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电子发烧友网>今日头条>用于微系统的先进光刻胶技术

用于微系统的先进光刻胶技术

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2023-07-16 01:50:153008

买完ASML***,又“国有化”光刻胶龙头,日本的野心藏不住了

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制造集成电路的大多数工艺区域要求100级(空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500)洁净室,在光刻区域,洁净室要求10级或更高。
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2024-03-08 10:42:3788

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光刻胶光刻机的区别

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2023年中国光刻胶行业市场前景及投资研究报告

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全球光刻胶市场预计收入下滑,2024年有望反弹

所谓的“光刻胶”,即是在紫外线、电子束等辐射下,其溶解度会产生变化的耐腐蚀薄膜材料。作为光刻工艺中的关键要素,广泛应用于晶圆和分立器件的精细图案制作中。其品种繁多,此次涨价涉及的KrF 光刻胶则属高级别光刻胶,将成为各厂商关注的焦点。
2023-12-28 11:14:34379

光刻工艺的基本步骤 ***的整体结构图

光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中,k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度,ASML认为其物理极限在0.25,k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326

详解***结构及工作原理

到硅片上。光刻机主要由光源、凸透镜、光刻胶和控制系统等组成,其中光源发出紫外线或可见光,凸透镜将光线聚焦到光刻胶上,而控制系统则控制光刻胶的曝光时间和光线的强度等参数。 光刻机的工作原理是基于光学投影技术的。它利用光学系统将电路设计的图案
2023-12-18 08:42:12278

晶圆级封装(WLP)的各项材料及其作用

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匀胶速度影响光刻胶的哪些性质?

匀胶是光刻中比较重要的一步,而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数,那么我们在匀胶时,是如何确定匀胶速度呢?它影响光刻胶的哪些性质?
2023-12-15 09:35:56442

光刻胶价格上涨,韩国半导体公司压力增大

光刻胶类别的多样化,此次涨价案所涉KrF光刻胶属于高阶防护用品,也是未来各地厂家的竞争焦点。当前市场中,光刻胶主要由东京大贺工业、杜邦、JSR、信越化学、住友化学及东进半导体等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408

万润股份在半导体制造材料领域稳步推进,涉足光刻胶单体、PI等业务

近期,万润股份在接受机构调研时透露,其“年产65吨半导体用光刻胶树脂系列”项目已经顺利投入运营。该项目旨在为客户提供专业的半导体用光刻胶树脂类材料。
2023-12-12 14:02:58328

半导体制造之光刻工艺讲解

光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241334

数字后端先进工艺知识科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先进工艺下底层金属/poly加工制造的一种技术先进工艺下,如果用DUV,光的波长已经无法直接刻出
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韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶助力3D NAND闪存制造

据报道,韩国SK集团于2020年斥资400亿韩元收购当地锦湖石化的电子材料业务,收购后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已开发出一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技术开发。
2023-11-29 17:01:56433

光刻胶国内市场及国产化率详解

KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200和300mm的硅晶圆生产中。
2023-11-29 10:28:50283

韩国SKMP开发出高厚度KrF光刻胶,可助力3D NAND闪存制造

 据悉,skmp开发的新型KrF光刻胶的厚度为14至15米,与东进半导体(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的产品相似。日本jsr公司的类似产品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258

不仅需要***,更需要光刻胶

为了生产高纯度、高质量的光刻胶,需要高纯度的配方原料,例如光刻树脂,溶剂PGMEA…此外,生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如,2019年,某家半导体制造公司由于光刻胶受到光阻原料的污染,导致上万片12吋晶圆报废
2023-11-27 17:15:48550

全球主要晶圆厂制程节点技术路线图

雕刻电路图案的核心制造设备是光刻机,它的精度决定了制程的精度。光刻机的运作原理是先把设计好的芯片图案印在掩膜上,用激光穿过掩膜和光学镜片,将芯片图案曝光在带有光刻胶涂层的硅片上,涂层被激光照到之处则溶解,没有被照到之处保持不变,掩膜上的图案就被雕刻到芯片光刻胶涂层上。
2023-11-24 12:27:061287

西陇科学9天8板,回应称“未生产、销售光刻胶

 20日,西陇科学(株)发布公告称,该公司没有生产销售矿产品。公司生产及销售用于清洗剂、显影液、剥离液等的光刻胶,占公司营业收入的比例,是目前用于上述用途的光刻胶配套。
2023-11-21 14:54:57315

金属Cr详解

光刻过程中,铬被用作掩膜版的关键材料。铬在紫外光下表现出高光学密度,可以有效阻挡光线。在石英基板上通过PVD等方法均匀地沉积一层薄的铬,在其上涂覆一层光刻胶,再使用电子束光刻,显影,在光刻胶上做出预期的图形,之后进行Cr的刻蚀,最后去除光刻胶,即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836

光刻胶黏度如何测量?光刻胶需要稀释吗?

