在并联二极管电路中，每个二极管的正负极都需要正确连接，确保电流能够顺畅地通过。同时，由于不同二极管的特性可能略有差异，因此在选择并联的二极管时，应尽量选择性能相近、参数一致的器件，以保证电路的稳定性和可靠性。
2024-03-15 18:22:11
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IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
2024-03-13 11:46:21108 
型号和规格，以确保其稳定、高效地工作。IGBT的选型涉及到多个参数的考虑，下面将详细介绍这些参数。 额定电压（Vce）：这是指IGBT能够承受的最大电压。根据应用需求，选择的IGBT型号的额定电压应大于应用中最高电压。 额定电流（Ic）：这是指IGBT能够承受的最大连续电流。根据应用需求，选择的
2024-03-12 15:31:12258 十分重要，正确的驱动电路设计将直接影响IGBT的性能和稳定性。以下将详细介绍IGBT对驱动电路的要求。 电源和电流能力： IGBT的开关过程需要大量的电源能量和电流能力。驱动电路需要提供足够的电流来形成电流增益，以确保IGBT的快速开关和关闭。此外，驱动电路还需要稳定的电源来确保IGBT的
2024-03-12 15:27:38208 亥姆霍兹线圈并联和串联的异同点。 一、并联连接 1.连接方式： 并联连接指的是将两个亥姆霍兹线圈的末端通过导线连接在一起，形成电路中的平行分支。 2.工作原理： 在并联连接中，两个亥姆霍兹线圈通过共享电流分流器将电流分流，使它
2024-03-09 09:31:39341 Hi512D 是一款支持最高可达 200Kbps - 2Mbps 的并联差分 DMX512 协议解码恒流驱动芯片， 支持 5 路恒流输出，支持 1/2/3/4/5 通道数量可 配，波特率自适应范围广
2024-03-01 10:55:10
IGBT应用于变频器逆变电路中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
在IGBT短路时，假设在导通时短路，此时IGBT驱动电压达到稳定高值，就是IGBT已经完全导通，此时刻触发外部电路短路，用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流，变频器在极短的时间内响应后，驱动电压
2024-02-25 11:31:12
在高压600V，额定电流10A的压缩机电机控制中，IGBT经常烧坏，主要有哪些原因导致它损坏。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33:28479 随电压升高而增大，试了几次仍然是这样，按理说输出功率限制后不应该明显增大，而我设置时输出功率达到了上百瓦进而直流源触发保护，断电后放电测量IGBT的续流二极管，二极管压降正常0.381V，但是测量
2024-02-18 19:52:20
IGBT导通过程发生的过流、短路故障 IGBT导通过程中可能发生的过流、短路故障一直是电力电子领域研究的热点问题之一。IGBT 是一种新型的功率半导体器件，它结合了普通晶体管的低压控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 短路 这种短路是指IGBT内部出现了开路或短路的情况。其中，IGBT的开路指IGBT的关键部件之一，即PN结（N型硅片和P型硅片）出现断裂，导致电流无法通过。而短路则是指PN结短路或者IGBT内部导线短路，导致电流难以正常流动。这种短路可能由于材料、制造工艺、热应力等
2024-02-18 10:21:57222 时间。 在测量IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的短路耐受时间时，我们通常使用一个特定的测试电路。该电路中，一个电容器通过栅极驱动电路与IGBT相连。当IGBT处于关闭状态时，施加电源电压VCC。 随后，通过栅极驱动电路使IGBT导通，电容器中积蓄的电
2024-02-06 16:43:251317 
导通时，当栅极电压高于阈值电压，电流开始通过IGBT。饱和电压下降速度表示在IC（集电极电流）上升到特定值时，VCE（集电极-发射极电压）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
标准。安森美(onsemi)作为一家半导体供应商，为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品，且这些产品达到了高品质和高可靠性。之前我们分享了如何对IGBT进行可靠性测试，今天我们来介绍如何通过可靠性审核程序确保IGBT的产品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
低导通压降和高开关速度的特点，因此被广泛应用于各种功率电子系统。 IGBT驱动电路的主要功能是控制IGBT的开关状态，并提供足够的电流和电压以确保IGBT的正常工作。IGBT驱动电路通常包括输入电路、隔离电路、驱动逻辑电路和输出电路等部分。 输入电路用于接收输入信
