行业背景 随着工业技术的不断发展，物联网作为新兴生产力正在改变许多行业的工作方式。在半导体芯片行业，自动蚀刻机的物联网应用正在助力企业达到监控设备更加便利、故障运维更加高效、数据分析更加精准等等
2024-03-20 17:52:39
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任务要求：
了解微电子封装中的引线键合工艺，学习金丝引线键合原理，开发引线键合工艺仿真方法，通过数据统计分析和仿真结果，分析得出引线键合工序关键工艺参数和参数窗口，并给出工艺参数和键合质量之间的关系
2024-03-10 14:14:51
湿电子化学品属于电子化学品领域的一个分支，是微电子、光电子湿法工艺制程（主要包括湿法蚀刻、清洗、显影、互联等）中使用的各种液体化工材料，主体成分纯度大于99.99%，杂质颗粒粒径低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
近日，上海发布了《2023年上海科技进步报告》，来自上海工研院的MEMS标准工艺模块及90纳米硅光集成工艺2项国际先进水平技术成果入选。
2024-02-22 09:42:31282 2023年锂电隔膜出货中干法占比回弹，增速方面赶超湿法31个百分点。
2024-02-21 09:17:41303 根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109 蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59:27547 
Tom‘s Hardware的相关报告指出，Lunar Lake的CPU将使用外部台积电N3B制程，而Arrow Lake-U通过使用Intel 3工艺，有望在降低制造成本的同时保持竞争力。
2024-01-23 10:23:03246 根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线
2024-01-12 23:14:23769 
智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23636 至纯科技旗下的至微科技是国内湿法设备市场主流供应商之一，在28纳米节点实现了全覆盖，全工艺机台亦均有订单。在更为尖端的制程中，至微科技已有部分工艺获得订单。
2024-01-12 09:29:45234 在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01206 
会通股份公司在安徽芜湖市三山经济开发区举行了盛大的锂电池湿法隔离膜项目开工仪式。这个基地总投资高达20亿元，一旦建成，将具备每年生产17亿平方米湿法隔离膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 在微电子制造领域，光刻机和蚀刻机是两种不可或缺的重要设备。它们在制造半导体芯片、集成电路等微小器件的过程中发挥着关键作用。然而，尽管它们在功能上有所相似，但在技术原理、应用场景等方面却存在着明显的区别。本文将对光刻机和蚀刻机的差异进行深入探讨。
2023-12-16 11:00:09371 
技术提供了典型应用。蚀刻工艺对器件特性有着较大的影响，尤其是在精确控制蚀刻深度和较小化等离子体损伤的情况下影响较大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一，与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要，因为这种器件通常包括异质结构。因此，GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188 
随着技术的不断变化和器件尺寸的不断缩小，清洁过程变得越来越复杂。每次清洗不仅要对晶圆进行清洗，所使用的机器和设备也必须进行清洗。晶圆污染物的范围包括直径范围为0.1至20微米的颗粒、有机和无机污染物以及杂质。
2023-12-06 17:19:58562 
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液，使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 InAs/GaSb超晶格光敏芯片与读出电路采用倒装互连的形式构成红外探测器芯片。
2023-11-09 11:38:27424 
比较器没迟滞误触发怎么通过外围参数改善？ 比较器的作用是将两个输入的信号进行比较，输出一个数字化的结果，用于控制电路的变化。然而，有些时候比较器可能会产生一些不必要的误触发，这种情况下需要通过外围
2023-10-31 14:48:27229 如何改善电机的PID参数
2023-10-30 06:46:01
干法蚀刻（dry etch）工艺通常由四个基本状态构成：蚀刻前（before etch），部分蚀刻（partial etch），蚀刻到位（just etch），过度蚀刻（over etch），主要表征有蚀刻速率，选择比，关键尺寸，均匀性，终点探测。
2023-10-18 09:53:19788 
在精细印制电路制作过程中，喷淋蚀刻是影响产品质量合格率重要的工序之一。现有很多的文章对精细线路的蚀刻做了大量的研究，但是大多数都只停留在表象的研究中，并没有从本质上认识喷淋蚀刻中出现的问题。
2023-10-17 15:15:35164 
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中蚀刻沟槽图案，然后通过镶嵌流用Cu填充沟槽来完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
当前固态电池已成为各国角逐的热点技术，固态电池所使用的固体电解质本身需要相对复杂的合成或处理工艺，固体电解质自身的性质及其和电极的理化相容性不但影响着电池材料体系在科学角度的构建，也影响着其工程化进程。
2023-09-21 10:22:41384 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30669 绕线电感器作为一种应用广泛的电感产品，很多人在使用绕线电感的过程中可能会遇到很多问题，比如电感异响噪音的问题。噪音不仅会影响到设备的正常运行，也会对客户的体验造成不良影响。是否可以通过电感工艺改善绕线电感的噪音的问题呢？本篇谷景就与大家一起来探讨这个问题。
2023-09-15 16:56:01
0 随着材料技术的发展，InAs/GaSbⅡ类超晶格（T2SLs）的优越性日益凸显，特别适用于中长波红外（MLWIR）和甚长波红外（VLWIR）探测。基于InAs/GaSb T2SLs的光电探测器因具有
2023-09-09 11:34:36602 
要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705 
pcb短路分析改善报告 背景说明 PCB（Printed Circuit Board）是电子产品中非常重要的部件，而其中的短路问题会给电路带来严重的影响，甚至会导致电路的故障。因此，对PCB中的短路
2023-08-29 16:40:20918 识别，从而显著提高系统性能。碲镉汞材料、量子阱材料和锑化物Ⅱ类超晶格材料均可用于制备双色红外探测器。其中，InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料因其带隙灵活可调、电子有效质量更大、大面积均匀性高等特点以及成本优势，成为制备双色
2023-08-25 09:16:42886 
我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻，以实现用于线波导的氢化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲如何通过颜色辨别PCB表面处理工艺?通过颜色辨别PCB表面处理工艺。电路板的表面外层通常有三种颜色：金色、银色、浅红色。金色最贵，银色较便宜，浅红色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394 
