摘要：功率半导体器件已广泛应用于多个战略新兴产业，而散热问题是影响其性能、可靠性和寿命的关键因素之一。氮化铝粉体具有高热导率等优点，被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。本文检索
2024-03-06 08:09:08
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蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
氮化镓是一种化合物，化学式为GaN，由镓（Ga）和氮（N）两种元素组成。它是一种化合物晶体，由原子晶体构成。 氮化镓具有坚硬的晶体结构和优异的物理化学性质，是一种重要的半导体材料。它具有宽带
2024-01-10 10:23:011041 的生产首先需要准备好所需的原材料。氮化镓是由高纯度金属镓和氮气通过化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制备而成。高纯度金属镓用于制备Ga热源，而氮气则用于形成氮化反应。此外，还需要购买其他辅助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 氮化镓是一种半导体材料，由氮气和金属镓反应得到。它具有优异的光电特性和热稳定性，因此在电子器件、光电器件、化学传感器等领域有着广泛的应用。本文将从氮化镓的制备方法、特性、应用等方面进行详细介绍
2024-01-10 10:06:30195 氮化镓是一种无机化合物，化学式为GaN，它由镓和氮元素组成。氮化镓具有许多重要的物理和化学性质，使其在科学研究和工业应用领域中具有广泛的应用。 氮化镓是一种具有低能隙的半导体材料，其晶体结构属于
2024-01-10 10:05:09346 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化铝（AlN）以其超宽禁带宽度（~6.2 eV）和直接带隙结构，与氧化镓、氮化硼、金刚石等半导体材料被并称为超宽禁带半导体，与氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料相比具有更优异的耐高压高温、抗辐照性能。
2024-01-08 09:38:38183 
材料不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材，采用不同的工艺在硅上加工制造，而氮化镓半导体芯片则是以氮化镓为基材，通过化学气相沉积、分子束外延等工艺制备。氮化镓是一种全化合物半导体材料，具有较宽的能隙，电子迁移率高以及较高的饱
2023-12-27 14:58:24424 基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 
按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液，使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 ，虽然已经发现KOH基溶液可以蚀刻AlN和InAlN，但是之前还没有发现能够蚀刻高质量GaN的酸或碱溶液。在本文中，英思特通过使用乙二醇而不是水作为KOH和NaOH的溶剂，开发了一种将晶体表面蚀刻为III族氮化物的两步法。
2023-11-24 14:10:30241 
氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20719 什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 亚甲蓝溶液测试仪是一种用于检测密封性的重要工具，通过负压法来评估容器或管道的密封性能。该仪器利用真空泵将亚甲蓝溶液抽入测试室，然后将测试室密封，观察测试室内的压力变化情况来确定密封性能的好坏。本文将
2023-10-18 16:43:33
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
腐蚀pcb板的溶液按抗蚀层类型与生产条件而选择：有酸性氯化铜、碱性氯化铜、三氯化铁、硫酸与过氧化氢、过硫酸盐等多种。下面捷多邦小编和大家介绍一下腐蚀pcb板的溶液的一些知识。 三氯化铁的蚀刻液是铜箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30669 氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
捷多邦氧化铝陶瓷基板：电子封装材料的新选择
2023-09-06 10:16:59331 氧化铝陶瓷基板：5G时代的材料革命
2023-09-06 10:15:18377 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 
我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻，以实现用于线波导的氢化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239 
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
、化学、建材、研究所、大学等行业单位品管检测之用。-70℃可程式恒温恒湿试验箱主要技术参数：型号：TH-80/120/150/225/408/800/1000H（M、
2023-08-21 15:13:32
氮化铝基板具有低缺陷密度、高紫外线透明度和低杂质浓度、超宽带差距及高热传导效率，对uvc led及电力配件等产业非常有魅力。根据目前uvc紫外线led的需求，4英寸基板的使用率超过80%。
