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电子发烧友网>今日头条>兆声波辅助湿法化学处理去除

兆声波辅助湿法化学处理去除

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且精确地用光致抗蚀剂图案化,并且能够承受图案被转移到Pt中,然后去除Cr掩模,只需要标准化学品和洁净室设备/工具,在王水蚀刻之前,铂上的任何表面钝化都需要去除,这通常通过在稀氢氟酸(HF)中快速浸泡来实现
2022-05-30 15:29:152171

使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC

上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除,扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率,使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。 对图案化结构的横截面SEM检查表明,在几种实验条件和化学条件下可以实现蚀刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241114

湿法臭氧去除各种化学结构的聚合物研究

介绍 我们通过使用湿臭氧估计具有各种化学结构的聚合物的去除来评估湿臭 氧和聚合物的化学反应性。主链中含有碳-碳双键的聚合物(酚醛清漆树 脂、顺式-1, 4-聚异戊二烯)的去除速率最快。在侧链中具有
2022-06-02 15:47:47815

使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除

我们华林科纳半导体开发了一种新的湿法清洗配方方法,其锡蚀刻速率在室温下超过30/min,在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容,适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点
2022-06-14 10:06:242210

旋转超声雾化液中新型处理GaAs表面湿法

引言 我们华林科纳提出了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术的简单性和在GaAs表面产生的最小损害。它将GaAs清洗与三个条件结合起来,这三个条件包括(1)去除热力学不稳定的物质
2022-06-16 17:24:02793

湿法清洗中去除硅片表面的颗粒

用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除
2022-07-05 17:20:171683

宽带隙半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211642

湿法刻蚀工艺操作规程

通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结以达到正面与背面绝缘的目的同时去除正面的磷硅玻璃层。
2022-09-06 16:19:541710

湿法刻蚀工艺的流程包括哪些?

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料,达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:184083

华林科纳湿电子化学品工作站为湿法制程研究保驾护航

前言 湿法制程工艺即制造过程中需要使用化学药液的工艺,被广泛使用于集成电路、平板显示、太阳能光伏等领域的制造过程中。以集成电路领域为例,晶圆制造过程中,去胶、显影、刻蚀、清洗都属于湿法
2023-02-22 17:07:00371

划片机:晶圆加工第四篇—刻蚀的两种方法

:使用特定的化学溶液进行化学反应来去除氧化膜的湿法刻蚀,以及使用气体或等离子体的干法刻蚀。1、湿法刻蚀使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有成本低、刻蚀速度快和生产率高
2022-07-12 15:49:251453

虹科案例 | 基于虹科EtherCAT接口卡和IO模块的晶圆清洗机

质量和成品率。晶圆清洗工艺主要归纳为两大类——湿法和干法,不过目前90%的清洗步骤中都是使用湿法湿法清洗技术主要是采用特定化学药液和去离子水,辅以超声波、加热等物
2022-09-30 09:40:51620

半导体工艺里的湿法化学腐蚀

湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705

声波清洗技术对污水处理

。 欧沃(owsonic)智能设备-定制大功率超声波震板 超声波在水处理中的应用 超声波的空化效应为降解水中有害有机物提供了独特的物理化学环境从而导致超声波污水处理目的的实现。超声空化泡的崩溃所产生的高能量足以断裂化学键。在水溶液
2023-10-30 14:58:11297

焊垫表面处理(OSP,化学镍金).zip

焊垫表面处理(OSP,化学镍金)
2022-12-30 09:21:494

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