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电子发烧友网>今日头条>一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法

一种在单个晶片清洁系统中去除后处理残留物的方法

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使用单晶片自旋处理器的背面清洁研究

在这项研究中,我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案,能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物,无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06:45339

用于光刻胶去除的单晶片清洗技术

本文的目标是讨论一种新技术,它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合,导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621

开发一种低成本的臭氧去离子水清洗工艺

摘要 本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后,仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应,代替脱蜡
2022-05-07 15:49:26920

刻蚀后残留物去除方法

(BCB)。蚀刻工艺的固有副产物是形成蚀刻后残留物,该残留物包含来自等离子体离子、抗蚀剂图案、蚀刻区域的物质混合物,以及最后来自浸渍和涂覆残留物的蚀刻停止层(Au)的材料。普通剥离剂对浸金的蚀刻后残留物无效,需要在去除残留物
2022-06-09 17:24:132320

使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除

我们华林科纳半导体开发了一种新的湿法清洗配方方法,其锡蚀刻速率在室温下超过30/min,在50°c下超过100/min。该化学品与铜和低k材料兼容,适用于铜双镶嵌互连28 nm和更小的技术节点
2022-06-14 10:06:242210

BEOL应用中去除蚀刻后残留物的不同湿法清洗方法

)开口的低k图案化中,观察到两个主要问题。首先,MHM开口后的干剥离等离子体对暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些损伤。受损低k是非常易碎的材料,不应该被去除,否则将获得一些不良的轮廓结构。其次,连续的含氟低k蚀刻等离子体导致聚合物
2022-06-14 16:56:371355

适用于清洁蚀刻后残留物的定制化学成分(1)

引言 介绍了一种蚀刻后残留物清洗配方,该配方基于平衡氢氟酸的腐蚀性及其众所周知的残留物去除特性。在最初由基于高k电介质的残留物提供的清洁挑战所激发的一系列研究中,开发了一种配方平台,其成功地清洁
2022-06-23 15:56:541073

晶片背面和斜面清洁(上)

介绍 在IC制造中,从晶圆背面(BS)去除颗粒变得与从正面(FS)去除颗粒一样重要。例如,在光刻过程中,; BS颗粒会导致顶侧表面形貌的变化。由于焦深(DOF)的处理窗口减小,这可能导致焦点故障
2022-06-27 18:54:41796

金属加工液机床表面残留物的解决方法

  金属加工液的主要功能之一是为零件提供工序间的防锈性,这通过在金属表面留下的防锈膜来完成。所以,这里要讨论的不是金属加工液是否留下残留物,而是残留物是否是有目的地留下的。
2022-11-25 09:17:091024

PCBA残留物的影响及清洗,助焊剂残留物怎么样清除

发现PCBA 上的残留物对PCBA 的可靠性水平影响极大,而在残留物中,无机残留物会减小绝缘电阻,增加焊点或导线间的漏电流,在潮湿空气条件下,还会使金属表面腐蚀;有机残留物(如松香、油脂等)会形成绝缘膜,从而影响连接器、开关和继电器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122

焊后锡膏残留物带来的危害有哪些?

也带来腐蚀和漏电等问题。一般的电子产品可以使用免洗锡膏极少有残留物出现。焊后锡膏残留物带来的危害:1、颗粒性污染物易造成电短路;2、极性玷污物会造成介质击穿、漏电和元
2023-07-25 19:18:26715

倒装晶片的组装工艺流程

相对于其他的IC元件,如BGA和CSP等,倒装晶片装配工艺有其特殊性,该工艺引入了助焊剂工艺和底部填充工 艺。因为助焊剂残留物(对可靠性的影响)及桥连的危险,将倒装芯片贴装于锡膏上不是一种可采用的装配方法
2023-09-22 15:13:10352

免洗锡膏之残留物腐蚀性机理分析

层的作用,只会留下少量酸性离子残留物。免洗锡膏的焊后残留物虽少,但对于某些高精密器件仍不可忽视。因此,免洗锡膏的残留物腐蚀性仍旧是热议问题。
2024-01-08 09:04:56143

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