SiO2与SiNx交替镀膜，每层膜层在几十纳米左右。根据产品的不同，膜层的层数也不同。图中只是示意图，只有几层。但实际有64，128，400层等层数。
2024-03-19 12:26:42
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在设计防止AI大模型被黑客病毒入侵时，需要考虑到复杂的加密和解密算法以及模型的实现细节，首先需要了解模型的结构和实现细节。
以下是我使用Python和TensorFlow 2.x实现深度学习模型
2024-03-19 11:18:16
一般来说SiO2是作为大部分器件结构中的绝缘体 或 在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。
2024-03-11 10:19:11104 
我正在使用 CY8C5867LTI-LP025。
我知道我需要使用 SIO 端口来使用 I2C、UART 等。
SPI通信是否也需要使用 SIO 端口？
2024-03-06 06:23:39
ITO薄膜在提高异质结太阳能电池效率方面发挥着至关重要的作用，同时优化ITO薄膜的电学性能和光学性能使太阳能电池的效率达到最大。沉积温度和溅射功率也是ITO薄膜制备过程中的重要参数，两者对ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20235 
用于开发过程中模型的静态检查，包括规范检查、复杂度度量，提供MAAB、HIS、CG、MISRA_AC_SLSF、MISRA_AC_TL、dSPACE标准规范及检查，
2024-03-01 11:29:03
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
HarmonyOS 3.1 版本（API 9）推出了全新应用开发模型 - Stage 模型，该模型重新定义了应用开发的能力边界，从应用开发模型的角度，支持多窗口形态下统一的应用组件生命周期，并支持
2024-02-18 09:28:26321 
绝缘层位于IGBT的N区表面，通常使用氧化硅（SiO2）等绝缘材料，用于隔离控制电极（栅极）与功率电极（P区和N+区）。
2024-02-06 10:29:19226 
电压和漏源极电压的作用下保持不变，漏极电流先增大后不变。
P沟道耗尽型MOS管，SIO2绝缘层掺入大量负离子，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加负向电压沟道电阻变小，加正向电压导电沟道变小，而且正向电压减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。
2024-01-30 11:51:42
减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。
P沟道增强型MOS管在其栅源之间加负向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻先小后大，漏极电流先增大后不变。
P沟道耗尽型MOS管，SIO2绝缘层掺入大量负离子
2024-01-30 11:38:27
ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，主要优点是其高透明度和导电性，可以作为透明电极应用在光伏电池中。在TOPCon电池中，添加ITO薄膜可以有效提升电池的短路电流密度和转换效率，是提高
2024-01-20 08:32:51280 额定门极驱动电压：门极驱动电压在±20V范围内施加超过此范围的电压时，门极-发射极间的氧化膜（SiO2）有可能发生绝缘破坏或导致可靠性下降。
2024-01-05 09:06:321842 
在太阳能电池的沉积工艺中，制备高性能的ITO薄膜是其首要任务。电池厂商在制备ITO薄膜时，往往需要考虑自身的方阻与影响ITO薄膜方阻的因素，从而在了解的基础上更好的解决对ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00418 技术革新日新月异，大模型的兴起更是颠覆了千行百业。自ChatGPT问世以来，大模型的应用前景充满了无限的机遇与挑战。 12月16日，在2023开放原子开发者大会的“大模型应用开发之道”分论坛
2023-12-21 19:35:01412 据悉，研究人员使用金属有机气相外延技术在覆盖有微图案SiO2掩模的石墨烯层上生长GaN微盘。然后将微盘加工成Micro LED，并成功转移到可弯曲基板上。这项研究表明，可通过石墨烯上生长出高质量LED，并将其集成到灵活的Micro LED设备中。
2023-12-13 16:55:39487 
，以及pulsar2作为推理引擎的一些细节。
1、完整流程概括
可以将模型部署细分为以下几个步骤，其实就是和用onnxruntime\\\\openvino\\\\tensorRT这些部署步骤是一样
2023-12-10 16:34:43
在太阳能电池的生产工艺中，退火工艺和氧气含量作为外界条件往往是影响ITO薄膜性能的关键因素，因此，为了较高程度的提升ITO薄膜的性能，电池厂商都会通过在生产中严谨的操作手段来保证其性能的提升，并通过
2023-12-07 13:37:19292 GaN 技术的过去和现在
2023-12-06 18:21:00432 
GaN 如何改变了市场
2023-12-06 17:10:56186 
GaN是常用半导体材料中能隙最宽、临界场最大、饱和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0的比值，称为该电介质的相对介电常数，符号为εr，即εr=ε/ε0，εr是无量纲的纯数，其中真空介电常数ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相对介电常数为εr=3.9，所以SIO2的介电常数ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
2023-11-30 15:39:12671 摘要本发明涉及芯片制造技术领域。硅基的cu/sio2混合结合样品和金刚石基础的cu/sio2混合结合样品的准备后，进行等离子体活性。经等离子体活性处理后，将cu/sio2混合结合试料浸泡在有机酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 
