行业背景 随着工业技术的不断发展，物联网作为新兴生产力正在改变许多行业的工作方式。在半导体芯片行业，自动蚀刻机的物联网应用正在助力企业达到监控设备更加便利、故障运维更加高效、数据分析更加精准等等
2024-03-20 17:52:39
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、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。WD4000国产晶圆几何形貌量测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单
2024-03-15 09:22:08
WD4000无图晶圆几何形貌测量系统是通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。可兼容不同材质
2024-02-21 13:50:34
根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109 蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响 本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
WD4000无图晶圆几何形貌测量设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半导体晶圆厚度测量系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
WD4000半导体量检测设备采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面
2024-01-03 10:02:59
过程中起着重要的作用。这种制造过程通常需要与埋着的SiGe薄膜接触。与这些埋地区域接触需要蚀刻硅并在薄薄的SiGe层中停止。 因此，为了实现精确的图案转移，我们需要一种可控蚀刻的方法。不幸的是，针对SiGe选择性的RIE技术尚未被发现。幸运的是
2023-12-28 10:39:51131 
TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度
2023-12-21 08:58:53
WD4000晶圆几何形貌测量设备采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV
2023-12-20 11:22:44
在微电子制造领域，光刻机和蚀刻机是两种不可或缺的重要设备。它们在制造半导体芯片、集成电路等微小器件的过程中发挥着关键作用。然而，尽管它们在功能上有所相似，但在技术原理、应用场景等方面却存在着明显的区别。本文将对光刻机和蚀刻机的差异进行深入探讨。
2023-12-16 11:00:09371 
中图仪器WD4000无图晶圆几何形貌量测系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。它采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 
我在使用AD7768的过程中，clk_sel拉高，使用外部晶振或者LVDS，使用LVDS的时候采样正常，但是用无源晶振的时候晶振无法起振，是不是除了clk_sel拉高之外还需要什么设置才会使用外部晶振
2023-12-11 08:22:54
设计时，AD2S1210的时钟输入采用8.192MHZ的有源晶振，选择晶振时对有源晶振的功率有什么要求？？？一个有源晶振能不能给两个AD2S1210芯片提供时钟输入？？？感谢！
2023-12-07 07:07:43
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液，使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46285 晶圆测温系统tc wafer晶圆表面温度均匀性测温晶圆表面温度均匀性测试的重要性及方法 在半导体制造过程中，晶圆的表面温度均匀性是一个重要的参数
2023-12-04 11:36:42
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 请问像AD8233一样的晶圆封装在PCB中如何布线，芯片太小，过孔和线路都无法布入，或者有没有其他封装的AD8233
2023-11-14 07:01:48
自动蚀刻机是利用电解作用或化学反应对金属板进行处理，以获得所需图纹、花纹、几何形状的自动化设备，广泛应用于芯片、数码、航空、机械、标牌等领域中。现有一家蚀刻机设备制造商，要求对全国各地的蚀刻机设
2023-11-08 13:59:52146 
。WD4000晶圆几何形貌测量及参数自动检测机采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半导体晶圆几何形貌自动检测机采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
外部晶振断电内部晶振是不是迅速起电
2023-11-03 08:02:15
WD4000半导体晶圆表面三维形貌测量设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半导体晶圆检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000无图晶圆几何量测系统自动测量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三维形貌 、单层膜厚 、多层膜厚 。使用光谱共焦对射技术测量晶圆 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
在精细印制电路制作过程中，喷淋蚀刻是影响产品质量合格率重要的工序之一。现有很多的文章对精细线路的蚀刻做了大量的研究，但是大多数都只停留在表象的研究中，并没有从本质上认识喷淋蚀刻中出现的问题。
2023-10-17 15:15:35164 
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 2.4TFT屏幕上怎么画实心圆？
2023-10-16 09:12:27
的可靠性也很高。
四、广泛应用
可编程晶振被广泛应用于各种通讯设备、网络设备、GPS接收器、频谱分析仪器等需要频率控制的设备中。它可以满足不同的频率需求，从而为这些设备的稳定运行提供了重要保障。