2024-01-23 13:44:51678 电子负载并联操作及注意事项 电子负载是一种测试和模拟电路负载的设备，可以模拟不同负载条件下的电流和电压。电子负载的并联操作是指将两个或更多个电子负载连接在一起以增加负载容量和灵活性。通过并联操作
2024-01-22 13:42:56185 电子和工业控制系统中。它是一种用于高电压和高电流应用的开关和放大器。 IGBT的基本结构由四个掺杂的半导体层组成：N型沟道、P型基区、N型漏结和P型栅结。控制其导通和截止状态的是其栅极。当IGBT栅极电压低于阈值时，它处于关闭状态，没有电流通过。当栅极电压高于阈值时，形成电场，电流可以流过
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种继MOSFET和BJT之后的新型功率半导体器件，它的特点是结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低通压损耗
2024-01-18 17:31:231080 了MOSFET和BJT的优点，具备高电压和高电流开关能力。 IGBT的工作原理可以分为四个阶段：导通、关断、过渡和饱和。 1. 导通阶段：在导通阶段，IGBT的门极电压（V_GS）通过控制电压源施加，使得MOSFET部分的导电层建立。这导致P型基区变窄，触发NPN晶体管的导通。 2. 关断阶段
2024-01-12 14:43:521681 ：在进行任何电气设备的维修或更换操作之前，首先必须断开电源，以确保安全。确保设备完全断电，并使用万用表确认电源已断开。 移除散热器：IGBT模块通常安装在散热器上，以帮助散热。使用螺丝刀或其他工具，将散热器上的固定螺丝拧下，然后
2024-01-10 17:54:57268 
都只能做到500W，假如先做4路并联，均流问题有什么好的方案可以推荐吗？如果后面再采用三个2KW并联，这个并联均流问题如何解决，能推荐一下吗？谢谢！
2024-01-08 07:21:12
设计需求，2A恒流源，LTM8042是1A恒流，可以直接把2个芯片并联，实现2A恒流输出吗？
2024-01-05 12:43:38
LTM4630电源模块在多路并联时在pcb设计时需要注意那些细节
比如在3路或者4路并联时在画pcb时走线需要注意那些地方，要加入对称设计和阻抗匹配吗，
如何才能做到并联均流效果最好，
请大家提出一些建议和指导，谢谢。
2024-01-05 08:07:28
ADP5138 1到4通道每一路都最大支持1A的电流，我现在想将1到3通道并联使用来达到2.1A左右的输出。请问这样可以吗？如果可以这样使用告诉具体的实现方法？是直接将输出并在一起就行了吗？
2024-01-04 07:54:05
线性稳压器ADM7172可否降两个并联使用实现扩流，ADM7172在电流增加的同时，其输出电压会下降，所以我想说能否使用两个ADM7172直接并联在实现扩流并保持输出在电流增加后的稳定性。
2024-01-04 06:59:47
近日，有朋友询问了关于变压器并联运行的问题。变压器并联运行是一种常见的电力运行方式，为了确保并联运行的稳定性和安全性，必须满足以下四个条件
2023-12-26 09:51:44521 
速度、效率、损耗、应用范围等方面有一些不同之处。 工作原理： 硬开关模式下，当IGBT开关从关断状态切换到导通状态时，由于电流和电压较大，会产生大量的开关损耗。而在软开关模式下，IGBT在开关转换过程中能够在合适的时机通过控制电压和电流的波形，来减少开关损耗。 开关速度： 硬开关
2023-12-21 17:59:32658 MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40:33308 
逆变器是一种将直流电源转换为交流电源的装置。它广泛应用于太阳能发电系统、电池存储系统、风能发电系统等，可以有效地提高电能的利用率和质量。逆变器并联技术则是一种将多个逆变器连接在一起的方法，通过并联
2023-12-15 15:51:25555 时，会影响电路的阻抗，从而改变石英晶体谐振器的振动频率。通过调整并联电阻的值，可以对晶振电路的频率进行微调，使其精确地稳定在所需的频率上。
2.改善电路性能
并联电阻可以改善晶振电路的性能。在晶振电路中
2023-12-13 09:38:27
三种LED接线：串联、并联和串并联，我们该如何选？
2023-12-08 17:21:04883 
栅场效应晶体管（IGFET）和双极型晶体管（BJT）的特征，既具备晶体管放大和栅极控制的优点，又同时具备功率开关的能力。IGBT 的作用和功能非常广泛，下面将详细介绍。 1. 功率开关功能：IGBT 主要用作功率开关，在高电压和高电流的条件下，可以快速切换电路的电流。通过将栅极电压从0V调整到高电压（通态）或从
2023-12-07 16:32:552943 这里，我们只关注IGBT芯片自身的短路，不考虑合封器件中并联的二极管或者是RC-IGBT的寄生二极管。
2023-12-05 16:22:312609 
利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量探头的位置，即可对IGBT并联的续流二极管（下文简称FRD）的相关参数进行测量与评估。
2023-11-24 16:52:10521 
通过双脉冲测试，可以得到IGBT的各项开关参数。
2023-11-24 16:36:421612 
