具有一个或多个未成对电子的Mn顺磁离子具有出色的弛豫系数，其在水溶液中稳定，可通过氧化还原反应转换多种价态，从而克服了传统磁弛豫开关传感器稳定性低（受食物基质和自然沉降的干扰）和工作范围窄（小分子结合位点有限）的缺陷。
2024-03-13 10:04:53
158 
如下硅与石墨复配的负极材料的背散SEM，圆圈标的地方是硅吗？如果不是还请大佬指点一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24461 
实验名称：功率放大器在合成射流高效掺混机理研究中的应用
实验内容：合成射流是一种新型主动流动控制技术，其主要工作原理是利用振动薄膜或活塞周期性地吹/吸流体，在孔口外形成涡环，这些涡环在自诱导
2024-03-08 17:47:25
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:40:1619 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58548 
碳性电池是一种使用碳材料作为负极活性物质的电化学装置。与之相对的是碱性电池，使用的是氢氧化钠或氢氧化钾作为电解质。下面，我将详细介绍碳性电池的种类以及与碱性电池的区别。 碳性电池的种类： 锌碳干电池
2024-01-22 10:25:58467 干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换，从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42128 
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59511 
目前，盛新锂能已具备7.7万吨锂盐产能，主要分布在四川德阳和射洪两地，包括致远锂业的4.2万吨和遂宁盛新的3万吨。更值得注意的是，盛新金属的1万吨锂盐项目一期已建成并试运行，而规划中的印度尼西亚6万吨锂盐项目也正在按计划推进
2024-01-12 09:59:19177 浇铸和切片的聚氨酯与填料或被称为urethane-coated的材料来构成。悬浮在相对比较温和的腐蚀剂中的硅(玻璃)浆液，如钾或氢氧化铵，需要被送入到抛光垫。
2024-01-12 09:54:06359 
就在去年8月，英联锂能年产2万吨氢氧化锂/碳酸锂电子材料项目正式投产。该项目是新能源汽车行业、新能源电池行业产业链端重要产品的生产项目，主要业务包括锂粗料精炼提纯、电池黑粉湿法回用有价元素等。
2024-01-10 16:41:54361 在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。
2024-01-08 10:11:01206 
光互连CPU技术 实验演示了三种可以实现与集成在光网络芯片（ONC）上的CPU核心的光互连的技术。该粘合剂技术具有>99%的透明度、高达400℃的耐高温性、耐清洗溶剂性以及GaP棱镜与波导之间的折射率匹配的特性。 聚酰亚胺微透镜具有准直25Gbps VCSEL的输出光束以将光耦合到光波导中的特性。VCSEL或光电二极管的封装尺寸具有0.4mm2的面积和0.64mm的高度，可以连接到棱镜。除了棱镜处的反射损耗外，从VCSEL到波导的净耦合损耗被测量为0.855dB。通过腔型波导的传
2024-01-05 17:14:28143 
SEMI-e 第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会将持续关注产业核心技术和发展前沿，向20多个应用领域提供一站式采购与技术交流平台。
2023-12-25 16:43:54284 
测量呢？ 技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Galen Zhang针对基于电极法原理的ADI PH计应用方案展开了详细介绍。 PH测量原理 PH值是衡量水溶液中氢离子和氢氧化物离子相对量的一项指标。就摩尔浓度来说，25°C的水含有1×10^−7mol/L氢离子，
2023-12-20 16:05:48154 
。然而，如果选择了不易防止氧化的材料，就容易导致引脚氧化，进而影响晶振正常工作。 2. 工艺环境不当：晶振引脚的工艺环境可能包含一些有害气体或者化学物质，如高温、湿度环境、酸碱溶液等，这些环境下会加速引脚的氧化。特别
2023-12-18 14:36:50241 ，但换上原来的电机就几乎没有滞后。在侧测量了旋变后发现客户拿来的电机旋变sin和cos的电感量和内阻比我们正常使用的小一倍。想探讨下不同参数的旋变对信号滞后的机理是什么？
2023-12-12 06:38:58
根据协议，各方拟在印尼合资建设年产12万吨（镍金属量）氢氧化镍钴湿法项目（波马拉项目），总投资额约为38.42亿美元（约合人民币275亿元）。
