我们知道含F的XeF2和SF6都被当做腐蚀硅的气体,XeF2常被作为各向同性腐蚀硅的气体,而SF6常和CF4搭配作为硅各向异性腐蚀的气体,那么XeF2和SF6可以相互替换吗?
2024-03-21 15:06:41
55 
数字化目标。 自动蚀刻机是利用金属对电解作用的反应,将金属进行腐蚀刻画,从而蚀刻出各种图纹、花纹、几何形状,产品精度极高,因此对设备运行稳定的要求也很高。对此,物通博联提供基于工业智能网关的自动蚀刻机数据采集解
2024-03-20 17:52:39
823 
各向异性压力传感器由于在识别不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴电子设备和智能基础设施中越来越受到关注。
2024-03-20 09:25:48
223 
石墨烯源于独特的面内蜂窝状晶格结构和sp2杂化碳原子,通过异常强的碳-碳键键合,表现出显著的各向异性电学、机械学和热学性能。
2024-03-12 11:44:09
363 
利用磁光克尔效应测量磁滞回线,具有速度快、精度高、非接触、无损伤(不需要对样品进行加工或切片等额外的操作)等优点,可以获得磁性材料的矫顽力、相对磁化强度以及磁各向异性等信息。
2024-02-22 13:55:47
267 
根据已公开的研究报告,东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉,该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外,设备使用了新开发的激光气体,搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22
109 各向异性导电胶(Anisotropic Conductive Adhesives,简称ACAs)是一种具有导电性的胶粘剂,可用于电子元器件的连接和封装。与传统的导电胶相比,ACAs具有更好的导电性
2024-01-24 11:11:56
466 除了正温度系数(PTC)热敏电阻,柔性温度传感材料及传感器的灵敏度相对较低,电阻温度系数(TCR)通常低于100% °C⁻¹。
2024-01-22 09:48:27
279 
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程,通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分,通过掩膜和刻蚀参数的调控,可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换,从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:56
1106 
在本研究中,GSA被进一步加工成三明治结构,并深入研究了其作为柔性可穿戴压力传感器的可能性。从研究结果看,由于GSA高度有序的各向异性结构,其可以通过压阻效应快速、准确地将刺激信号转化为电信号。
2024-01-19 16:16:04
164 
对DRIE刻蚀,是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同,利用硅的各向异性,通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于,两个射频源:将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59
511 
研究人员利用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性对其进行各向异性湿法腐蚀,从而制备出不同的结构,这是半导体工艺中常用的加工方法。
2024-01-11 10:16:30
3206 
各向异性导电胶能够实现单方向导电,即垂直导电而水平不导电。各向异性导电胶的固体成分是多样的,可以是Ag颗粒,聚合物和合金焊粉。固化温度范围很广,涵盖100到200多摄氏度。RFID芯片在与基板键合时
2024-01-05 09:01:41
232 
碳纤维(UDCF,单向碳纤维是一种仅在纤维方向上提供强度的各向异性材料)相结合,设计了一种新型高强度柔性器件。
2024-01-02 16:50:31
572 
的物质,具有流动性和光学各向异性。在一定温度范围内,液晶既具有液体的流动性,又具有晶体的各向异性。液晶的分子排列方式会随着温度的变化而变化,从而呈现出不同的光学性质。 空间光调制器的工作原理 空间光调制器是一种能
2023-12-19 11:21:55
429 在微电子制造领域,光刻机和蚀刻机是两种不可或缺的重要设备。它们在制造半导体芯片、集成电路等微小器件的过程中发挥着关键作用。然而,尽管它们在功能上有所相似,但在技术原理、应用场景等方面却存在着明显的区别。本文将对光刻机和蚀刻机的差异进行深入探讨。
2023-12-16 11:00:09
371 
SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法近年来,随着半导体行业的迅猛发展,半导体元件的体积急剧减小,对芯片或薄膜材料的热物性探究至关重要,这样给予针对超小尺寸的热物性探测技术提供了发展需求,而其
2023-12-14 08:15:52
180 
基于GaN的高电子迁移率,晶体管,凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度,应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言,GaN的相关材料,如AlGaN,凭借其物理和化学稳定性,为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24
294 
复合材料电路板脆性大、硬度高,纤维强度高、韧性大、层间剪切强度低、各向异性,导热性差且纤维和树脂的热膨胀系数相差很大,当切削温度较高时,易于在切削区周围的纤维与基体界面产生热应力;当温度过高时,树脂熔化粘在切削刃上,导致加工和排屑困难。
2023-12-08 15:29:32
223 按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液,使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46
285 的,等离子体刻蚀的缺点是容易产生离子诱导损伤,难以获得光滑的刻蚀侧壁。为了更好地控制表面粗糙度,英思特采用了一种称为数字蚀刻的技术来进行研究。
2023-12-01 17:02:39
259 
三星电子和sk海力士用于tsv蚀刻的设备都是Syndion。synthion是典型的深硅蚀刻设备,深度蚀刻到晶片内部,用于tsv和沟槽等的高度和宽度比的形成。泛林集团 sabre 3d将用于用铜填充蚀刻的晶圆孔来制作线路的tsv线路。
2023-11-30 10:15:57
331 由于其独特的材料特性,III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤,并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58
166 
,虽然已经发现KOH基溶液可以蚀刻AlN和InAlN,但是之前还没有发现能够蚀刻高质量GaN的酸或碱溶液。在本文中,英思特通过使用乙二醇而不是水作为KOH和NaOH的溶剂,开发了一种将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法。
2023-11-24 14:10:30
241 
