发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。 与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得
2023-04-02 01:53:36
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想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
半导体材料是一种电子能级介于导体材料和绝缘体材料之间的材料，在固体物质中具有特殊的电导特性。在半导体材料中，电子的能带结构决定了电子的运动方式，从而决定了电子导电性质的特点。 常见的半导体材料包括
2024-02-04 09:46:07456 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。
2024-01-23 10:06:04258 
电子科技领域中，半导体衬底作为基础材料，承载着整个电路的运行。随着技术的不断发展，对半导体衬底材料的选择和应用要求也越来越高。本文将为您详细介绍半导体衬底材料的选择、分类以及衬底与外延的搭配方案。
2024-01-20 10:49:54474 半导体材料是指在温度较低且电流较小的条件下，电阻率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体材料在电子器件中具有广泛的应用，如集成电路、太阳能电池、发光二极管等。其中，硅和二氧化硅是半导体材料中最常见的两种
2024-01-17 15:25:12508 第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为代 表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。相较
2024-01-16 10:48:49314 
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
氮化镓不是充电器类型，而是一种化合物。 氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学特性。近年来，氮化镓材料在充电器领域得到了广泛的应用和研究。本文将从氮化镓的基本特性、充电器的需求
2024-01-10 10:20:29255 氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物
2024-01-10 10:18:33568 、应用领域等方面。 背景介绍: 硅基氮化镓集成电路芯片是在半导体领域中的一项重要研究课题。随着智能手机、物联网和人工智能等技术的快速发展，对高性能、高频率、高可靠性集成电路芯片的需求日益增长。然而，传统的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:58226 氮化镓芯片（GaN芯片）是一种新型的半导体材料，在目前的电子设备中逐渐得到应用。它以其优异的性能和特点备受研究人员的关注和追捧。在现代科技的进步中，氮化镓芯片的研发过程至关重要。下面将详细介绍氮化
2024-01-10 10:11:39264 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种
2024-01-10 09:27:32396 氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成材料
2023-12-27 14:58:24424 氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 来了解一下氮化镓开关管的基本结构。它由氮化镓（GaN）和铝镓氮化物（AlGaN）等半导体材料组成，这些材料具有优异的电特性，能够实现高电压、高频率和高功率的开关操作。而四个电极则起到了不同的作用。 首先是栅极（G）：栅极是氮化镓开关管的控制电极，通过
2023-12-27 14:39:18356 常见的半导体材料有哪些？具备什么特点？ 常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓、磷化铟、碲化镉等。它们具备许多特点，包括导电性能、能隙、热稳定性、光电性质等方面的特点。 首先，导电性能是半导体材料的重要
2023-12-25 14:04:48492 据晶湛半导体消息，晶湛半导体业界公认的硅氮化镓（e -on-si）外延技术开拓者程凯博士将于2012年3月回国创业。国际先进的氮化镓外延材料开发和产业化基地
2023-12-11 14:32:04227 电子发烧友网报道（文/刘静）12月6日，半导体材料领域又一家优秀的国产企业在科创板成功上市。作为一家半导体材料商，江苏艾森半导体材料股份有限公司（以下简称：艾森半导体）自2010年成立以来，抓住
2023-12-07 00:11:002226 
要聊的就是这个特殊的材料——半导体。半导体几乎撑起了现代电子技术的全部，二极管，晶体管以及IC都是由半导体材料制成。在可预见的未来，它们是大多数电子系统的关键元件，服务于消费和工业市场的通信、信号处理、计算和控制应用。
2023-12-06 10:12:34599 
半导体材料是半导体产业的核心，它是制造电子和计算机芯片的基础。半导体材料的种类繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文将介绍现代半导体产业中常用的半导体材料。 一、硅(Si) 硅是最常见的半导体
2023-11-29 10:22:17517 
尽管有这些优点，但是砷化镓材料仍不能取代硅材料进而变成主流的半导体材料。原因在于我们必须要在实际的材料性能和加工难度这两个关键因素之间进行权衡。
2023-11-27 10:09:10247 
氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20719 锗和硅是两种基本的半导体。世界上第一个晶体管是由锗材料制成的，作为固态电路时代的最初的一个标志。
2023-11-20 10:10:51311 
氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料。
2023-11-14 11:03:10217 
本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。
2023-11-13 09:38:21278 
半导体材料是制作半导体器件与集成电路的基础电子材料。随着技术的发展以及市场要求的不断提高，对于半导体材料的要求也越来越高。因此对于半导体材料的测试要求和准确性也随之提高，防止由于其缺陷和特性而影响半导体器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。上次带大家了解了它的基础特性：氮化镓（GAN)具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学
2023-11-09 11:43:53434 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，由于其独特的性质和广泛的应用，已经成为了微电子和光电子领域的重要材料之一。下面将详细介绍氮化镓的性质和用途。
2023-11-08 15:59:36215 点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化镓（GaN）被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，今天金誉半导体带大家来简单了解一下，这个材料有什么厉害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