电子发烧友网站提供《IGBT模块在并联时的降额必然性问题.doc》资料免费下载
2023-11-14 11:33:10
2 IGBT整流器是用于将交流电转换为直流电的关键设备，它们通过精确控制IGBT的导通时间来实现对输出的调节，确保提供高质量、稳定的直流电供电。在某些情况下，还可以实施功率因数校正（PFC）以提高输入
2023-11-10 17:31:05730 
和性能，动态测试是必不可少的。下面将详细介绍IGBT动态测试的参数。 1. 开通特性测试（Turn-on Characteristics Test）： 开通特性测试是通过控制IGBT的输入信号，来检测
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 什么是igbt短路测试？igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291042 驱动电路对动态均流的影响：驱动电路对并联均流的影响也是显而易见的，如果并联工作的IGBT驱动电路不同步，则先驱动的IGBT要承担大得多的动态电流。
2023-10-20 10:31:551224 
IGBT在控制极上加正电压可以控制导通，电压为0时可以让其关断，那么加一个反压呢？IGBT会是什么情况？ 关于IGBT在控制极上加反压的情况，我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生
2023-10-19 17:08:11860 igbt可以反向导通吗？如何控制igbt的通断？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔离栅双极晶体管的缩写，是一种功率半导体器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 、N型漏源和门极组成。因其高电压和高电流开关能力，广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文详细介绍IGBT的导通和关断条件，以及具体的导通和关断过程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028161
简介：南京银茂微电子专注于工业和其他应用的功率IGBT和MOSFET模块产品的设计和制造。
通过采用现代化的设备来处理和表征高达3.3kV的电源模块，建立了先进的电源模块制造能力。自2009年以来，已
2023-10-16 11:00:14
的差异，导致IGBT并联时电流不均衡。本文分析了带输出电抗器均流的三相三相全桥逆变器的并联均流特性，设计了输出电抗器参数，给出了仿真和试验结果，试验结果表明了对并联特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
变压器可以并联使用，可以将两个相同的变压器并联使用，但要确保输出电压相序相同。 并联运行是发电厂和变电站中常见的运行方式。在这种方式下，两台或多台变压器的一、二次绕组分别接在一、二次公共母线上，同时
2023-09-14 16:56:385950 为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件，开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 
igbt反向并联二极管作用 IGBT反向并联二极管，也称为快速反向二极管，是一种非常重要的器件，它广泛应用于各种电子设备和电气系统中。以下将详细介绍IGBT反向并联二极管的作用、原理、特点
2023-08-29 10:32:243491 igbt为什么要反并联二极管 IGBT是一种功率器件，它是一种膜材料型结构，它采用P型部分、N型部分、漂移区、隔离氧化层、金属控制电极和保护结构等元件组成，为集成化的功率MOSFET和双极性晶体管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并联二极管作用 IGBT是一种强劲的功率半导体器件，被广泛应用于高电压、高电流和高速开关的领域。与传统的大功率晶体管相比，IGBT能够提供更高的功率密度，同时也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 路原理 IGBT逆变电路是由IGBT管、反并联二极管、电感、电容等组成的电路。在正常工作时，IGBT管的门级隔离驱动，控制IGBT管的导通和截止，使电路中的电感储存电能，当IGBT管截止时，电感产生的反电动势将使反并联二极管导通，将储存在电感中的电能传递到负载中
2023-08-29 10:25:543321 的发展趋势采用新型的功率器件实现小型、轻量、高效率的电源模块化，通过并联进行扩容。电源并联运行是电源产品模块化、大容量化的一个有效方案，是电源技术发展的趋势之一，是实
2023-08-26 08:26:44537 
。在IGBT中，P型区和N型区被分别放置在一个PNPN结构中，然后通过MOSFET的栅极进行控制。MOSFET是由金属氧化物半导体场效应管构成的，MOSFET的栅极由氧化物隔离。 2. 开关速度 MOSFET的开关速