最近,大型多模态(即视觉和语言)模型(LMM)在图像描述、视觉理解、视觉推理等多种视觉任务上表现出了卓越的感知能力,使其成为更易于理解的异常检测的有竞争力的潜在选择。然而,现有的通用 LMM 中缺乏有关异常检测的知识,而训练特定的 LMM 进行异常检测需要大量的注释数据和大量的计算资源。
2023-11-21 16:08:12
555 
蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响,或者用乐观的话来说,可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题,后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10
217 自动蚀刻机是利用电解作用或化学反应对金属板进行处理,以获得所需图纹、花纹、几何形状的自动化设备,广泛应用于芯片、数码、航空、机械、标牌等领域中。现有一家蚀刻机设备制造商,要求对全国各地的蚀刻机设
2023-11-08 13:59:52
146 
石墨烯是一种原子级薄层2D碳纳米材料,具有以六方晶格结构排列的sp2键碳原子。石墨烯因其优异的物理和电子性能而受到广泛关注。自发现石墨烯以来,石墨烯的基础、合成方法和潜在应用的研究一直在积极进行。
2023-10-24 09:35:50
219 
电阻器是电子电路中常见的被动元件,用于限制电流、调整电压和执行其他电阻性功能。在电阻器的制造中,有两种常见的类型:厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻。这两种类型的电阻器在结构、性能和应用方面都有一些显著的区别。本文将介绍厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻的区别,以帮助读者更好地理解它们的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17
840 
亚甲蓝溶液测试仪是一种用于检测密封性的重要工具,通过负压法来评估容器或管道的密封性能。该仪器利用真空泵将亚甲蓝溶液抽入测试室,然后将测试室密封,观察测试室内的压力变化情况来确定密封性能的好坏。本文将
2023-10-18 16:43:33
印刷电路板的规格比较复杂,产品种类多。本文介绍的是印刷电路板中应用广的环氧树脂基复合材料的微小孔(直径0.6mm以下为小孔,0.3mm以下为微孔)加工技术。复合材料电路板脆性大、硬度高,纤维强度高、韧性大、层间剪切强度低、各向异性,导热性差且纤维和树脂的热膨胀系数相差很大
2023-10-16 15:13:12
261 蚀刻液的化学成分的组成:蚀刻液的化学组分不同,其蚀刻速率就不相同,蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&;碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题,蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35
553 蚀刻技术相比,干法蚀刻技术可以提供各向异性的轮廓、快速的蚀刻速率,并且已经被用于限定具有受控轮廓和蚀刻深度的器件特征。
2023-10-12 14:11:32
244 
的异常继承体系也不是本篇探讨内容,本次呢,指北君将对异常在JVM层面的执行原理和ARM进行介绍,这里ARM也不是芯片架构,而是指自动资源管理。 异常表 要想了解异常执行原理,异常表是一个最佳的入口,异常
2023-10-11 15:42:35
218 
腐蚀pcb板的溶液按抗蚀层类型与生产条件而选择:有酸性氯化铜、碱性氯化铜、三氯化铁、硫酸与过氧化氢、过硫酸盐等多种。下面捷多邦小编和大家介绍一下腐蚀pcb板的溶液的一些知识。 三氯化铁的蚀刻液是铜箔
2023-10-08 09:50:22
734 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限,因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构,其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56
319 
在酸性电解质中进行二氧化碳电化学还原是实现二氧化碳高效利用的一种可行策略。
2023-09-22 09:26:28
513 
2023-09-15 09:43:52
0 要注意的是,蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12
474 
在印制板外层电路的加工工艺中,还有另外一种方法,就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺,可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57
811 
SD2315是 基于各向异性磁阻(AMR)技术高精度磁编码器芯片。相比于传统霍尔传感器,AMR角度传感器由于工作在饱和区,降低了对磁场的要求,安装要求简单易操作。SD2315广泛适用于各类电机
2023-09-05 14:29:58
应用程序: 本样本代码使用 M031BT 来做蓝牙电牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 蓝牙
2023-08-29 07:40:54
各向异性刻蚀是一种减材微加工技术,旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而,概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01
407 我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻,以实现用于线波导的氢化非晶硅(a-Si:H)膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56
239 
一层或多层薄膜。从理论和实验上研究了这些薄膜对温度灵敏度的影响。使用表面阻抗方法建立了兰姆波在一般多层板中传播的理论模型。该模型用于计算各向异性和薄膜对半导体晶片温度系数的影响。计算预测,各向异性为23%的10cm(100)硅
2023-08-18 17:05:57
595 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液(蚀刻剂)中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域,化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58
319 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象,通常发生在顶部,这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:43
1013 磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料,在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。
2023-07-30 10:28:46
774 
通常认为,超高镍正极的性能劣化与源自次级颗粒内随机取向的初级晶粒的晶间裂纹密切相关,这主要是由于c轴从H2到H3相变的急剧晶格收缩引起的各向异性机械应变的积累引起的。
2023-07-30 09:35:11
1023 
