IGBT的四个主要参数 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，用于控制大电流和高电压。它的四个
2024-03-22 08:37:29
22 
玻璃管保险丝的工作原理及主要参数 玻璃管保险丝是一种常见的过载保护元件，通常由玻璃管和内部金属丝构成。当电流大于设定值时，保险丝会断开电路，以保护电路和电器设备不受过载损坏。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 您好，谁能告诉我SAK-TC277T-64F200S DC AURIX™的性能等级是什么？谢谢。
2024-03-05 07:57:08
尊敬的工程师，您好，
1、我想了解一下CCG3PA系列与CCG7D系列的主要区别有哪些，有没有相关对照表参考。
2、我看了相关资料两款芯片都支持后座娱乐系统，这样的话，如果客户在功率方面要求较低
2024-02-27 07:56:04
在温度补偿晶体振荡器的实际应用中，除了标称频率、PPM精度和温度稳定性等主要参数外，还有一些其他重要参数需要注意。在标准电源电压、标准负载电容阻抗、参考温度等条件不变的情况下，温度补偿晶体振荡器的频率精度可以达到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
在数字化浪潮席卷全球的今天，企业的网络需求变得愈加复杂和多样化。面对激烈的市场竞争，企业不得不寻求一种既能降低成本又能保证高性能的网络解决方案。传统组网方式虽然稳定可靠，但昂贵的硬件投入和升级成
2024-02-26 14:59:06106 和电动工具配件到医疗器械、主要电器产品、数字消费设备及办公自动化设备。FM3 CY9BFx1xS/T系列Arm Cortex-M3微控制器系统是高性能组，工作电压范围为 2.7V 至 5.5V。FM3
2024-02-26 10:08:43
晶体管是现代电子设备中不可或缺的元件，它的性能参数直接影响着设备的工作效率和稳定性。晶体管的主要参数有最大漏极电压、最大集电极电流、最大功耗、最大封装温度、最大峰值电流等。
2024-02-23 10:04:37207 我非常荣幸地向大家推荐几款高性能的三防平板电脑，这些产品都来自亿道三防onerugged系列。它们以其卓越的性能和出色的工艺设计，成为行业中备受瞩目的产品。
2024-02-20 10:05:33123 Mesh组网的主要特点 mesh组网需要接网线吗 怎么进行有线mesh组网？ Mesh组网是一种无线网络拓扑结构，它具有以下主要特点： 1. 去中心化：每个设备在Mesh网络中都可以成为主节点，无需
2024-02-04 14:07:31413 晶振的作用、原理以及主要参数。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是产生稳定的时钟信号，用于同步电子设备中的各个模块的工作。因为晶振产生的振荡频率非常稳定，能够提供高精度的定时信号，因此晶振在数字电路和通信系统中具有重要的作用。稳定的时钟
2024-02-04 10:08:51392 二极管是电子器件中常见的一种元件，广泛应用于电路中。二极管具有许多主要参数，这些参数在选择和使用二极管时至关重要。在本文中，我将详细介绍二极管的主要参数以及使用中需要特别注意的参数。 额定电流
2024-01-23 11:37:35503 射频功率放大器是一种将射频信号放大到更高功率级别的电子设备。根据其工作原理和应用要求，射频功率放大器可以分为不同的类型。下面西安安泰将介绍一些常见的射频功率放大器类型和相关的主要参数
2024-01-17 16:55:31152 
HMC-AUH312：高性能宽带放大器的理想之选华沣恒霖电子荣誉推出的HMC-AUH312，一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、HEMT、低噪声、宽带放大器裸片，凭借其卓越的性能
2024-01-14 22:40:41
ADC3660IRSBT是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的双路、16位、0.5MSPS至65MSPS、低噪声、超低功耗模数转换器（ADC）。其主要参数如下：位数：16位
2024-01-14 22:07:04
逆变器是一种将直流电转换为交流电的电子设备，广泛应用于太阳能光伏发电、风力发电、电动汽车等领域。在选择合适的逆变器时，需要关注其主要参数，以确保逆变器的性能和可靠性。那么逆变器的主要参数要求
2024-01-09 17:31:23366 瞬态抑制二极管(TVS)的主要参数？|深圳比创达电子
2023-12-27 10:36:18206 