2023-12-08 09:11:47249 按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液，使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46285 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 人们常说镍镉电池不能完全放电。这并不完全正确，但在实践中，很难防止一个或多个电池的极性反转。镍镉电池是一种可充电电池，其电极由氢氧化镍和金属镉制成。
2023-12-03 17:55:33834 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
半导体前端工艺（第四篇）：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26256 
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
有鉴于此，哈佛大学Loïc Anderegg和加州理工学院Nicholas R. Hutzler等人建立了对氢氧化钙(CaOH)中各个量子态的相干控制，并演示了一种搜索电子电偶极矩(eEDM)的方法。
2023-11-25 15:18:58309 
据介绍，中矿资源目前拥有年2.5万吨电池级碳酸锂/氢氧化锂和年6000吨电池级氟化锂生产线。此次春鹏锂已建成3.5万吨的高纯度锂盐工程并投入生产，中矿资源电池级锂盐的年产量有望达到6.6万吨。
2023-11-17 10:20:53328 人工智能（AI）是预计到2030年将成为价值数万亿美元产业的关键驱动力，它对半导体性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最复杂的问题来自于需要通过新的刻蚀技术来解决的器件制造挑战。
2023-11-16 16:03:02164 ESD的保护机理和主要测试模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是静电放电的缩写，指的是静电在两个物体之间突然放电的现象。ESD是电子设备和电子元件面临的主要故障来源
2023-11-07 10:21:47384 英思特研究了在低温下用乙酸去除氧化铜。乙酸去除各种氧化铜，包括氧化亚铜、氧化铜和氢氧化铜，而不会侵蚀下面的铜膜。
2023-11-06 17:59:44239 
但是，在刻蚀SOI衬底时，通常会发生一种凹槽效应，导致刻蚀的形貌与预想的有很大出入。那么什么是凹槽效应？什么原因引起的？怎么抑制这种异常效应呢？
2023-10-20 11:04:21454 
亚甲蓝溶液测试仪是一种用于检测密封性的重要工具，通过负压法来评估容器或管道的密封性能。该仪器利用真空泵将亚甲蓝溶液抽入测试室，然后将测试室密封，观察测试室内的压力变化情况来确定密封性能的好坏。本文将
2023-10-18 16:43:33
在干法的深刻蚀过程中，精细的刻蚀控制成为一个至关重要的因素，它直接影响到芯片的性能。
2023-10-08 18:10:07903 
腐蚀pcb板的溶液按抗蚀层类型与生产条件而选择：有酸性氯化铜、碱性氯化铜、三氯化铁、硫酸与过氧化氢、过硫酸盐等多种。下面捷多邦小编和大家介绍一下腐蚀pcb板的溶液的一些知识。 三氯化铁的蚀刻液是铜箔
2023-10-08 09:50:22734 刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 
有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况：在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
铝坩埚作为热分析仪中主要的配套工具，作为样品的载体。铝为银白色金属，由于表面形氧化层而保护其不与空气和水起反应，易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液，难溶于水。相对密度2.70。熔点
2023-09-27 11:34:57
在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
服务内容材料或产品放置在盐雾试验设备中，然后通过加热盐水溶液产生盐雾。这些盐雾颗粒会在试验样品表面沉积，并且由于其腐蚀性，可能导致材料或产品的表面腐蚀。盐雾试验的主要目的是评估材料和产品的耐蚀性能
2023-09-21 16:33:34
烷基氧化胺易溶于水和极性有机溶剂，是一种弱阳离子型两性表面活性剂，水溶液在酸性条件下呈阳离子性，在碱性条件下呈非离子性。具有良好的增稠、抗静电、柔软、增泡、稳泡和去污性能;还具有杀菌、钙皂分散能力，且生物降解性好，属环保型日化产品。
2023-09-18 12:27:541616 
的相关知识。 pcb显影液的主要成分碱性显影剂和氢氧化钠，其中PCB显影液的核心成分碱性显影剂可以分解未曝光的光敏膜上的化学物质，让未被曝光的铜箔显露出来。碱性显影剂有氨、氢氧化钠、碳酸钾等多种类型，在pcb生产制造中合理的选择显影剂能