五、优点
2023-10-14 17:38:14
stm32有内部晶振，为什么还要用外部晶振？
2023-10-13 06:19:46
GD32的晶振和STM32的晶振连接有什么不同的地方
2023-10-11 07:58:05
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中蚀刻沟槽图案，然后通过镶嵌流用Cu填充沟槽来完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30669 01CW24x系列串行EEPROM具有低引脚数、高可靠性、多种存储容量用于灵活的参数管理和小代码存储，满足稳定的数据保存、低功耗和空
02间受限的需要
03采用华虹95nm最先进工艺，晶圆CP测试
2023-09-15 08:22:26
要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 
钛金属具有较高的比强度和生物相容性，并且由于在金属表面自发形成的钝化膜而具有优异的抗蚀刻性。这种薄氧化膜在空气中容易形成，保护内部活性钛金属免受侵蚀性介质的影响。二氧化钛具有很宽的带隙，因此钛经常被用于各种应用，包括光催化剂、化学传感器和医疗植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
的容器，耐酸耐碱耐腐蚀(强酸、强氟酸、强碱)，能做激光雕刻，能够安装RFID。保持载体和物料的跟踪。主要用于半导体蚀刻部门之酸碱制程中使用、传送晶圆。我司PFA花
2023-08-29 08:57:51
我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻，以实现用于线波导的氢化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140 蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
晶圆测温系统，晶圆测温热电偶，晶圆测温装置一、引言随着半导体技术的不断发展，晶圆制造工艺对温度控制的要求越来越高。热电偶作为一种常用的温度测量设备，在晶圆制造中具有重要的应用价值。本文
2023-06-30 14:57:40
都使用Cl基蚀刻化学物质。当在等离子体放电中分解时，CCl为还原物质提供了来源，并用于去除表面氧化物和Cl，与下面的Al反应。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526 
为了提供更优良的静电完整性，三维(3D)设计（如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET )）预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻，但是3D设备在不同材料之间具有高选择性，需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
我有一块STM32U575的板子，没焊外部高速晶振，本来上面标着16兆晶振，四个脚的，我在淘宝上买了一些32M的晶振。
淘宝上写着匹配晶振8pF,我忘买了，搞了两个4.7pF的晶振，用STM32CubeMX生成代码，就是让一个灯闪。
可是灯一直不闪。我想会不会是匹配晶振的原因。请高手指教，谢谢！
2023-06-02 16:42:20
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484918 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
半导体大规模生产过程中需要在晶圆上沉积集成电路芯片，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接，因此对晶圆切割槽尺寸进行精准控制和测量，是生产工艺中至关重要的环节。
2023-05-09 14:12:38
半导体大规模生产过程中需要在晶圆上沉积集成电路芯片，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接，因此对晶圆切割槽尺寸进行精准控制和测量，是生产工艺中至关重要的环节。
2023-04-28 17:41:49
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 JY-V620是一款集天线、放大器、控制器、红外感应于一体的半导体电子货架RFID读写器，工作频率134.2kHz，兼容TI系列玻璃管标签。工作时读写器通过红外感应FOUP晶圆盒，触发天线读取
2023-04-23 10:45:24
反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 晶圆GDP2604003D负压救护差压3Kpa压力传感器裸片XGZGDP2604 型压力传感器晶圆产品特点：测量范围-100…0～1kPa…1000kPa压阻式原理表压或绝压形式***的稳定性、线性
2023-04-06 15:09:45
wafer晶圆GDP703202DG恒流1mA表压2Mpa裸片压力传感器die产品概述：GDP0703 型压阻式压力传感器晶圆采用 6 寸 MEMS 产线加工完成，该压力晶圆的芯片由一个弹性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
SIM->UIDL：923029061我如何使用这些来派生一个唯一的 32 位 UID。（其他制造商芯片的经验是，出厂值通常包括批号和/或晶圆序列号+晶圆上的位置，和/或 ROM 编程日期戳，和/或唯一
2023-03-31 06:40:48
经过多年的研发，随着该行业在内存和逻辑方面面临新的挑战，一种称为低温蚀刻的技术正在重新出现，成为一种可能的生产选择。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半导体的物理特性会根据其结构而变化，因此半导体晶圆在组装成芯片之前被蚀刻成可调整其电气和光学特性以及连接性的结构。
2023-03-28 09:58:34251 
在湿蚀刻的情况下，随着SiNx/SiOy层的厚度减小，剩余的SiOy层由于表面张力而坍塌，蚀刻溶液对孔的渗透变得更具挑战性。
2023-03-27 10:17:49402 
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