霍尔元件的主要参数及其用途 引起霍尔元件误差的因素 霍尔元件是一种基于霍尔效应的电子元件，广泛应用于测量、检测、继电器、电子开关、电子计算机、仪表、传感器等领域。 一、霍尔元件的主要参数及其用途
2023-12-18 15:02:42744 晶振的主要参数，包括频率、频率稳定性、工作温度范围 晶振是一种被广泛应用于电子设备中的元器件，它具有稳定的频率和精确的时间基准。在电子设备中，晶振通常用于时钟电路、调制解调器、通信设备等场合
2023-12-18 14:16:34495 测试环境可在实验室条件下模拟外场测试场景，通过控制接入节点间的衰减，使多个自组网节点组成各类经典拓扑结构，在静态/动态拓扑结构的基础上对节点进行检测，评估自组网产品性能。
2023-12-15 17:01:11339 
TSS-53LNB+是一款高性能的低噪声宽带放大器采用E-PHEMT技术，能够在0.5-5 GHz的超宽频率范围内工作，提供极高的动态范围。SMT 低噪声放大器, 频率范围：500 - 5000
2023-12-14 16:58:35
基于产品全工程智能化和质量管理的需要，捷迅通自主研究智能视觉化测试系统进一步保证了产品的高质量。超高性能的dragonfly射频适配器和高性能的costin宽带开关脉冲适配器系列在1千瓦到10千瓦之间的无线电力范围内覆盖2mhz到60mhz的射频频率
2023-12-08 13:53:41208 PCIE-5565型反射内存卡是一款高性能、高可靠性的内存卡，广泛应用于航空航天、工业控制、医疗设备等领域。下面将详细介绍PCIE-5565型反射内存卡的主要参数。
2023-11-29 16:09:48224 在电子科技日新月异的今天，唯创知音推出了一款极具竞争力的CMOS语音芯片——WTN6F系列。这款芯片凭借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V宽电压范围内工作的特性，尤其是可重复烧写的特点，在语音
2023-11-27 10:10:45149 
磁珠的工作原理、主要参数及选型 磁珠是目前广泛应用于生物分子分离和纯化的一种高效分离材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通过外加磁场来实现快速分离。本文将详细介绍磁珠的工作原理、主要参数
2023-11-22 18:18:201142 电子发烧友网站提供《万蓝自组网电台海面60KM测试.docx》资料免费下载
2023-11-08 16:30:58
0 “ 电容是电子学三大基本无源器件之一。电容种类繁多，知识体系更为庞杂，常有因为对电容认识不深，存在一些不正确的使用，造成失效问题。本文系统讲解电容的知识，第一部分介绍电容的原理和主要参数；第二部
2023-11-03 16:56:55627 
Lora怎么实现像Zigbee那样可以自组网
2023-11-03 07:19:28
派4B的BCM2711（ARMA72）。如今，RISC-V缺乏高端SoC及板卡的局面将被扭转！01高性能RISC-VSOM—LM4A矽速首发高性能
2023-11-02 08:36:08396 
电子发烧友网站提供《基于蓝牙的无线自组网络的应用与研究.doc》资料免费下载
2023-10-30 11:54:560 供应APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG095N01 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 17:14:45
晶体管的主要参数包括以下几个方面。
2023-10-25 09:35:39672 电子发烧友网站提供《如何基于CC2530组建具有自组网、自愈特性的ZigBee无线网络.pdf》资料免费下载
2023-10-23 09:15:363 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要参数,安卓智能模组。基于台积电6纳米工艺制造的芯片。它采用了4个Cortex-A78大核和4个Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高达4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
性能和价格都很突出。
先让我们介绍一下米尔-全志T113-S3开发板:
米尔T113-S3核心板MYC-YT113X采用6层PCB设计，将Nand Flash/eMMC、EEPROM、DC/DC
2023-10-17 20:57:36
一、板卡概述
板卡基于6U VPX标准结构，北京太速科技板卡包含一个C6678 DSP芯片，一个XCVU9P 高性能FPGA，双路HPC FMC。二、处理板技术指标
•DSP处理器采用TI 8核
