北京晶亦精微科技股份有限公司（以下简称“晶亦精微”）成功通过科创板首次公开募股（IPO）审核，这标志着这家专注于半导体设备领域的公司将迎来新的发展机遇。晶亦精微主要从事化学机械抛光（CMP）设备及其配件的研发、生产、销售以及相关的技术服务，为集成电路制造商提供关键设备支持。
2024-03-06 14:37:49
249 上海证券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下简称“晶亦精微”）的首次公开募股（IPO）已经成功过会，未来该公司将在科创板上市。晶亦精微是一家专注于半导体设备领域的公司，主要从事化学机械抛光（CMP）设备及其配件的研发、生产、销售和技术服务。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（简称“晶亦精微”）科创板IPO顺利过会，即将在上海证券交易所科创板上市。该公司专注于半导体设备的研发、生产、销售及技术服务，特别是化学机械抛光（CMP）设备及其配件
2024-02-20 09:34:15171 CMP设备供应商北京晶亦精微传来科创板IPO的新动态，引发行业关注。晶亦精微作为国内领先的半导体设备供应商，专注于化学机械抛光（CMP）设备的研发、生产和销售，并为客户提供相关技术服务。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 材料 去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理 4 个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技术，最后对碳化硅的化学 机械抛光技术的未来发展方向进行了展望，并对今后研究的侧重点提出了相关思路。
2024-01-24 09:16:36431 
最后的抛光步骤是进行化学蚀刻和机械抛光的结合，这种形式的抛光称为化学机械抛光(CMP)。首先要做的事是，将晶圆片安装在旋转支架上并且要降低到一个垫面的高度，在然后沿着相反的方向旋转。垫料通常是由一种
2024-01-12 09:54:06359 
传统的手工抛光打磨存在劳动强度高、抛光效果不稳定、难以处理复杂形状、安全风险和无法满足高质量要求等痛点。因此，应用工业机器人进行自动化表面精加工的技术随之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 一种锂电池内水去除工艺方法
2024-01-04 10:23:47174 
宏集推出七轴都带有扭矩传感器的柔性机械臂，通过类人类触觉、力位控制策略与直观易用的打磨app，实现均匀一致的打磨效果，打破“被动柔顺”方案的不可控性与精度限制，使表面精加工技术效率和精度大幅提升
2024-01-03 13:36:22145 
CMP技术指的是在化学和机械的协同作用下，使得待抛光原料表面达到指定平面度的过程。化学药水与原料接触后，生成易于抛光的软化层，随后利用抛光垫以及研磨颗粒进行物理机械抛光，以清除软化层。
2023-12-28 15:13:06409 12月27日消息，根据韩媒报道，SK海力士近日研发出了可重复使用的 CMP抛光垫技术，不仅可以降低成本，而且可以增强 ESG（环境、社会、治理）管理。
2023-12-27 13:48:50231 
需要指出的是，CMP 技术通过化学与机械作用使得待抛光材料表面达到所需平滑程度。其中，抛光液中化学物质与材料表面发生化学反应，生成易于抛光的软化层。抛光垫和研磨颗粒则负责物理机械抛光，清除这一软化层。
2023-12-27 10:58:31335 
HMDS，BARC是光刻工序中比较常用的化学品，但是它们并不能用显影液除去，根据是什么？它们一定要除去吗？有哪几种去除的方式？
2023-12-22 10:29:55414 
磨削和研磨等磨料处理是生产半导体芯片的必要方式，然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，抛光的一致性、均匀性和表面粗糙度对生产芯片来说是十分重要的。
2023-12-21 09:44:26491 
在北京亦庄项目建设方面，华海清科据公司的子公司华海清科北京在北京经济技术开发区实行“华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目，用于公司开展化学机械抛光设备、减薄设备、湿法设备等高端半导体设备研发及产业化、建设周期预计26个月。
2023-12-07 16:30:58462 半导体制造业依赖复杂而精确的工艺来制造我们需要的电子元件。其中一个过程是晶圆清洗，这个是去除硅晶圆表面不需要的颗粒或残留物的过程，否则可能会损害产品质量或可靠性。RCA清洗技术能有效去除硅晶圆表面的有机和无机污染物，是一项标准的晶圆清洗工艺。
2023-12-07 13:19:14235 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点
2023-12-05 09:35:19416 
AD9781采用FPGA作为驱动，采用200MHz时钟，FPGA数字信号给DAC输出3MHz正弦波，但DAC输出信号上叠加有时钟二次谐波信号（400MHz），请问要如何去除DAC输出信号上叠加的时钟谐波信号？