半导体材料具有一些与我们已知的导体、绝缘体完全不同的电学、化学和物理特性，正是由于这些特点，使得半导体器件和电路具有独特的功能。在接下来的半导体材料的特性这一期中，我们将对这些性质进行深入的探讨，并将它们与原子的基础、固体的电分类以及什么是本征和掺杂半导体等一系列关键性的问题共同做一个介绍。
2023-11-03 10:24:30427 
，已得到广泛应用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料，由于其较第1代、第2代材料具有明显的优势，近年来得到了快速发展。
2023-10-25 15:10:27278 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:06694 随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响。
在传统的硅基材料中，电力电子器件
2023-10-11 16:30:48250 将详细讨论半导体材料的压阻效应，包括其起源、机制、应用和未来研究方向。 一、压阻效应的起源 压阻效应是指半导体材料在外力或应力作用下，导电性能的变化。它最早被发现于20世纪60年代，当时主要研究的对象是Ge和Si等材料。
2023-09-19 15:56:551582 在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代。（了解更多 - 泛林小课堂 | 半导体材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:11843 氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非常高。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙，可用
2023-09-13 16:41:45859 材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
半导体( semiconductor)，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等。
2023-09-11 17:33:001013 氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料
➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节，在芯片的生产制造过程中起到关键性作用。根据芯片制造过程划分，半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。其中，基体材料主要用来制造硅晶圆或化合物半导体
2023-08-14 11:31:471207 第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的产业结构。
2023-08-11 10:17:54915 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料，是半导体工业的基础。利用半导体材料制作的各种各样的半导体器件和集成电路，促进了现代信息社会的飞速发展。
2023-08-07 10:22:031979 
以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:57742 
半导体材料PCT老化试验箱产品用途： 半导体材料PCT老化试验箱特点：1．圆幅内衬，不锈钢圆幅型内衬设计，可避免蒸气潜热直接冲击试品。2．实验开始前之真空动作可将原来箱内之空气抽出并吸入
2023-07-18 10:37:12
第一代半导体材料以错和硅为主。
2023-07-17 11:22:381242 氮化硅是一种半导体材料。氮化硅具有优异的热稳定性、机械性能和化学稳定性，被广泛应用于高温、高功率和高频率电子器件中。它具有较宽的能隙（大约3.2电子伏特），并可通过掺杂来调节其导电性能，因此被视为一种重要的半导体材料。
2023-07-06 15:44:433823 众所周知，镓、锗是半导体应用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1912561 材料如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）逐渐崭露头角。这些新型半导体材料在射频和功率应用中的性能优势，正在促使它们的市场份额稳步增长。
2023-07-05 10:26:131322 
集成电路产业链包括设计、制造和封测等关键步骤，其中半导体材料是集成电路上游关键原材料，按用途可分为晶圆制造材料和封装材料。
2023-07-03 10:50:4421213 
自1990年代末至2000年代初以来，有机半导体材料的研究引起了相关领域的高度关注，大大提高了实验室环境中有机半导体器件的制造水平。目前，有机半导体器件领域正在进入商业化阶段。
2023-06-30 14:51:032226 氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W 2C1A氮化镓充电器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用，性能质量获得客户的高度认可。
输出VBUS开关管均来自威兆半导体
2023-06-16 14:05:50
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
、新能源汽车、智能电网、5G通信射频等市场的发展，具有较大的发展前景；从分立器件原材料看，随着氮化镓和碳化硅等第三代半导体材料的应用，半导体分立器件市场逐步向高端应用市场推进。随着我国分立器件企业产品
2023-05-26 14:24:29
有机半导体材料可广泛应用于OLED、OPVC或OFET中，为开发具有优异光电性能的新型有机半导体材料，需要深入研究有机半导体材料的分子结构与性能之间的关系。
2023-05-23 14:17:12887 
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 （SiC）、氮化镓（GaN）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带？物质的导电需要
2023-05-06 10:31:461675 
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代半导体是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:32718 及前瞻产业研究院数据，预计2021年我国半导体分立器件市场规模将达到3,229亿元。就国内市场而言，二极管、三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品由于其
2023-04-14 13:46:39
高频、高压的氮化镓+低压硅系统控制器的战略性集成， 实现易用、高效、可快速充电的电源系统 美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领域具有硅半导体无法比拟的优势。然而，散热问题是制约其发展和应用的瓶颈。通常氮化镓需要氮化铝（AlN）作为过渡层连接到具有高导热系数的衬底上。
2023-03-24 10:37:04570
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