2023-10-16 11:12:06
了解TTL逻辑门电路的主要参数及测试方法。
2023-10-10 16:33:10822 
一、触头的主要参数 触头有四个主要参数：开距、超程、初压力和终压力。 1、开距 开距即触头行程，也称触头断开距离。 2、超程 超程即触头在闭合位置时，动静触头移开时的距离。 3、初压力 初压力
2023-09-24 15:33:581656 近日，洛微科技对外发布新款高性能D系列 TOF相机D3，这是一款专为工业环境中高性能操作设计的3D TOF智能相机。
2023-09-22 10:47:43859 高速数据通信
* FPGA型号：PGL50H-6IFBG484（紫光同创logos系列产品）
PGL50H-6IFBG484的主要参数
盘古50核心板主要参数
电源参数
产品实拍
2023-09-21 15:42:41
盘古50Pro核心板是一款基于紫光同创Logos2系列PG2L50H-FBG484主控芯片的全新国产高性能FPGA核心板，相较于第一代盘古50K器件全新升级，具有高数据带宽、高存储容量的特点，适用于
2023-09-18 17:02:58
本文提供基于 ESP32-S3 的硬件设计的指导规范。ESP32-S3 是一款具有超高性能的 Wi-Fi +Bluetooth® 5 (LE) 系统级芯片。这些规范将帮助您提升原理图和 PCB 版图设计的准确性。
2023-09-18 08:06:04
下面从，晶振参数，MCU规格书与晶振下关的内容，逐步说明晶振如何选型，原厂如何测试哪些参数，特殊情况如何处理，大家一起共同进步!
2023-09-14 16:03:132593 
1 产品概述LTNET-ZB系列设备是基于MANET（Mobile Ad Hoc Network，移动自组织网络）技术开发的无线宽带自组网产品。产品采用软件无线电体制架构，支持多种波形加载，满足
2023-09-13 13:03:44
以上是TDK品牌SPM4010系列绕线功率贴片电感参数表，功率贴片电感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一个NTC测温元件，并与一个高性能 8 位单片机相连接。 二.DHT11主要参数 （1）湿度分辨率为8bit，测量精度为±4%RH（25℃），最大的测量范围为20~90%RH，响应时间为6-16秒； （2）温度分辨率为8bit，测量精度为±1℃，测量范围为0 50℃，响应时间为6 30秒。 （3）传感器
2023-09-11 11:17:043486 
。
核心板资源及参数核心板扩展信号底板外设接口资源软件资源参数
名称
配置
选配
处理器型号
T113-S3，2*Cortex-A7@1.2G
电源管理
分立电源
内存
内置128MB DDR3
2023-09-09 18:07:13
功率二极管主要参数有哪些？ 功率二极管是一种电子元器件，通常用于控制高电压和高电流的开关电路和放大电路中。功率二极管的主要参数与其使用环境和应用目的有关。在本文中，我们将详细讨论功率二极管的主要参数
2023-08-28 17:22:411713 （带跳频功能）自组网电台采用宽带跳频技术，跳速1000-2000hop/s，跳频带宽大于200MHz，跳频点可达256个，具有很强的抗干扰和抗截获通信能力 。 跳频通信技术是在现代信息对抗日益激烈的形势下迅速发展起来的，它具有很强的抗搜索、抗截获、抗干扰能力
2023-08-28 09:11:47864 
你没有看错， LoRa 模组也有Mesh组网功能。
资料在下发，*附件：LoRaLan软件快速使用说明.pdf
*附件：SZ05-LR-03 LoRaLan私有透传模块用户使用手册 .pdf
*附件：loralan产测工具V1.0.2.rar
2023-08-24 15:48:53
HPM是一个高度可配置的自动生成的AMBA 3总线子系统，基于称为AXI总线矩阵的高性能AXI交叉开关，并由AMBA基础设施组件进行扩展。
有关这些组件的信息，请参阅PrimeCell高性能矩阵
2023-08-22 06:22:10
先来介绍一下米尔-全志T113-S3开发板：
全志科技 T113 系列处理器是一款基于双核A7@1.2GHz + HiFi4 DSP 多核异构工业级处理器，支持
H.265/H.264
2023-08-17 23:59:59
目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，这些都是晶振的参数。对于更高的输出频率，通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上，这些都是常见的晶振参数的
2023-08-10 13:55:252632 
电子发烧友网站提供《高性能系列MCU STM32H5介绍.pdf》资料免费下载