光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571

关于数字处理技术部分的路线图介绍

EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻胶:随着特征尺寸的缩小,光刻胶分子成分成为特征尺寸的一部分。构成光刻胶的分子必须是单组分、小的构建块,以防止聚集和分离。新的设计结构将需要超薄光刻胶和底层组合。
2023-11-06 11:23:15402

晶瑞电材子公司引入战投中石化资本,定增募资8.5亿元加码光刻胶项目

股,募集资金人民币850,000,002.24元,用于瑞红苏州先进制程工艺半导体光刻胶及配套试剂业务的研发、采购、生产和销售及相关投资。
2023-11-02 10:59:26555

半导体关键材料光刻胶市场格局发展现状

生产光刻胶的原料包括光引发剂(光增感剂、光致产酸剂帮助其更好发挥作用)、树脂、溶剂和其他添加剂等,我国由于资金和技术的差距,如感光剂、树脂等被外企垄断,所以光刻胶自给能力不足。
2023-11-01 15:51:48138

什么是先进封装?先进封装技术包括哪些技术

半导体产品在由二维向三维发展,从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装(SiP)等新的封装方式,从技术实现方法出现了倒装(FlipChip),凸块(Bumping),晶圆级封装(Waferlevelpackage),2.5D封装(interposer,RDL等),3D封装(TSV)等先进封装技术
2023-10-31 09:16:29836

半导体制造领域光刻胶的作用和意义

光刻是半导体加工中最重要的工艺之一,决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%,占其总成本的30%。光刻胶光刻环节关键耗材,其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24359

具有独特底部轮廓的剥离光刻胶的开发

金属图案的剥离方法已广泛应用于各种电子器件的制造过程中,如半导体封装、MEMS和LED的制造。与传统的金属刻蚀方法不同的是,采用剥离法的优点是节省成本和工艺简化。在剥离过程中,经过涂层、曝光和开发过程后,光刻胶会在晶片上形成图案。
2023-10-25 10:40:05185

光学光刻技术有哪些分类 光刻技术的原理

光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上,通过光的照射,光刻胶的成分发生化学反应,从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关,而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。
2023-10-24 11:43:15271

PCB激光投影光刻照明系统的设计

电子发烧友网站提供《PCB激光投影光刻照明系统的设计.pdf》资料免费下载
2023-10-23 09:38:181

光刻区为什么选黄光灯?为什么不使用红光或绿光?

黄光的波长远离UV范围,因此不会引起光刻胶的意外曝光。黄光灯通常不含有紫外线,从而保护光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747

半导体制造之光刻原理、工艺流程

光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674

芯片和线路板的光刻技术不同?差别在哪里?

线路板的光刻技术
2023-09-21 10:20:34607

EUV薄膜容错成本高 成芯片良率的关键

近20年来,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻胶一直是EUV光刻的三大技术挑战。
2023-09-14 09:45:12562

芯片封装为什么要用到*** 封装***与芯片***的区别

在芯片制造过程中,光刻用于在硅片上形成光刻胶图形,作为制造电路的模板。光刻机使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻胶,并通过投影光学系统将图形投射到硅片上,以形成所需的微小结构和图案。
2023-09-12 14:34:372325

EUV光刻胶开发面临哪些挑战?

EUV光刻胶材料是光敏物质,当受到EUV光子照射时会发生化学变化。这些材料在解决半导体制造中的各种挑战方面发挥着关键作用,包括提高灵敏度、控制分辨率、减少线边缘粗糙度(LER)、降低释气和提高热稳定性。
2023-09-11 11:58:42349

湿法去胶液的种类有哪些?去胶液都有哪些种类?去胶原理是什么?