扩散模型和 GAN 的混合模型最早是英伟达的研究团队在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN（《Tackling the Generative Learning Trilemma with Denoising Diffusion GANs》）。其灵感来自于普通扩散模型对降噪分布进行高斯假设的根本缺陷。
2023-11-21 16:02:19275 
yolov8nsim.onnx --output_dir output --config config.json, 将会得到output/compiled.axmodel文件。
开发板上运行模型评测
2023-11-20 12:19:32
铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝
2023-11-18 08:11:021317 
镓(GaN)纳米线的光子器件，这些器件可以受益于紫外透明波导，包括近场扫描光学显微镜、垂直腔激光器和直写光刻技术。
2023-11-16 11:13:50231 
开发者关系经理李博和英迈中国技术工程师李宁在现场探讨了汽车行业前沿趋势与未来风向标。下文将带领读者回顾嘉宾们在“NVIDIA 加速汽车行业大语言模型的开发与应用”研讨会上的重点分享。 基于深度学习的 AI 技术——大语言模型（LLM），通常拥有数十亿到数万亿的
2023-11-03 19:10:03356 电子发烧友网站提供《太阳能光伏玻璃及其薄膜的开发与应用（一）.pdf》资料免费下载
2023-11-03 09:18:03
0 电子发烧友网站提供《太阳能光伏玻璃及其薄膜的开发与应用(四).pdf》资料免费下载
2023-11-03 09:12:300 10 月 28 日上午 10 点 ，NVIDIA 解决方案架构师陈文恺将出席研讨会，讲解 NVIDIA 如何助力汽车行业开发企业级大语言模型 ，加速行业创新和发展 。会议期间还将有两位神秘嘉宾助阵
2023-10-27 20:05:02182 
自从扩散模型发布以来，GAN的关注度和论文是越来越少了，但是它们里面的一些思路还是值得我们了解和学习。所以本文我们来使用Pytorch 来实现SN-GAN
2023-10-18 10:59:17231 
在异质结太阳能电池的结构中，ITO薄膜对其性能的影响是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的优劣与制备ITO薄膜过程的顺利往往能直接决定异质结太阳能电池的后期生产过程以及实际应用是否科学有效
2023-10-16 18:28:09700 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:31317 
在钙钛矿太阳能电池的生产工艺中，ITO薄膜沉积是能够提升钙钛矿太阳能电池光电转换率的关键步骤，其中，真空蒸镀沉积技术可较为便捷的制备高纯度、高质量的ITO薄膜，是沉积工艺中的一项核心技术
2023-10-10 10:15:53649 RKNN 是 Rockchip NPU 平台(也就是开发板)使用的模型类型，是以.rknn 结尾的模型文件。
RKNN SDK 提 供 的 demo 程 序 中 默 认 自 带 了 RKNN 模 型
2023-09-21 11:39:02
由于异质结电池不同于传统的热扩散型晶体硅太阳能电池，因此在完成对其发射极以及BSF的注入后，下一个步骤就是在异质结电池的正反面沉积ITO薄膜，ITO薄膜能够弥补异质结电池在注入发射极后的低导电性
2023-09-21 08:36:22407 诸多应用难点，极高的开关速度容易引发振荡，过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET，在桥式拓扑的应用中容易发生误
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25657 
：ArmSoM P2 Pro 物联网开发板评测，支持PoE供电[]()
硬件说明
SoC 旁边是 512 MB DDR3 内存。规格表明SoC的DDR接口支持DDR2、LPDDR2和DDR3内存
2023-09-13 12:21:21
你好，我用tensorflow训练的模型导出后，用ncc工具箱进行转化，转化后的模型导入过程中出现问题：
1、我采用maxipy官方的固件，用micropython导入该模型是可以正常使用
2、根据
2023-09-13 07:34:46
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 开发板、STEVAL-IOD003V1 评估板、以及 X-NUCLEO-IKS01A2
2023-09-13 06:39:09
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 开发板、STEVAL-IOD003V1 评估板、以及 XNUCLEO-IKS01A2 扩展
2023-09-13 06:01:51
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
传感新品 【长春工业大学：研发PAM@SiO2-NH2/石墨烯导电水凝胶传感器】 导电水凝胶因其在软机器人、电子设备和可穿戴技术等领域的潜在应用而备受关注。然而，由于传统水凝胶固有的脆性，其广泛应用
2023-08-21 17:24:49960 
之前我们使用网页文本输入的方式体验了讯飞星火认知大模型的功能（是什么让科大讯飞1个月股价翻倍？），本篇博文将从开发者角度来看看如何使用讯飞星火认知大模型API。
2023-08-15 12:22:264164 
用于快速模型的模型调试器是用于可扩展集群软件开发的完全可重定目标的调试器。它旨在满足SoC软件开发人员的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
•源代码级调试
2023-08-10 06:33:37
用于快速模型的模型调试器是用于可扩展集群软件开发的完全可重定目标的调试器。它旨在满足SoC软件开发人员的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
•源代码级调试
2023-08-09 07:57:45
20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48:407523 
硅在暴露在空气中时会形成一层氧化硅（SiO2）层。在许多制程步骤中，如在热处理过程之前，需要移除这层氧化硅。氢氟酸是唯一能够有效清洗硅片表面氧化硅的化学品。氢氟酸能够与SiO2发生反应，生成挥发性的氟硅酸，从而清除硅片表面的氧化物层。