2023-07-29 10:59:430 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
龙芯3A5000板卡在高性能工作站的应用方案-迅为电子
2023-07-27 16:27:53536 
有很多客户咨询一个问题：ANYMESH宽带自组网电台能不能支持无人机的高速移动? 能不能在固定翼飞机高速飞行中正常通信? 能不能用在高速飞行的导弹上? 等等。实质上，就是指宽带自组网电台在移动
2023-07-25 10:31:27268 ANYMESH-SDR-A4室外固定基站型自组网设备具有防腐蚀防雨水、防高温等特性,可挂载于基站铁塔等固定物体上。通过一定高度可有效扩大自组网之间通信覆盖范围,解决远距离信号传输等问题。同时具有更强
2023-07-20 18:05:16344 
板卡基于6U VPX标准结构，包含一个C6678 DSP芯片，一个XCVU9P 高性能FPGA，双路HPC FMC。
2023-07-20 16:21:41639 
在尺寸和重量非常小的情况下，实现了强大的 自组网通信能力，为小型无人载具的集群协同提供强有力的链路支持。 一、显著特点 非视距传输:基于自组多跳技术，信号自动选择最佳路径到达无直接视距的目标节点 网络自愈合:每个节点有多条传输数据的路径
2023-07-19 17:54:59360 
化等优异性能，非常适合在井下恶劣环境中构建稳定网络，提供无线宽带接入信号。 在井下巷道内，每隔一段距离放置一台多跳自组网中继基站设备，相邻基站之间即可直接互联组网。以某矿巷道总长10公里计，大约仅需部署30台左右多跳自
2023-07-13 18:02:01660 
板卡基于6U VPX标准结构，包含一个C6678 DSP芯片，一个XCVU9P 高性能FPGA，双路HPC FMC。
2023-06-20 11:29:20540 。其中，敏感薄膜材料创制和高性能化是获得高性能薄膜荧光传感器的关键，其核心又是高性能敏感单元的创制；而只有在实现理性设计、激发态过程精准调控后才可获得理想敏感单元，进而实现敏感薄膜的高性能化的主要途径。 激发态质子转移的分子内电
2023-06-12 09:57:52354 
碳化硅mosfet有哪些主要参数 碳化硅MOSFET相关的主要参数包括： 1. 阈值电压（Vth）- 这是MOSFET开启的电压。随着Vth的增加，MOSFET的开关速度会变慢。 2. 导通电
2023-06-02 14:09:032010 8V97051A是一款高性能宽带射频合成器/PLL，经过优化，可用作多载波、多模FDD和TDD基站无线网卡中的本地振荡器（LO）。
2023-05-30 15:12:40406 AD8343是一款高性能宽带有源混频器。具有所有端口的宽带宽和非常低的互调失真，非常适合要求苛刻的发送应用程序或接收信道应用程序。
2023-05-26 10:52:36528 经过多年的演进，从传统的中继组网、AC+AP组网、电力猫组网，升级到mesh组网，以及近两年非常火热的FTTR（全屋光宽带）组网。
2023-05-25 17:08:531594 无中心分布式蜂群通信算法实现网络动态资源调整，提高信道利用率。
蜂群自组网技术可用于无人机、无人系统、物联网、数据链、远程控制、数据采集、人工智能、单兵装备等应用场景。主要技术指标如下：
2023-05-19 14:57:191281 
无线自组网是一组带有无线收发装置的移动终端组成的一个无中心、多跳、自组织的网络，是一种移动计算机通信网络。
在自组网中，每个移动终端就是一个节点，不仅能够移动而且兼有路由器和主机两种功能。可以
2023-05-19 14:47:034040 
UJ3C065030T3S产品简介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品，将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
通常，当我们选择r型变压器时，我们不一定对所有参数都有如此全面的了解。R型变压器的主要参数是什么？他的相应功能是什么？有了这些问题，让我们跟随小r来学习变压器最常用和最重要的参数，这样我们在将来选择变压器时就不会感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
UF3C065080T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C065040T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065030T3S产品简介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