2023-08-16 11:08:29603 半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 氧化铝陶瓷基材 机械强度高，绝缘性好，和耐光性.它已广泛应用于多层布线陶瓷基板、 电子封装 和 高密度封装基板 。 1. 氧化铝陶瓷基板的晶体结构、分类及性能 氧化铝有许多均匀的晶体
2023-08-02 17:02:46752 
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140 氮化铝（AlN）具有优良的物理化学特性以及与标准CMOS晶硅技术的兼容性，且在多方面性能上优于氧化锌（ZnO）和锆钛酸铅（PZT），因此成为最受关注的压电材料之一。
2023-07-28 11:33:32587 
电源模块是电子设备中用于提供稳定电压和电流的关键组件，在现代电子设备中起着至关重要的作用，而高效能量转换是实现可持续和高性能电源的关键。本文介绍了一种基于斯利通氮化铝陶瓷电路板的先进电源模块技术
2023-07-27 16:22:10287 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
40多年来，设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化铝。它提供了正确电路操作所需的机械强度、电阻率和热性能。然而，在过去几年中，我们经历了混合技术向具有高度复杂、密集电路配置的电子设备的转变，
2023-07-13 17:02:32506 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
电源模块在现代电子设备中起着至关重要的作用，而高效能量转换是实现可持续和高性能电源的关键。本文介绍了一种基于斯利通氮化铝陶瓷电路板的先进电源模块技术，通过优异的热传导性能和电气绝缘特性，实现了高效能量转换。文章将详细讨论该电源模块的设计原理、制造工艺以及性能评估结果。
2023-07-10 15:05:35258 氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化铝具有较高的热导性，比氮化硅高得多。这使得氮化铝在高温环境中可以更有效地传导热量。
2023-07-06 15:41:231061 氧化铝本身具有较低的导电性能。纯净的氧化铝是一种绝缘材料，不具备良好的电导性。这是因为氧化铝在晶体结构中具有高度的离子性，其结构中的氧离子和铝离子之间形成了稳定的离子键，使得电子难以自由传导。
2023-07-05 16:33:292025 氧化铝是一种化学化合物，由铝和氧元素组成，化学式为Al2O3。它是一种非导电的陶瓷材料，具有高熔点、高硬度和优异的耐腐蚀性。氧化铝广泛应用于陶瓷制品、磨料、催化剂、绝缘材料等领域。在工业上，氧化铝常用于制备金属铝的原料。
2023-07-05 16:30:154542 氧化铝陶瓷通常以基体中氧化铝的含量来分类，例如一般把氧化铝含量在99%、95%、90%左右的依次称为“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按颜色可分为白色、紫色、黑色氧化铝等。
2023-07-04 10:01:15852 
氮化铝陶瓷（AlN）因其优越的热、电性能，已成为电力电子器件如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的理想基板材料。本文对其应用于IGBT模块的研究进行深入探讨。
2023-07-01 11:08:40580 
都使用Cl基蚀刻化学物质。当在等离子体放电中分解时，CCl为还原物质提供了来源，并用于去除表面氧化物和Cl，与下面的Al反应。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
基于具有规则六边形孔的纳米图案化氮化铝AlN/蓝宝石模板，蓝宝石氮化预处理和解理面的有序横向生长，保证了离散的氮化铝AlN柱，以均匀的面外和面内取向结合，有效地抑制了凝聚过程中穿透位错threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
氮化铝陶瓷基板的导热系数在170-230 W/mK之间，是氧化铝陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是钛基板的10-20倍。这种高导热系数的优异性能是由于氮化铝陶瓷基板的结构和化学成分决定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27510 通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在开发中。微控制器和数字信号处理器（DSP），也可以用来实现目前软开关电路拓扑结构，而目前广泛采用的、为1-2 MHz范围优化的磁性材料，已经可被使用了。
氮化镓功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
。常用的陶瓷基材料包括氧化铝、氮化铝、氧化锆、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR线路板是指以环氧玻璃纤维布作为主要材料的线路。那么，陶瓷线路板与普通PCB板材区别在哪？
一、陶瓷基板与pcb板的区别
1、材料
2023-06-06 14:41:30
氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:467182 氮化铝为大功率半导体优选基板材料。氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、 氮化铝（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 种材料是已经投入生产应用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化铝技术成熟度最高、综合性能好、性价比高，是功率器件最为常用 的陶瓷基板，市占率达 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