2023-12-01 06:26:32
在晶圆生产工艺的结尾，有些晶圆需要被减薄（晶圆减薄）才能装进特定的封装体重，以及去除背面损伤或结；对于有将芯片用金-硅共晶封装中的芯片背面要求镀一层金（背面金属化，简称背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
化学机械研磨工艺操作的基本介绍以及其比单纯物理研磨的优势介绍。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，单纯的物理研磨是不行的。因为单纯的物理研磨会引入显著的机械损伤，如划痕和位错，且无法达到所需的平整度，因此不适用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
死铜呢? 有人说应该除去，原因大概是： 1、会造成EMI问题。 2、增强抗干扰能力。 3、死铜没什么用。 有人说应该保留，原因大概是： 1、去了有时大片空白不好看。 2、增加板子机械性能，避免出现受力不均弯曲的现象。 PCB设计去除死铜的必要性： 一、我们不要死铜
2023-11-29 09:06:24432 
Python是一个强大的编程语言，提供了许多解决问题的方法和功能。其中一个常见的问题是如何去除列表中的重复数据。在本文中，我们将详细介绍Python中去除列表中重复数据的几种方法，包括使用循环
2023-11-21 15:49:14271 据鼎龙控股集团消息，鼎龙（仙桃）半导体材料产业园区占地218亩，建筑面积11.5万平方米，项目总投资约10亿元人民币。经过15个月的建设，同时进入千吨级半导体oled面板光刻胶（pspi）、万吨级cmp抛光液（slurry）和万吨级cmp抛光液用纳米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694 去除PCBA板工艺边的方法大致可以分为三大类：V-cut分板机、铣割分板机和手动去工艺边。如单纯以品质观点来看，铣割分板机（又称铣刀式分板机，曲线分板机）效果，克服了V-cut分板机只能直线分割的局限性，主要利用铣刀高速运转将多连片PCBA按预先编程路径分割开来的设备
2023-11-16 17:21:44172 
化学机械抛光（CMP）是目前最主流的晶圆抛光技术，抛光过程中，晶圆厂会根据每一步晶圆芯片平坦度的加工要求，选择符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指标要求的抛光液，来提高抛光效率和产品良率。
2023-11-16 16:16:35212 近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外，该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品，例如表面活性剂和强氧化剂。
2023-11-08 09:46:21188 
ESD的保护机理和主要测试模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是静电放电的缩写，指的是静电在两个物体之间突然放电的现象。ESD是电子设备和电子元件面临的主要故障来源
2023-11-07 10:21:47384 如何使用AT32F415比较器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
在PCB设计中，是否应该去除死铜（孤岛）呢？ 在PCB（Printed Circuit Board）设计中，死铜（也称之为孤岛）是指没有用于任何电气连接的铜。孤岛的存在并不影响电路的功能，但是可能会
2023-10-31 14:43:30928 AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比较器(CMP)。AT32F421系列内置一个超低功耗比较器CMP，它可用作独立器件（I/O上提供了全部接口），也可以与定时器结合使用。
2023-10-24 08:07:14
这篇应用笔记描述了怎么使用AT32F415xx的比较器(CMP)。AT32F415系列内置两个超低功耗比较器CMP1和CMP2，可以用于多种功能，包括：外部模拟信号的监测控制及从低功耗模式唤醒，与内置定时器结合使用，进行脉冲宽度测量和PWM信号控制等。
2023-10-24 07:38:06
科瑞特DMC600系列是一款多功能的运动控制系统，主要应用于焊接、抛光、机械手等设备。实现多轴联动，多种插补，如：直线、圆弧、抛物线、螺旋线插补等。下面以3轴抛光示教系统为例，举例工件加工的编辑方法
2023-10-23 08:07:55379 
重要的角色。 在半导体清洗工艺中，PFA管的主要作用是用于传输、储存和排放各种化学液体。这些化学液体可能是用于清洗半导体的试剂，也可能是用于腐蚀去除半导体表面的各种薄膜和污垢。在这个过程中，PFA管需要承受各种化学物质的侵
2023-10-16 15:34:34258 在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 
两个物体表面相互接触即会产生相互作用力，研究具有相对运动的相互作用表面间的摩擦、润滑与磨损及其三者之间关系即为摩擦学，目前摩擦学已涵盖了化学机械抛光、生物摩擦、流体摩擦等多个细分研究方向，其研究