来源：《半导体芯科技》杂志 绿色目标。黄色解决方案。 凭借二十年在批量喷涂及其硬件方面的经验，Siconnex已成长为可持续湿法工艺设备的领先供应商。可持续发展和环境健康是我们的基因
2023-08-18 17:56:34320 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 来源：《半导体芯科技》杂志 APS公司的批量工艺设备、单晶圆工艺设备和支持设备技术，其中的重点无疑是持续创新，以提供节约成本、优化运营和可持续的客户解决方案。此外对话还涵盖了当前行业的一些挑战，包括
2023-08-07 17:35:03541 随着晶体管尺寸的不断微缩，晶圆制造工艺日益复杂，对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
国内半导体产业的行业盛会将在上海如期举行，华林科纳将为您带来超全面且领先的湿法解决方案，并携泛半导体湿法装备服务平台亮相SEMICON China，与上下游企业进行一对一交流，为企业发展瓶颈找到
2023-07-04 17:01:30251 
ValSuite报告改善验证过程ImproveValidationProcess偏差和记录会导致验证过程延迟，但通过使用正确的报告工具，你可以消除障碍，保持审计准备和符合FDA的要求。热验证工艺
2023-06-30 10:08:49574 
时至今日，电磁干扰（EMI）问题始终是电子设备需要关注的焦点，也是让工程师们头疼的问题，它威胁着电子设备的安全性、可靠性和稳定性。要改善EMI，合理的PCB布局至关重要。在本文中，小编将为大家介绍如何通过PCB布局来改善EMI，满足客户的需求。
2023-06-29 10:14:131359 
随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm，铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
上海伯东日本 Atonarp Aston™ Impact 和 Aston™ Plasma 是超紧凑型质谱仪, 适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析.
2023-06-21 10:21:08197 
步骤的工艺中的实时 EPD. 这是通过高信噪比 SNR 实现的, 从而避免了 OES 设备中常见的模棱两可和复杂的多变量分析算法.
2023-06-20 17:28:31258 
离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989 
Board， RPCB），FPC具有高度的柔性、轻薄、可弯曲、可卷绕等特点，适用于各种复杂的应用场景。FPC通常采用聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、聚酯（PET）等高分子材料作为基材，通过印刷、镀铜、蚀刻、钻孔、覆铜、裁切等工艺制成。
2023-06-18 09:31:382037 均匀性（1 σ）达到 离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其核心部件为离子源. 作为蚀刻机的核心部件, KRi 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的宽束离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526 
为了提供更优良的静电完整性，三维(3D)设计（如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET )）预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻，但是3D设备在不同材料之间具有高选择性，需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
PCB板材，将铜箔覆盖在玻璃纤维基板上。 3. 在PCB板材上涂上光敏感涂料，然后将Gerber文件通过曝光机照射到涂层上。 4. 将曝光后的PCB板材放入显影液中，使未曝光的光敏感涂料被溶解掉，露出铜箔。 5. 将PCB板材放入蚀刻液中，使露出的铜箔被腐蚀掉，形成电路图形状。 6. 清洗PCB板材
2023-06-13 19:01:161603 光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121131 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21508 
与HgCdTe器件相比，InAs基材料在室温下其载流子迁移率和俄歇复合系数均有明显优势，并且InAs基器件在势垒层材料上有更多的选择
2023-05-23 09:31:02509 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微电子机械系统（MEMS）是将机械元件和电子电路集成在一个共同的基板上，通过使用微量制造技术来实现尺寸从小于一微米到几微米的高性能器件。由于现有的表面加工技术，目前大多数的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜，在电镀之前将电路图形高精度的制备出来，不再进行湿法刻蚀，避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的影响，同时，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻胶，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979 一、PCB工艺设计要考虑的基本问题
PCB的工艺设计非常重要，它关系到所设计的PCB能否高效率、低成本地制造出来。新一代的SMT装联工艺，由于其复杂性，要求设计者从一开始就必须考虑制造
2023-04-25 16:52:12
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 PCB制程中的COB工艺是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
【摘要】 在半导体湿法工艺中，后道清洗因使用有机药液而与前道有着明显区别。本文主要将以湿法清洗后道工艺几种常用药液及设备进行对比研究，论述不同药液与机台的清洗原理，清洗特点与清洗局限性。【关键词
2023-04-20 11:45:00823 
半导体工艺 1.CMOS晶体管是在硅片上制造的 2.平版印刷的过程类似于印刷机 3.每一步，不同的材料被存放或蚀刻 4.通过查看顶部和顶部最容易理解文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁简化制造中的晶圆截面的过程 逆变器截面 要求pMOS晶体管的机身 逆变器掩模组 晶体管
2023-04-20 11:16:00247 
反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的变化，这种布局完全不同于90nm节点。从45nm节点后，双重图形化技术已经应用在栅图形化工艺中。随着技术节点的继续缩小，MOSFET栅极关键尺寸CD继续缩小遇到了困难，IC设计人员开始减少栅极之间的间距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
经过多年的研发，随着该行业在内存和逻辑方面面临新的挑战，一种称为低温蚀刻的技术正在重新出现，成为一种可能的生产选择。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半导体的物理特性会根据其结构而变化，因此半导体晶圆在组装成芯片之前被蚀刻成可调整其电气和光学特性以及连接性的结构。
2023-03-28 09:58:34251 
在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402 
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