休斯顿大学研究团队之前开发出了III-N压电传感器，该传感器由单晶氮化镓薄膜制成，但在温度高于350℃时，其灵敏度会降低。
2023-05-25 12:49:19362 传感新品 【美国休斯顿大学：开发出一种新型氮化铝传感器，并证实其可以在高达900℃的高温下工作】 航空航天、能源、运输和国防等关键行业需要能在极端环境下工作的传感器，以测量和监测多种
2023-05-23 08:39:45596 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484917 ，且热膨胀不匹配导致的高热应力会导致永久的结构层面的机械故障。AlN的熔点高达2500℃，可用作高温耐热材料。同时，氮化铝的热膨胀系数(CTE,4.5×10–6/℃)相对较低，接近于Si及SiC，能够提供更好的热可靠性。因此，基于氮化铝陶瓷芯片级封装的超高温(500℃以上)微电子器件成为有效方案。
2023-05-17 15:34:32418 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
以上这些问题和挑战，对于氮化铝陶瓷的应用和发展都是有一定影响的，但随着斯利通技术的不断进步，相信这些问题都可以得到逐步解决。
2023-05-11 17:35:22768 探讨这个问题前，我们先来了解下什么是99%氧化铝陶瓷：99.6%的氧化铝陶瓷是一种高纯度、高硬度、高温度抗性和高耐腐蚀性的工程陶瓷材料，其中氧化铝含量高达99.6%以上。它具有良好的物理、化学
2023-05-11 11:02:13955 
随着新能源汽车的快速发展。陶瓷基板，特别是氮化铝陶瓷基板作为绝缘导热材料得到了很大的应用。目前市场以170w/m.k的材料为主，价格很贵，堪称陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的价格就要实惠
2023-05-07 13:13:16408 
导热填料顾名思义就是添加在基体材料中用来增加材料导热系数的填料，常用的导热填料有氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、碳化硅等；其中，尤以微米级氧化铝、硅微粉为主体，纳米氧化铝，氮化物做为高导热
2023-05-05 14:04:03984 
随着新能源汽车的快速发展。陶瓷基板，特别是氮化铝陶瓷基板作为绝缘导热材料得到了很大的应用。目前市场以170w/m.k的材料为主，价格很贵，堪称陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的价格就要实惠很多。那他们的散热表现差别有多少？先说结论：差别很小，考虑装配应用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
[技术领域] 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体地说是一种酸性化学品供应控制系 统。 由于半导体行业中芯片生产线的工作对象是硅晶片，而能在硅晶片上蚀刻图形 以及清洗硅晶片上的杂质、微粒子的化学
2023-04-20 13:57:0074 氧化铝陶瓷基片作为一种基板材料广泛应用于射频微波电子行业，其介电常数高可使电路小型化，其热稳定性好温漂小，基片强度及化学稳定性高，性能优于其他大部分氧化物材料，可应用于各类厚膜电路、薄膜电路、混合电路、微波组件模块等。
2023-04-19 16:14:48602 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：HQ2和HF溶液循环处理 编号：JFKJ-21-213 作者：炬丰科技 摘要 采用原子显微镜研究了湿法化学处理过程中的表面形貌。在SC-1清洗过程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
目前，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化铍（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，谁才是最有发展前途的封装材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
PCB制作中干膜和湿膜可能会带来哪些品质不良的问题？以及问题如何解决呢？
2023-04-06 15:51:01
清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
氧化铝有许多同质异晶体，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的稳定性较高，其晶体结构紧密、物理性能与化学性能稳定，具有密度与机械强度较高的优势，在工业中的应用也较多。
2023-03-30 14:10:221079 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 调温调湿箱全名“恒温恒湿试验箱”是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温、低温、湿热度或恒定试验的温度环境变化后的参数及性能，它主要用于根据试验
2023-03-28 09:02:36
在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402 
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