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼,常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中,这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:59
4140 永磁体支持外部磁场的能力是由于磁性材料内的晶体各向异性将小磁畴“锁定”在适当位置。
2023-07-24 15:18:39
345 
ADA4571-2是一款双通道各向异性磁阻(AMR)传感器,集成信号调理放大器和ADC驱动器。该器件产生模拟输出,指示周围磁场的角位置。每个通道在一个封装内集成两个芯片:一个AMR传感器和一个可变
2023-07-21 13:57:05
ADA4570 是一款各向异性磁阻 (AMR) 传感器,具有集成信号调理放大器和模数转换器 (ADC) 驱动器。ADA4570 产生两个差分模拟输出,指示周围磁场的角位置。ADA4570 由一个封装
2023-07-21 13:53:42
方法,可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制,只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点:测量精度高、测量时
2023-07-19 13:11:19
383 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32
183 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03
190 
某些铁磁合金(例如坡莫合金)的电阻大小容易受到外部磁场的影响。这种固态磁阻效应或各向异性磁阻(AMR)可以在薄膜技术中轻松实现,从而可以生产出精密但又具有成本效益的传感器,为磁阻角度传感器的系统设计提供了理论基础。
2023-07-11 11:35:54
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随着集成电路互连线的宽度和间距接近3pm,铝和铝合金的等离子体蚀刻变得更有必要。为了防止蚀刻掩模下的横向蚀刻,我们需要一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压,但大多数铝蚀刻的研究
2023-06-27 13:24:11
318 
前所未有的特性或功能,包括各向异性设计、定制化发射、局部超声场,以及用于微型机器人的传感器和执行器等。 由于压电陶瓷的脆性,这些结构的制造要么依赖于传统的机械加工方法(包括蚀刻、切割和热压等),要么局限于包含压电
2023-06-26 14:56:58
231 
CMOS和MEMS制造技术,允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用,但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时,这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低,湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:44
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所用相机: Flash4.0 (C11440-22CU) 成像方法: X射线成像 相关设置: 能量14keV, 样品-芯片距离50cm,ROI 2048×700,曝光 时间2ms,转速360°每秒 # 详细描述 来自摆动源的白光束通过由液氮冷却的Si(111)或Si(311)双晶单色器而单色化。输出X射线的能量范围为8-72.5keV,具有的能量分辨率小于0.5%。安装复合狭缝以限制单色光束的尺寸。一个电离室设置在下游,以监测实验过程中的通量。单色光束具有45mm(H)×5mm(V)的全视场。动态X射线显微技术(SR-μCT)系统的关键要素是基于
2023-06-26 06:49:38
160 
镍铁(NiFe)合金具有较强的各向异性磁电阻效应、较高的居里温度、易于实现与电路集成以及较低的制作成本等优点,成为开发磁电阻传感器的首选材料。
2023-06-21 09:29:50
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各向异性的。选择性低,因为其对各个层没有差异。气体和被打磨出的材料被真空泵排出,但是,由于反应产物不是气态的,颗粒会沉积在晶片或室壁上。
2023-06-20 09:48:56
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器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术,它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术,允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05
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为了提供更优良的静电完整性,三维(3D)设计(如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET ))预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻,但是3D设备在不同材料之间具有高选择性,需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:53
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KMA36位置传感器将其连接到使用可配置IC通信的Grove兼容扩展端口的系统。 将磁阻元件同模数转换器和信号处理功能一起置于一个标准的小型封装内。传感器以5V的外部电压工作。通过使用各向异性磁阻 (AMR) ,KMA36 能够以非接触方式确定外部磁铁360°范围内的磁场角度。
2023-06-08 15:44:10
261 
通过测量晶片上的残留物得知,晶片上已经分配并干燥了含有金属盐作为示踪元素的溶液。假设有两种不同的沉积机制:吸附和蒸发沉积。
2023-06-08 10:57:43
220 硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:01
1597 MS32是一种磁场传感器,采用惠斯通电桥。它的四个电阻中的每一个都有坡莫合金,一种显示各向异性磁力的材料阻力效应。表面的单向磁场沿y轴平行于芯片(x-y 平面)将提供一个乳场依赖的输出信号。一个磁性
2023-06-03 10:39:06
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KMXP5000磁栅尺传感器测量原理基于各向异性磁阻效应(AMR 效应)。这些传感器提供两种不同的DFN封装,可用于多个定位选项。这些封装可以轻松集成到自动装配过程中。
2023-06-03 10:16:34
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ELAF-100L-T30009力传感器由晶体制成,晶体是各向异性的,非晶是各向同性的。 当某些晶体介质在一定方向受到机械力的作用时,会发生极化效应; 当除去机械力时,它又会恢复到不带电状态,即受到拉力或压力时。 有些晶体可能会产生电效应,也就是所谓的极化效应。
2023-06-02 10:50:06