光刻技术通过光刻胶将图案成功转移到硅片上,但是在相关制程结束后就需要完全除去光刻胶,那么这个时候去胶液就发挥了作用,那么去胶液都有哪些种类?去胶原理是什么?
2023-09-06 10:25:011152

年产千吨电子级光刻胶原材料,微芯新材生产基地签约湖州

湖州国资消息,宁波微芯新材料科技有限公司的半导体材料生产基地项目总投资3.5亿元人民币,用地35亩,年产1000吨的电子级光刻胶原材料(光刻胶树脂、高等级单体等核心材料)基地建设。”全部达到,预计年产值可达到约5亿元。
2023-08-21 11:18:26942

光刻胶产业大会在邳举行,上达电子等与会!

会上,经开区分别同4家企业就功率器件IC封测项目、超级功率电池及锂电池PACK产线项目、氢能产业集群项目、高性能电池项目进项现场签约。会议还举行了《2023势银光刻胶产业发展蓝皮书》发布仪式。
2023-08-16 15:30:38483

光刻技术概述及其分类

光刻是一种图像复制技术,是集成电路工艺中至关重要的一项工艺。简单地说,光刻类似照相复制方法,即将掩膜版上的图形精确地复制到涂在硅片表面的光刻胶或其他掩蔽膜上面,然后在光刻胶或其他掩蔽膜的保护下对硅片进行离子注入、刻蚀、金属蒸镀等。
2023-08-07 17:52:531480

EUV光刻市场高速增长,复合年增长率21.8%

EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02396

先进封装关键技术之TSV框架研究

)、凸块制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工艺技术,涉及与晶圆制造相似的光刻、显影、刻蚀、剥离等工序步骤。
2023-08-07 10:59:46852

昇印光电完成超亿元融资,开发原理级创新技术:嵌入式纳米印刷

当谈到该创新工艺时,不可避免地要与传统的光刻工艺体系进行对比。光刻工艺体系是一种减法工艺:首先要在衬底表面沉积一层材料,例如铜;然后在材料层表面涂布一层光刻胶;接着将光刻胶图形化曝光并显影,形成有图案的光刻覆盖区域
2023-07-29 11:01:50835

深紫外光刻复杂照明光学系统设计

摘要 :随着微电子产业的迅猛发展,我国迫切需要研制极大规模集成电路的加工设备-光刻机。曝光波长为193nm的投影式光刻机因其技术成熟、曝光线宽可延伸至32nm节点的优势已成为目前光刻领域的主流设备
2023-07-17 11:02:38592

光刻掩膜版测温仪,光刻机曝光光学系统测温仪

GK-1000光刻掩膜版测温仪,光刻机曝光光学系统测温仪光刻机是一种用于纳米加工的设备,主要用于制造集成电路、光电子器件、MEMS(微机电系统)等微细结构。光刻机是一种光学投影技术,通过将光线通过
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虹科案例 | 用于低成本改造光刻设备的UV紫外光源

    紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中,光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅,然后投射到光刻胶层上,形成所需的微细图案。 长期以来
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光刻胶国内头部企业阜阳欣奕华完成超5亿元D轮融资

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半导体制备的主要方法

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重点阐述湿法刻蚀

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化学放大型光刻胶的作用原理

感光速度:即光刻胶受光照射发生溶解速度改变所需的最小能量,感光速度越快,单位时间内芯片制造的产出越高,经济效益越好,另-方面,过快的感光速度会对引起工艺宽容度的减小,影响工艺制程的稳定性。
2023-05-25 09:46:09561

光刻技术:光学关键尺寸测量(OCD)原理

  集成电路芯片持续朝着密度不断增加和器件尺寸不断微缩的方向发展,其中最为关键的一个参数就是栅极线条宽度。任何经过光刻后的光刻胶线条宽度或刻蚀后栅极线条宽度与设计尺寸的偏离都会直接影响最终器件的性能
2023-05-24 09:25:193491

EUV光刻技术优势及挑战

EUV光刻技术仍被认为是实现半导体行业持续创新的关键途径。随着技术的不断发展和成熟,预计EUV光刻将在未来继续推动芯片制程的进步。
2023-05-18 15:49:041790

用于***照明均匀化的微柱面镜阵列设计

在投影光刻机照明系统中,均匀照明是保证加工出的线条线宽均匀一致的一项重要技术。通常,用于光刻机照明系统的匀光元件有积分棒、衍射光学元件和微透镜阵列。积分棒匀光的缺点是,限制了照明最大孔径角
2023-05-17 14:52:061061

采用光刻胶牺牲层技术改善薄膜电路制备工艺

改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜,在电镀之前将电路图形高精度的制备出来,不再进行湿法刻蚀,避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的影响,同时,基板只浸入丙酮中一次以去除光刻胶,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218

