尽快回复我，谢谢。（电路参照公司官网提供的）
2023-12-15 06:36:12
缺相能否造成电机过热吗？还是别的什么原因呢？
2023-12-11 08:21:36
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
在通信领域的应用是最为广泛的。在光纤通信中，氮化镓激光芯片被用作高速光信号发射器，将电信号转换为光信号，通过光纤传输到接收端，再由接收端将光信号转换为电信号进行数据处理。由于氮化镓激光芯片具有高效率、高功率
2023-11-24 11:23:151100 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20719 如何解决电源适配器过热的问题？ 标题：电源适配器过热问题的解决方法 导言： 电源适配器过热是一种常见的问题，它可能导致电器设备故障甚至危险。在本文中，我们将探讨解决电源适配器过热问题的有效方法。通过
2023-11-23 16:04:021004 全绝缘变压器的过热问题如何解决？ 全绝缘变压器过热是一个常见的问题，如果不及时解决，可能会导致设备损坏甚至发生火灾。本文将从原因分析、预防措施和应急处理等方面来详细介绍全绝缘变压器过热问题的解决方法
2023-11-23 15:49:36236 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 随着科学技术的不断进步，电力电子设备的应用越来越广泛，而氮化镓（GaN）材料在提高能源效率方面发挥着重要作用。本文将讨论氮化镓材料的特性，氮化镓在电力电子设备中的应用，以及氮化镓解决方案如何实现更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
后，再次推出高集成度氮化镓功率芯片KT65C1R120D，将控制器、氮化镓驱动器、GaN功率管集成到DFN8*8个小体积封装。通过将它们全部集成到一个封装中，降低了寄生参数对高频开关的影响，在提高可靠性的同时提高了效率，并简化了氮化镓充电器的设计。
2023-10-11 15:33:30311 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:33414 
超过了元件所能承受的温度范围，就可能会发生故障或损坏。因此，为了保护电源模块，一般都会配置过热保护功能。 DC电源模块的过热保护功能 DC电源模块的过热保护功能的实现方法有多种。其中常见的方法是通过在电源模块中嵌入温度传感器，监测电
2023-09-25 14:18:19346 
氮化镓芯片在快充技术中扮演着重要的角色，氮化镓芯片可以作为控制器和管理器，监测和调整充电电流、电压和充电模式，确保快充过程的安全和稳定。它可以精确控制充电速度和电池的充电状态，避免过充、过放和过热
2023-09-19 17:01:16467 
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342697 
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07247 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。
2023-09-07 06:49:47
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 
在竞争激烈的当今市场中，可再生能源、储能、电源适配器、电源充电器和数据处理应用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解决方案来提高性能，以满足不断增长的电信、汽车、医疗保健和航空航天行业的需求。氮化镓
2023-09-06 06:38:52
可以提高M12连接器数据速率的措施。根据具体应用场景和需求，可以选择合适的措施进行优化和改进，进一步提高连接器的数据传输速率。
2023-09-02 10:27:42537 
氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:151942 氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
BOSHIDA DC电源模块过热保护的原理 DC电源模块过热保护是通过电源模块内部的温度传感器来实现的。其原理可分为以下几个步骤： DC电源模块过热保护的原理 1. 温度检测：电源模块内部的温度
2023-07-13 11:22:07474 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。
氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化镓功率芯片，可以在生产制造环节减少80
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能，确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会，从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:467182 等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
调温调湿箱全名“恒温恒湿试验箱”是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温、低温、湿热度或恒定试验的温度环境变化后的参数及性能，它主要用于根据试验
2023-03-28 09:02:36
在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402 
以及加载速率等。为了提高试验机的精度，可以采取选择高精度传感器、提高机械结构的刚度和精度、采用合适的位移测量方法、控制加载速率和定期维护试验机等方法。
2023-03-23 14:02:38799 
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