2023-09-22 09:13:04
服务内容广电计量是国内盐雾试验能力较完善的权威检测认证服务机构之一，为您提供专业的耐化学试剂试验和产品评价。服务范围本商品可提供针对汽车零部件、电动工具、家用电器、信息技术设备、医疗设备、电源设备
2023-09-21 16:55:57
两个物体表面相互接触即会产生相互作用力，研究具有相对运动的相互作用表面间的摩擦、润滑与磨损及其三者之间关系即为摩擦学，目前摩擦学已涵盖了化学机械抛光、生物摩擦、流体摩擦等多个细分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:04
0 两个物体表面相互接触即会产生相互作用力，研究具有相对运动的相互作用表面间的摩擦、润滑与磨损及其三者之间关系即为摩擦学，目前摩擦学已涵盖了化学机械抛光、生物摩擦、流体摩擦等多个细分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同时满足了圆片图形加工的要求。CMP 技术是机械削磨和化学腐蚀的组合技术 , 它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦表面[2、3] 。CMP 技术对于
2023-09-19 07:23:03
得益于半导体业界的繁荣，世界cmp抛光液市场正在经历明显的增长。cmp抛光液是半导体制造中的关键成分，在实现集成电路制造的精度和效率方面发挥了关键作用。随着技术的发展，半导体的格局不断重新形成，对cmp抛光液的需求从来没有这么高过。
2023-09-14 10:28:36664 功能，内置可编程协议I/O控制器，提供了OPA运放、CMP电压比较器、USART串口、I2C、SPI、定时器、12位ADC、Touchkey等丰富外设资源。 CH32X035系列提供最多2个可独立配置
2023-09-11 16:20:44
、USB PD及Type-C快充功能，内置可编程协议I/O控制器，提供了OPA运放、CMP电压比较器、USART串口、I2C、SPI、定时器、12位ADC、Touchkey等丰富外设资源
2023-09-02 14:45:14
5nm制造工艺是什么呢？首先，我们需要了解一下纳米级别的定义。纳米级别是指长度范围在1到100纳米之间的物质，也就是说，它们比人类头发的直径还要小100倍。由于这种尺寸在物理和化学上具有独特的特性，因此在信息技术、生物医学和能源等领
2023-08-30 17:49:5717365 湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705 
肖特基二极管失效机理 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）作为一种快速开关元件，在电子设备中得到了广泛的应用。但是，随着SBD所承受的工作压力和工作温度不断升高
2023-08-29 16:35:08971 新的晶圆工艺工具包括高温外延生长（>1,500°C）、热离子注入、快速热处理（RTP）和更快的脉冲原子层沉积。用于SiC 材料的晶圆研磨、CMP、抛光垫和浆料也在发生重大改进，包括剥离剂和清洁化学品在内的新材料可满足设备和可持续性需求。
2023-08-28 15:21:35375 
近日，为填补国内集成电路市场上产业化CMP建模工具的空白，满足芯片设计公司和晶圆制造厂的需求，广立微正式推出CMP EXPLORER（简称“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解决行业的痛点。
2023-08-28 15:13:34790 
光学加工是一个非常复杂的过程。难以通过单一加工方法加工满足各种加工质量指标要求的光学元件。平面抛光机的基础是加工材料的微去除。实现这种微去除的方法包括研磨加工、微粉颗粒抛光和纳米材料抛光。根据
2023-08-28 08:08:59355 首先我们了解一下欧姆龙CMP指令，CMP指令是一种用于比较两个数值的指令，常用于控制系统中的逻辑判断和决策。该指令可以比较两个16位的数据，如果它们相等，则将零标志位设置为1，否则将其清零。
2023-08-23 11:12:592434 
以粗糙度指标为例，电镀工艺后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以键合前需要对其表面进行平坦化处理，如化学机械抛光(CMP)，使得键合时Cu 表面能够充分接触，实现原子扩散，由此可见把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着抛光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48:407523 
本文通过对典型案例的介绍，分析了键合工艺不当，以及器件封装因素对器件键合失效造成的影响。通过对键合工艺参数以及封装环境因素影响的分析，以及对各种失效模式总结，阐述了键合工艺不当及封装不良，造成键合本质失效的机理；并提出了控制有缺陷器件装机使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 据汉思化学了解，随着封装尺寸的减小，3c行业移动电子产品的性能不断得到扩展，从而使堆叠封装(PoP)器件在当今的消费类产品中获得了日益广泛的应用。为了使封装获得更高的机械可靠性，需要对多层堆叠封装