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使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验,探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响,并对工艺参数进行了优化,最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:06
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博森源LED封装晶片便携式推拉力测试机是一种非常实用的测试设备,可以方便地进行LED封装晶片的推拉力测试,从而保证LED产品的质量。该测试机具有便携式设计、数字显示屏、高精度、高稳定性、高可靠性等特点,可以满足各种LED封装晶片的测试需求。
2023-05-31 10:05:25
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等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54
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纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11
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过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40
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蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺,因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定,蚀刻率就会变化,因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31
575 
,KMXP 传感器提供比常用的霍尔传感器更高的精度,设计为在包括高温在内的严苛环境中提供可靠和准确的测量。G-MRCO-050传感器测量原理基于各向异性磁阻效应(AMR
2023-05-18 17:25:04
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一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:48
4917 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12
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KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,KMXP磁阻传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于KMXP磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应,信号
2023-05-17 10:30:33
0 KMXP磁阻传感器沿着磁尺移动,位置的变化产生正弦和余弦输出信号。为了取得满意的测量结果,KMXP磁阻传感器边沿与磁尺表面的间隙不能超过半个磁极距。由于KMXP磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应,信号
2023-05-17 10:30:03
0 G-MRCO-016磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,G-MRCO-016磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-016磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:38
0 G-MRCO-015磁性角度传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,KMT32B磁性角度传感器可以在磁场强度大于25kA/m的应用中独立感测磁场方向。G-MRCO-015磁性角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45度。
2023-05-16 16:00:04
0 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00
584 
减薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄,而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06
979 [技术领域] 本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体地说是一种酸性化学品供应控制系 统。 由于半导体行业中芯片生产线的工作对象是硅晶片,而能在硅晶片上蚀刻图形 以及清洗硅晶片上的杂质、微粒子的化学品
2023-04-20 13:57:00
74 高理论容量和独特的层状结构使MoS₂成为一种很有前途的锂离子电池负极材料。然而MoS₂层状结构的各向异性离子输运和其较差的本征导电性,导致差的离子传输能力。
2023-04-13 09:23:09
684 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片,是液体(湿法蚀刻)还是气体(干法蚀刻)
2023-04-12 14:54:33
1004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10
453 
随着可再生能源发电一体化的快速增加和各种电器的广泛采用,电网面临着越来越多的挑战。一个突出的挑战是对电网内不同类型的异常行为进行有效的异常检测。这些异常行为可能是由用户的异常消费模式、电网基础设施
2023-04-04 16:13:25
0 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程,本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07
886 在湿蚀刻的情况下,随着SiNx/SiOy层的厚度减小,剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌,蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49
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在过去的几年中,随着器件尺寸的不断减小,蚀刻表面的粗糙度开始发挥越来越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13
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2) Nd-Fe-B磁铁 3) 铝镍钴磁铁 4)粘接钕铁硼磁铁3 . 各向同性与各向异性磁铁 4. PM型与HB型转子使用磁铁的差异 前言 基本信息 名称 描述说明 教材名称 步进电机应用技术 作者 坂
2023-03-23 10:42:58
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