Qorvo 的 UJ3C065080T3S 是一款 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 产品，将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 17:13:57
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:52:46
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一
2023-05-11 14:27:22
场所的高速无线接入。
超宽带技术主要有以下特点：
1、超强的抗干扰性能
2、传输速率高
3、系统容量大
4、带宽很宽
5、发射功率低且隐蔽性比较强，不太容易被发现和拦截，具有很高的保密性。
6、多劲分辨率
2023-05-08 17:09:04
很多客户对我们的照明灯控模块非常满意，这次泽耀全新完善推出的A72系列蓝牙Mesh自组网模块，也一样不会让你失望：A72系列基于TLSR8258，工作在2.4GISM频段，支持多种协议包括BLE
2023-05-06 09:38:47771 
参数调整更迅速——松下助您打造高性能手机贴膜机
2023-04-28 00:01:36325 
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介绍电性能相关的参数。 这部分的参数是我们经常提到并且用到的，相关的参数如下表所示。
2023-04-26 17:50:102213 
本次将为大家揭秘紫光盘古系列高性能入门级1K2K开发板。1K2K开发板以紫光Compact系列PGC1KG-LPG100/PGC2KG-LPG100器件为核心，满足低功耗、低成本、小尺寸需求
2023-04-24 18:29:27
检查将被跳过。黑客会利用这一点来读取固件。
问题：
(1) S32K3系列是否也存在这样的风险？
(2) 如果没有，是否有针对这种风险的保护措施？它是如何受到保护的？
问题背后：有一款MCU
2023-04-24 07:02:31
共建和贡献。而先楫半导体HPM6700系列高性能MCU通用开发板在2022年就率先合入OpenHarmony社区主干，助力该开源系统在工业控制、新能源等应用领域实现突破。
先楫半导体市场总监徐琦先生，在
2023-04-23 15:01:44
基于FMC的Kintex XCKU060高性能PCIe载板一、板卡概述 板卡主控芯片采用Xilinx 公司的 Kintex UltraScale系列FPGA XCKU060-2FFVA1156。板载
2023-04-13 15:56:21
温度稳定度指晶振在温度变化时输出频率的变化范围，是影响晶振稳定性的重要因素。一般情况下，晶振的温度稳定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在选择晶振时，需要考虑系统的工作温度范围，选择具有合适温度稳定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 我 以为 我看到了关于优化 LPC55S6x 系列双核性能的应用说明，但我现在找不到任何东西。有这样的资源吗？我主要寻找的是有关内存争用的信息。我看到两个内核共享相同的闪存接口。从闪存运行的两个内核可以实现什么样的性能？第二个核心是否需要从 RAM 运行才有用？
2023-03-31 09:07:04
又恢复到高阻抗状态。 TVS可以吸收侵入性的ESD，保护电子设备，防止电路故障，TVS的主要参数如下： （1）最小击穿电压VBR：器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流IBR（一般情况IBR
2023-03-29 11:11:24
高性能肖特基整流器，2 x 6 A
2023-03-28 18:16:46
迅为3A5000_7A2000工控主板，龙芯自主指令集架构全国产工业级板卡性能
2023-03-28 16:51:12494 
高性能同步整流芯片
2023-03-28 12:50:48
高性能、低电流收发器
2023-03-24 14:49:11
高性能硅栅CMOS
2023-03-24 14:01:37
PWM控制器是一种基于脉冲宽度调制技术的电子设备，用于控制电能的输出或输出电压和电流的波形。PWM控制器主要参数、特点和应用如下。
2023-03-23 16:42:226329
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工商网监
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