2023-07-24 16:14:45544 
据介绍，在器件制造过程中，由于薄膜沉积、光刻、刻蚀和化学机械抛光等工艺步骤的大幅增长，在晶圆的边缘造成了不可避免的副产物及残留物堆积，这些晶边沉积的副产物及残留物骤增导致的缺陷风险成为产品良率的严重威胁。
2023-07-19 15:02:26607 电化学抛光(EP)通过选择性地去除工件表面区域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成镜面状表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺
2023-07-18 11:48:183030 
半导体产业链硅部件供应商盾源聚芯冲刺IPO上市! 近日，半导体产业链叩门A股消息频传，化学机械抛光(CMP)设备供应商晶亦精微，半导体功率器件企业华羿微电均在冲刺科创板上市。 硅部件供应商宁夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化学公司是粘合剂，辅助剂等在内的多种材料提供的高纯度化学产品生产线的半导体核心化学材料的主要供应商，也供应全球重要的CMP材料包括抛光垫、抛光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要从事半导体设备的研发、生产、销售及技术服务，主要产品为化学机械抛光(CMP)设备及其配件，并提供技术服务。目前主要为集成电路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP设备，是国内唯一实现8英寸CMP设备境外批量销售的设备供应商。
2023-07-14 11:01:15460 
电子发烧友网报道（文/刘静）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下简称：晶亦精微）科创板IPO获上交所受理，保荐机构为中信证券。 晶亦精微成立于2019年，前身为四十五所CMP事业部，四十五
2023-07-11 17:25:01626 
电子发烧友网报道（文/刘静）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下简称：晶亦精微）科创板IPO获上交所受理，保荐机构为中信证券。 晶亦精微成立于2019年，前身为四十五所CMP事业部，四十五
2023-07-11 01:04:001336 
在前道加工领域：CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺段来分可以分为前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
据通州区马驹桥镇政府消息，华海清科集成电路尖端设备研发及产业化项目位于马聚桥镇智能制造基地，主要涉及化学机械光处理（cmp）设备，减薄机研发和产业化。如果该项目得以实现，将具备28纳米以下尖端工程的cmp设备研究开发能力和每月加工20万个12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711 CMP401 和CMP402分别为23 ns和65 ns四通道比较器，采用独立的输入和输出电源。独立电源使输入级可以采用+3 V至±6 V电源供电。输出可以采用3 V或5 V电源供电，具体取决于接口
2023-06-28 17:22:15
CMP401和CMP402分别为23 ns和65 ns四通道比较器，采用独立的输入和输出电源。独立电源使输入级可以采用+3 V至±6 V电源供电。输出可以采用+3 V或+5 V电源供电，具体取决于
2023-06-28 17:19:58
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
集成电路封装失效机理是指与集成电路封装相关的，导致失效发生的电学、温度、机械、气候环境和辐射等各类应力因素及其相互作用过程。根据应力条件的不同，可将失效机理划分为电应力失效机理、温度-机械应力失效
2023-06-26 14:15:31603 
集成电路封装失效机理是指与集成电路封装相关的，导致失效发生的电学、温度、机械、气候环境和辐射等各类应力因素及其相互作用过程。
2023-06-26 14:11:26715 外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-06-20 10:51:43335 
电抛光smt钢网是什么工艺，它与其他smt钢网相比有哪些优点呢，今天我们为大家做深入的讲解，希望帮助大家在选购适合自己工厂真正需要的smt钢网。
2023-06-19 10:17:44569 在半导体制程工艺中，有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺，如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉，“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料，从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备，在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 