2023-09-12 10:48:291374 的碘量法、电极极谱法和荧光法。 碘量法是参照《水质溶解氧的测定碘量法》（GB7489-1987）标准，基于溶解氧的氧化性能，在水样中加入硫酸锰和碱性碘化钾溶液，生成氢氧化锰沉淀，该沉淀极不稳定，会迅速与水中的溶解氧反应生成硫酸
2023-09-06 15:08:03693 肖特基二极管失效机理 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）作为一种快速开关元件，在电子设备中得到了广泛的应用。但是，随着SBD所承受的工作压力和工作温度不断升高
2023-08-29 16:35:08971
应用程序: 本样本代码使用 M031BT 来做蓝牙电牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 蓝牙
2023-08-29 07:40:54
湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法做器件，芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷（defect），腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半导体和导体的导电机理有何不同 半导体和导体是电子学中常见的两种材料，它们在电子传导方面有着不同的导电机理。在本文中，我们将详细探讨半导体和导体的导电机理，以及它们的区别。 导体的导电机理 导体
2023-08-27 16:00:251348 光刻蚀（Photolithography）是一种在微电子和光电子制造中常用的加工技术，用于制造微细结构和芯片元件。它的基本原理是利用光的化学和物理作用，通过光罩的设计和控制，将光影投射到光敏材料上，形成所需的图案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392855 ORP是氧化还原电位，全称oxidation-reductionpotential，用来反映水溶液中所有物质表现出来的宏观氧化还原性。氧化还原电位越高，氧化性越强，氧化还原电位越低，还原性越强。电位
2023-08-17 09:33:423029 
。微溶于水、醇及醚，可溶于氢氧化钾。不与氢氧化钠、液氨、盐酸及水起化学的反应。300℃以下干燥环境中与铜、银、铁、铝不反应。500℃以下对石英不起作用。250℃时与金属钠反应，-64℃时在液氨中反应。与硫化氢混合加热则分解。200℃时，在特定的金属如钢及硅钢存在下，能促
2023-08-09 14:59:07334 
作为制造高镍电池的关键材料，氢氧化锂市场需求超出预期，从侧面反映出动力电池高镍化趋势之下，高镍三元电池仍有很大的市场增长空间。
2023-08-07 14:30:53270 项目年处理三元正负极粉5.775万吨（对应废旧三元锂电池量为18万吨），年产硫酸镍79975吨、硫酸钴33425吨、氢氧化锂12250吨、硫酸锂2100吨、磷酸锂5075吨、四氧化三锰11725吨和二氧化锰1260吨；同时副产无水硫酸钠160659.2吨/年和粗制石墨粉47841.44吨/年。
2023-08-04 15:50:24829 
氢氧化物 开始沉淀 沉淀完全 沉淀开始溶解 沉淀完全溶解 离子开始浓度 残留离子浓度《10-5mol/L 氢氧化锡 0 0。5mol/L 1 13 15
2023-08-04 14:24:23476 就在此前一天，雅化集团刚刚宣布，拟延长与特斯拉此前在2020年签订的电池级氢氧化锂供货协议，将在2023-2030年合计供应氢氧化锂20.7万吨-30.1万吨。
2023-08-03 14:53:54489 据公布，双方合作从2020年12月开始，2020年未与交易对方发生交易金额。2021年与交易对方发生的交易金额约占2021年度公司审计营业收入的0.5%。2022年与交易对方发生的交易金额约占2022年会计审计营业收入的17%。
2023-08-03 10:03:34294 在微电子制造中，刻蚀技术是制作集成电路和其他微型电子器件的关键步骤之一。通过刻蚀技术，微电子行业能够在硅晶片上创建复杂的微观结构。本文旨在探讨刻蚀设备的市场规模以及行业内的竞争格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383908 电子发烧友网报道（文/周凯扬）在半导体制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技术难度最大的主要三大流程当属光刻、刻蚀和薄膜沉积了。这三大工艺的先进程度直接决定了晶圆厂所能实现的最高工艺节点，所用产品
2023-07-30 03:24:481556 
行业简介：微弧氧化(MAO)又称微等离子体氧化(MPO)、阳极火花沉积(ASD)或火花放电阳极氧化(ANOF),还有人称之为等离子体增强电化学表面陶瓷化(PECC)。该技术的基本原理及特点是：在普通
2023-07-21 16:01:32