2023-08-25 14:50:013236 摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器
件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 摘要: 为提升高压 IGBT 的抗短路能力，进一步改善短路与通态压降的矛盾关系，研究了
IGBT 背面工艺对抗短路能力的影响。通过 TCAD 仿真，在 IGBT 处于负载短路工作期间，针对
2023-08-08 10:14:470 摘要 压接型 IGBT 芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用，研究电热-力影响下的 IGBT 芯片动态特性对于指导 IGBT 芯片建模以及规模化 IGBT 并联封装设计具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT模块中通常都会在陶瓷基板（DBC）上设有热敏电阻（NTC或PTC，由于NTC较为常用，以下统称NTC）用于温度检测，如图1所示。在实际应用中，工程师最直接也是最常见的一个问题就是：我检测到了NTC的温度，那么IGBT真实的结温是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之间的温差是多少？
2023-08-03 09:31:33531 
本文介绍了一种通过SCR并联稳压器电路保护电容式LED驱动器电路的有效方法，并解释了它如何防止滤波电容器爆炸和LED损坏。
2023-07-11 14:44:16821 
IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的，实际应用中经常使用＋15V的正电压对IGBT进行开通，再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。
2023-07-04 14:54:051690 
尽管当前全球半导体产业处于下行周期，总体市场氛围需求不振，但依然存在IGBT等少数供不应求的领域。消息称，英飞凌、意法半导体国外大厂IGBT交期均在50周以上，产能紧张或将持续至2025年。而这
2023-06-19 15:35:08360 IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模块损耗包含IGBT损耗和Diode损耗两部分
2023-05-26 11:21:231257 
每次谈到IGBT都要把它的优点先说一遍，就当我唠叨了。IGBT结合了电力场效应管和电力晶体管导通、关断机制的优点，相比于其他大功率开关器件，IGBT的驱动功率小、开关速度快、没有二次击穿效应且易于并联。
2023-05-25 17:31:342956 
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台
2023-05-25 17:24:253995 
一般情况下，常见的IGBT主要定义的是其正向阻断电压，而反向阻断电压一般不会在Datasheet中被提及到，这是因为IGBT通常会反并联续流二极管
2023-05-25 17:21:031078 
一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16:251261 
IGBT模块中通常都会在陶瓷基板（DBC）上设有热敏电阻（NTC或PTC，由于NTC较为常用，以下统称NTC）用于温度检测。在实际应用中，工程师最直接也是最常见的一个问题就是：我检测到了NTC的温度，那么IGBT真实的结温是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之间的温差是多少？
2023-05-05 10:52:141600 
有关并联电路的知识，在电路中将不同的元件首首相连，同时尾尾相连在一起，这种电路连接方式，就称为并联电路，怎么计算并联电路的电压与电流，并联电路的特点有哪些，下面来了解下。
2023-05-02 16:44:005002 
信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。以1700V/1000A IGBT4 E4来看，规格书中在结温Tvj.op
2023-04-19 09:27:11569 IGBT由栅极（G）、发射（E）和集电极（C）三个极控制。 如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。 反之，加反向门极电压消除沟道，切断
2023-04-08 09:36:261455 IGBT芯片与芯片的电极端子间，IGBT芯片电极端子与二极管芯片间，芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。
2023-04-01 11:31:371751 绍，企业预防并联电容器出现故障的方法。 确保电容器质量 并联电容器的质量，是其安全运行的前提。质量差的并联电容器在运行时，会出现鼓肚、漏油、着火、燃烧等故障且使用寿命较短。库克库伯是进口电力电容器厂家，生产的并联电容
2023-03-24 11:35:21565 
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