2023-08-02 10:40:25543 
器件沟道长度为1μm，HFO2栅介质厚度为4.88nm；SiO2栅介质厚度为2nm；P衬底掺杂浓度4E15cm^-3；栅电极为铝金属。
2023-07-05 16:45:21419 
针对测量ITO导电薄膜的应用场景，CP200台阶仪能够快速定位到测量标志位；轻松实现一键多点位测量；能直观测量数值变化趋势。
2023-06-27 10:49:44713 
由于ITO膜具有一定的透光性，而硅基板具有较强的反射率，会对依赖反射光信号进行图像重建的光学轮廓仪造成信号干扰导致ITO膜厚图像重建失真，因此考虑采用接触式轮廓仪对ITO膜厚进行测量，由于其厚度范围
2023-06-27 10:47:070 地被开发出来。GaN器件的低导通内阻、低寄生电容和高开关速度等特性，使得对应的Class D功放系统能够具有更高的效率，更高的功率密度，同时因为更少的反馈需求所带来的非线性失真度将更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2023-06-20 09:18:001044 
低规格GaN快速充电器的脉冲ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技术实现快速充电系统
2023-06-19 06:20:57
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
最近在用M051开发板实现PWM输出的控制，因为涉及多种PWM控制模式，所以想设置多个按键控制。而按键控制需要中断的产生，敢问2个外部中断EXINT0、EXINT1跟GPIOP0P1P2P3P
2023-06-16 08:13:28
一小部分2D图像合成复杂3D场景的新视图方面提供了最先进的质量。 作者提出了一个生成模型HyperNeRFGAN，它使用超网络范式来生成由NeRF表示的三维物体。超网络被定义为为解决特定任务的单独目标网络生成权值的神经模型。基于GAN的模型，利用超网络范式将高斯噪
2023-06-14 10:16:11639 
目前，许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题，其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。
2023-06-13 16:48:17376 
赛米卡尔科技有限公司技术团队基于先进的TCAD仿真设计平台开发出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型数据库，并系统地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR结构对GaN基垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）电学和热学特性的影响。
2023-06-07 13:49:03271 
ISO774x器件在低功耗下提供高电磁抗扰度和低发射，同时隔离CMOS或LVCMOS数字I/O。每个隔离通道都有一个由双电容二氧化硅（SiO2）绝缘屏障分隔的逻辑输入和输出缓冲器。
2023-06-01 15:27:15651 UIAbility通过WindowStage持有了一个窗口，该窗口为ArkUI提供了绘制区域。
Context
在Stage模型上，Context及其派生类向开发者提供在运行期可以调用的各种能力
2023-05-25 17:44:46
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 
本系列文章将在 AI 爱克斯开发板上使用 OpenVINO 开发套件依次部署并测评 YOLOv8 的分类模型、目标检测模型、实例分割模型和人体姿态估计模型。
2023-05-05 11:47:53559 
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率，GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212335 
应用模型是OpenHarmony为开发者提供的应用程序所需能力的抽象提炼，它提供了应用程序必备的组件和运行机制。有了应用模型，开发者可以基于一套统一的模型进行应用开发，使应用开发更简单、高效
2023-04-24 10:26:20
运动控制系统开发与应用 运动 是以 为控制对象，以控制器为核心，以电力电子、功率变换装置为执行机构，在控制理论指导下组成的电气传动控制系统。运动控制系统多种多样，但从基本结构上看，一个典型的现代运动
2023-04-21 18:04:19690 是否有关于 NXP GaN 放大器长期记忆的任何详细信息。数据表说“专为低复杂性线性系统设计”。长期记忆是否不再是当前几代 GaN 器件的关注点？这是整个产品堆栈吗？
2023-04-17 06:12:19
与LMG5200评估模块 (EVM) 一同提供的还有一块驱动GaN集成电路 (IC) 的电路。你需要将其断开，并且连接你的LaunchPad开发套件。
2023-04-14 10:06:17424 
在本研究工作中，边缘耦合器和图案化沟槽在具有220 nm厚的顶部Si层和3 μm厚的SiO2掩埋氧化物（BOX）层的SOI晶片上制造。
2023-04-13 10:56:02166 STM32开发板 STM32F103RCT6最小系统板 ARM 一键串口下载 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
零序电流互感器是绝对不可以穿零线的对吗？
2023-04-03 11:27:38
N32G430C8L7_STB开发板用于32位MCU N32G430C8L7的开发
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的样片开发，开发板主MCU芯片型号N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
HiHope 满天星智能家居开发套件
2023-03-28 13:07:10
ATK-Mini Linux开发板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux开发板-NAND
2023-03-28 13:05:54
TI CC2541开发套件
2023-03-25 01:27:25
电子发烧友App
工商网监
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