北方某客户在CMP设备使用了哈默纳科执行器SHA、RSF、HMA和FHA系列产品，满足了客户对于提高控制精度，高速定位，紧凑安装空间的需求。
2023-06-14 09:48:39327 
机械臂抓取摆放及堆叠物体是智能工厂流水线上常见的工序，可以有效的提升生产效率，本文针对机械臂的抓取摆放、抓取堆叠等常见任务，结合深度强化学习及视觉反馈，采用AprilTag视觉标签、后视经验回放机制
2023-06-12 11:25:221214 
。常将金镀在内层镀层为镍的板边连接器突出触头上，金手指或板边突出部分采用手工或自动电镀技术，目前接触插头或金手指上的镀金已被镀姥、镀铅、镀钮所代替。其工艺如下所述:
1)剥除涂层去除突出触点上的锡或锡
2023-06-12 10:18:18
在现代工业中，表面加工是至关重要的一环。为了达到所需的表面粗糙度、光洁度和平整度等要求，往往需要进行抛光处理。
2023-06-08 11:13:552653 
在化学腐蚀点处的浓度越高，腐蚀速率越快。在抛光过程中抛光液持续流动，我们假设在腐蚀点处的浓度可以保持初始时的浓度，腐蚀率以最快的速度发生，则抛光液不同的PH值对应一个腐蚀率，由此可见，去除速率与PH值有关，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121131 
表面处理是在基体材料表面上人工形成一层与基体的机械、物理和化学性能不同的表层的工艺方法。
2023-05-22 11:07:221514 
本文介绍了激光在碳化硅（SiC）半导体晶圆制程中的应用，概括讲述了激光与碳化硅相互作用的机理，并重点对碳化硅晶圆激光标记、背金激光表切去除、晶粒隐切分片的应用进行了介绍。
2023-05-17 14:39:041222 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或基板的情况下去除化学杂质和颗粒杂质。晶圆表面必须保持不受影响，这样粗糙、腐蚀或点蚀会抵消晶圆清洁过程的结果
2023-05-11 22:03:03783 一、自动抛光机的抛光效果因素自动抛光机的抛光效果取决于多个因素，除了自动抛光机本身的质量以外，还包括使用工艺、选用什么样的抛光辅料，要抛光物件材质，操作者的经验技术等，在条件都合适的情况下，自动
2023-05-05 09:57:03535 手机板）的板，就一定要采用化学镀镍/金工艺（Et.Ni5.Au0.1）。有的厂家也采用整板镀金工艺（Ep.Ni5.Au0.05）处理。前者表面更平整，镀层厚度更均匀、更耐焊，而后者便宜、亮度好。
从
2023-04-25 16:52:12
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V族化学-机械抛光工艺开发 编号：JFKJ-21-214 作者：炬丰科技 摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术
2023-04-18 10:05:00151 
半导体材料和半导体器件在世界电子工业发展扮演的角色我们前几天已经聊过了。而往往身为使用者的我们都不太会去关注它成品之前的过程，接下来我们就聊聊其工艺流程。今天我们来聊聊如何从原材料到抛光晶片的那些事儿。
2023-04-14 14:37:502034 
设备所替代。 自动化抛光设备一般是针对特定工艺特定工件而设计的非标设备，可以进行高效率的抛光打磨工作，常见的设备便是工业机器人。物通博联工业智能网关可以采集各类打磨抛光设备、工业机器人内的控制器PLC数据，将各
2023-04-14 10:21:59338 
很早以前看过这样一个报道：德国、日本等国家的科学家耗时5年时间，花了近千万元打造了一个高纯度的硅-28材料制成的圆球，这个1kg纯硅球要求超精密加工研磨抛光、精密测量（球面度、粗糙度和质量），可谓
2023-04-13 14:24:341685 CMP0603AFX-3300ELF
2023-04-06 23:30:58
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2023-04-06 23:29:30
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 。 因此，关于负极衰减机理研究的多是关于石墨材料的衰减机理。 电池容量的衰减包括存储及使用时的衰减，存储时的衰减通常与电化学性能参数变化(阻抗等)有关，使用时除电化学性能变化外， 还伴随有结构等机械应力的变化、析锂等现象。
2023-03-27 10:40:52538 根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8% ；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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