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电子发烧友网>今日头条>湿法蚀刻工艺的作用:可有效去除金属氧化物

湿法蚀刻工艺的作用:可有效去除金属氧化物

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直接镀铜陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺。以氮化铝/氧化铝陶瓷作为线路的基板,采用溅镀工艺于基板表面复合金属层,并以电镀和光刻工艺形成电路。
2023-05-31 10:32:021587

浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

基于氧化铝陶瓷基板工艺原理

使用DBC基板作为芯片的承载体,可有效的将芯片与模块散热底板隔离开,DBC基板中间的Al2O3陶瓷层或者AlN陶瓷层可有效提高模块的绝缘能力(陶瓷层绝缘耐压>2.5KV)。
2023-05-26 15:04:022077

如何在蚀刻工艺中实施控制?

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常见的五种蚀刻方式

一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅湿式各向异性蚀刻技术在批量微加工中的应用

蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700

压敏电阻(MOV)的参数及工作原理

MOV(Metal Oxide Varistors)即金属氧化物压敏电阻,以氧化锌为主体,掺杂多种金 属氧化物,采用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。
2023-05-15 12:25:543236

集成电路制造工艺有哪几种?

早期的硅基集成电路工艺以 **双极型工艺为主** ,不久之后,则以更易大规模集成的 **平面金属氧化物半导体(MOS)工艺为主流** 。MOSFET由于具有高输入阻抗、较低的静态功耗等优异性能,以及
2023-05-06 10:38:414054

硬硬的干货,21种表面处理工艺

微弧氧化又称微等离子体氧化,是通过电解液与相应电参数的组合,在铝、镁、钛及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用,生长出以基体金属氧化物为主的陶瓷膜层。
2023-04-25 11:27:59545

半导体工艺金属布线工艺介绍

本篇要讲的金属布线工艺,与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中,光刻、刻蚀等工艺,其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中,会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料(金属)。
2023-04-25 10:38:49986

《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号:JFKJ-21-206 作者:炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

印制电路板PCB的制作及检验

进行的。  ①全板电镀方法可用于制造宽度和间距要求不太严格的印制电路板。全板电镀的工艺流程如下:  化学镀铜→活化→电镀铜→防氧化处理→水冲洗→干燥→刷板→印制负相抗蚀图象→修版→电镀抗蚀金属→水冲洗→去除抗蚀剂
2023-04-20 15:25:28

《炬丰科技-半导体工艺金属氧化物半导体的制造

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:金属氧化物半导体的制造 编号:JFKJ-21-207 作者:炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述   CMOS制造工艺流程   设计规则   互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00247

光子晶体用硅中圆柱形纳米孔的深反应离子蚀刻

反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺,与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蚀刻湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻
2023-04-12 14:54:331004

华佳彩12.6”金属氧化物2.5K高刷高灵敏臻彩屏荣获CITE创新奖

专业人士的关注与讨论。在本次展会上,福建华佳彩有限公司推出的全新“12.6寸金属氧化物2.5K高刷高灵敏臻彩屏”荣获创新奖,成为备受瞩目的焦点之一。 01   华佳彩成立于2015年6月,坐落于福建省莆田市国家高新技术产业开发区,是福建省电子信
2023-04-11 15:30:41931

从头到尾的半导体技术

湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453

湿式半导体工艺中的案例研究

半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻,所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下,对于湿法化学工艺,使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408

多晶硅蚀刻工艺讲解

了革命性的变化,这种布局完全不同于90nm节点。从45nm节点后,双重图形化技术已经应用在栅图形化工艺中。随着技术节点的继续缩小,MOSFET栅极关键尺寸CD继续缩小遇到了困难,IC设计人员开始减少栅极之间的间距。
2023-04-03 09:39:402452

氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

清洗过程在半导体制造过程中,在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314

氧化锌压敏电阻的原理是什么?有何特点?

氧化锌压敏电阻以氧化锌(ZnO)为基料,加入Bi2O3、Co2O3、MnCO3等多种金属氧化物混合,经过高温烧结、焊接、包封等多重工序制成的电阻器
2023-03-30 10:26:261973

PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

B72214S511K101

SIOV金属氧化物压敏电阻
2023-03-28 18:12:42

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