一文讲透光刻胶及芯片制造关键技术

在集成电路制造领域,如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”,光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122

全面解读光刻胶工艺制造流程

光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775

EUV光刻的无名英雄

晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模,然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是,如果光刻胶太薄,它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小,底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689

开源鸿蒙OpenHarmony系统已成功用于纳卫星

工作组) 组长、大连理工大学于晓洲教授在题为“纳卫星技术与 OpenHarmony 实时操作系统”的主题报告中宣布, OpenHarmony 操作系统已经成功应用于中国科学院微小卫星创新研究院“电磁组装试验
2023-04-26 13:59:54

浅谈光刻技术

在整个芯片制造过程中,几乎每一道工序的实施都离不开光刻技术光刻技术也是制造芯片最关键的技术,占芯片制造成本的35%以上。
2023-04-26 08:57:031033

光刻技术的种类介绍

根据维基百科的定义,光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
2023-04-25 11:11:331243

光刻技术的详细工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷,提高光刻胶黏附性 基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859

光刻技术的原理及发展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-04-25 11:05:322260

什么是光刻技术

光刻技术简单来讲,就是将掩膜版图形曝光至硅片的过程,是大规模集成电路的基础。目前市场上主流技术是193nm沉浸式光刻技术,CPU所谓30nm工艺或者22nm工艺指的就是采用该技术获得的电路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

光刻技术简述

光刻技术是将掩模中的几何形状的图案转移到覆盖在半导体晶片表面的薄层辐射敏感材料(称为抗蚀剂)上的过程
2023-04-25 09:55:131057

中国最先进的***是多少纳米?

中国在芯片制造领域一直在追赶先进技术,虽然在一些关键技术方面还存在一定差距,但近年来中国在光刻机领域取得了一些进展,下面将详细介绍中国目前最先进光刻机是多少纳米。
2023-04-24 15:10:0159466

PCB制造过程分步指南

。  此步骤仅适用于两层以上的电路板。简单的两层板可跳过钻孔。多层板需要更多步骤。  步骤4:移除不需要的铜  去除光刻胶并用硬化的光刻胶覆盖我们希望保留的铜之后,电路板将继续进行下一阶段:去除不需要
2023-04-21 15:55:18

光刻胶显影残留原因

151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52

浅谈EUV光刻中的光刻胶和掩模等材料挑战

新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战,imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121164

一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法

在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作 对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于 CMOS 图像传感器件封装
2023-04-12 14:35:411569

高端光刻胶通过认证 已经用于50nm工艺

此前该公司指出,公司已建成年产5吨ArF干式光刻胶生产线、年产20吨ArF浸没式光刻胶生产线及年产45吨的光刻胶配套高纯试剂生产线,具备ArF光刻胶及配套关键组分材料的生产能力,目前公司送样验证的产品均由该自建产线产出。
2023-04-11 09:25:32920

音圈电机模组在主流光刻掩模台系统中的应用

一样。像上文提及的EUV光刻机则是用于生产芯片的光刻机,此外还有封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。 近几年,我国本土企业在光刻机的研制方面正一步一个脚印地稳步前进,拿上海微电子装备股份有限公司来说,近几年,其先
2023-04-06 08:56:49679

JSM4435

该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的RDS(on),可用于多种应用。
2023-03-28 12:45:11

被卡脖子的半导体设备(万字深度报告)

光刻是将设计好的电路图从掩膜版转印到晶圆表面的光刻胶上,通过曝光、显影将目标图形印刻到特定材料上的技术光刻工艺包括三个核心流程:涂胶、对准和曝光以及光刻胶显影,整个过程涉及光刻机,涂胶显影机、量测设备以及清洗设备等多种核心设备,其中价值量最大且技术壁垒最高的部分就是光刻机。
2023-03-25 09:32:394952

GTC 2023 NVIDIA将加速计算引入半导体光刻 计算光刻技术提速40倍

为2nm及更先进芯片的生产提供更强大的助力。 计算光刻是芯片设计和制造领域中最大的计算工作负载,每年消耗数百亿CPU小时。而NVIDIA cuLitho计算光刻库利用GPU技术实现计算光刻,可以极大的降低功耗、节省时间。 目前台积电、光刻机制造商阿斯麦,以及EDA巨头新思科技都已经导入
2023-03-23 18:55:377489

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