氢氧化铝中的结晶水含量，高达34.46%，当周围温度上升到300℃以上，这些水分全部析出。由于水的比热大，当其化为水蒸气时需从周围吸取大量热能。氢氧化镁也含结晶水，但含水率仅30.6%，不如氢氧化铝。
2023-07-20 16:31:12316 ，产生Al、Fe等离子，在经一系列水解、聚合及亚铁的氧化过程，发展成为各种羟基络合物、多核羟基络合物以至氢氧化物，使废水中的胶态杂质、悬浮杂质凝聚沉淀而分离.同时
2023-07-19 17:07:17
作者展示了10 M和5 M浓度的尿素水溶液在2 ps时间窗内记录的时间分辨∆OD谱。5M溶液和10M溶液获得的结果之间的主要区别在于，在后者数据的宽吸收特征之上出现了额外的吸收带，该吸收带出现在286.5-287 eV范围内，转移到287.5 eV左右，同时强度增加。
2023-07-17 17:16:23249 
3.35米直径通用氢氧末级是采用通用化、产品化、模块化研制思路，对标世界一流水平，在现有3米直径氢氧末级基础上打造的一款高性能火箭模块，满足未来新一代中型运载火箭能力提升需要，拥有广阔的市场。
2023-07-14 16:56:21310 第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214 
行业简介：微弧氧化(MAO)又称微等离子体氧化(MPO)、阳极火花沉积(ASD)或火花放电阳极氧化(ANOF),还有人称之为等离子体增强电化学表面陶瓷化(PECC)。该技术的基本原理及特点是：在普通
2023-07-11 14:28:29
碱类助洗剂常用的为氢氧化钠、纯碱、硅酸钠和三聚磷酸钠。氢氧化钠和纯碱作为碱剂，价格*为便宜，废水较难处理，有时因为碱性偏强导致清洗物体受到损伤，另一方面氢氧化钠和纯碱没有乳化作用对于矿物油清洗没有任何效果;
2023-07-05 10:23:42746 图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步，用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 
硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
AMT-CL301型在线二氧化氯变送器是带微处理器的水质在线监测控制仪。通过二氧化氯电极对水溶液中的二氧化氯值及温度值进行连续监测和控制。 特征 点阵液晶屏显示； 中/英文智能菜单操作； 多种信号
2023-05-23 14:07:04138 
团队发展了一种制造不溶性CNC基水凝胶的简单且有效的方法，利用分子间氢键重构，热脱水使优化的CNC复合光子膜在水溶液中形成一个稳定的水凝胶网络。
2023-05-15 17:03:32136 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
高镍三元正极材料生产中需要更低的烧结温度,所以必须使用熔点较低的氢氧化锂提供锂源。而其它正极材料中，包括中低镍三元、磷酸铁锂、钴酸锂、锰酸锂则主要使用熔点高的碳酸锂。
2023-04-24 14:23:082297 
的粗糙度大大增加，这将导致质量文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁差栅氧化层击穿性能。 SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用双氧水溶液和氢氟酸溶液循环处理，而不是只用hf清洗。 介绍 硅超大规模集成电路技术要求超净硅表面具有特征，即无污染物、无氧化物、
2023-04-19 10:01:00129 
压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 如图所示：1.单片机给IO口发送一个高电平后光耦3063会立即导通还是在交流电压的过零点导通2.如果光耦在输入电压的过零点导通，是否可以认为可控硅两端的电压为零，此时可控硅不导通，那如果是这样请问这个电路可控硅是何时导通的，又是和是关断的 。导通是可控硅T2和G极之间的电压为多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制，防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题，因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459 高频陶瓷溶液
2023-03-28 18:21:12
基于此，印度理工学院和韩国科学技术研究所的研究团队介绍了一种通过混合金属氧化物/氢氧化物的硒化实现的边缘取向硒化钼（MoSe2）和镍钴硒化物（NiCo2Se4）的异质结构。所开发的片上片异质结构
2023-03-23 10:39:14630 为什么在直流稳压电源中，不选可控硅降压电路，而选择降压变压器呢？
2023-03-23 09:48:42
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