光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影光刻机和极紫外式光刻机。
2024-03-21 11:31:4142 制造集成电路的大多数工艺区域要求100级(空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500)洁净室,在光刻区域,洁净室要求10级或更高。
2024-03-20 12:36:0060 与正光刻胶相比,电子束负光刻胶会形成相反的图案。基于聚合物的负型光刻胶会在聚合物链之间产生键或交联。未曝光的光刻胶在显影过程中溶解,而曝光的光刻胶则保留下来,从而形成负像。
2024-03-20 11:36:50197 光刻是集成电路(IC或芯片)生产中的重要工艺之一。简单地说,就是利用光掩模和光刻胶在基板上复制电路图案的过程。
2024-03-18 10:28:15117 在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。
2024-03-06 14:28:5062 光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料,可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻胶不能太厚或太薄,需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景,较厚的光刻胶层能提供更长的耐蚀刻时间。
2024-03-04 10:49:16131 电子束光刻(e-beam lithography,EBL)是无掩膜光刻的一种,它利用波长极短的聚焦电子直接作用于对电子敏感的光刻胶(抗蚀剂)表面绘制形成与设计图形相符的微纳结构。
2024-03-04 10:19:28206
表面贴装技术(Surface Mount Technology,简称SMT)是现代电子制造业中的一种重要技术,主要用于将电子元件贴装在印刷电路板(PCB)上。
在SMT中,红胶工艺和锡膏工艺是两种
2024-02-27 18:30:59
):由感光剂、树脂和溶剂构成,用于形成电路图案和阻挡层 光刻胶是由可溶性聚合物和光敏材料组成的化合物,当其暴露在光线下时,会在溶剂中发生降解或融合等化学反应。在运用于晶圆级封装的光刻(Photolithography)工艺过程中时,光刻胶可用于创建电路图案,还
2024-02-18 18:16:31277 据吴中发布的最新消息,签约项目涵盖了瑞红集成电路高端光刻胶总部项目,该项投资高达15亿元,旨在新建半导体光刻胶及其配套试剂的生产基地。
2024-01-26 09:18:43207 、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀(Metal Etching)工艺。
2024-01-24 09:39:09335 光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料,是半导体制造中使用的核心电子材料之一。伴随着晶圆制造规模持续提升,中国有望承接半导体
2024-01-19 08:31:24340 掩模在芯片制造中起到“底片”的作用,是一类不可或缺的晶圆制造材料,在芯片封装(构筑芯片的外壳和与外部的连接)、平板显示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷电路板、微机电器件等用到光刻技术的领域也都能见到各种掩模的身影。
2024-01-18 10:25:22145 2020年-2023年上半年,应用于功率半导体领域的掩模版是龙图光罩最主要的收入来源,且营收和营收占比呈现逐年递增的趋势。龙图光罩指出,在功率半导体掩模版领域,公司的工艺节点已覆盖全球功率半导体主流制程的需求。
2024-01-12 10:18:06325 光刻胶主要下游应用包括:显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等,其中显示屏是光刻胶最大的下游应用,占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%,是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346 所谓的“光刻胶”,即是在紫外线、电子束等辐射下,其溶解度会产生变化的耐腐蚀薄膜材料。作为光刻工艺中的关键要素,广泛应用于晶圆和分立器件的精细图案制作中。其品种繁多,此次涨价涉及的KrF 光刻胶则属高级别光刻胶,将成为各厂商关注的焦点。
2023-12-28 11:14:34379 掩模版(Photomask)又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等,是光刻工艺中关键部件之一,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135420 光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中,k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度,ASML认为其物理极限在0.25,k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326 欢迎了解 光刻机(Lithography Machine)是一种半导体工业中常用的设备,用于将掩模版上的芯片电路图转移到硅片上,是IC制造的核心环节,光刻机的基本工作原理是利用光学原理将图案投射
2023-12-18 08:42:12278 匀胶是光刻中比较重要的一步,而旋涂速度是匀胶中至关重要的参数,那么我们在匀胶时,是如何确定匀胶速度呢?它影响光刻胶的哪些性质?
2023-12-15 09:35:56442 光刻胶类别的多样化,此次涨价案所涉KrF光刻胶属于高阶防护用品,也是未来各地厂家的竞争焦点。当前市场中,光刻胶主要由东京大贺工业、杜邦、JSR、信越化学、住友化学及东进半导体等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 近期,万润股份在接受机构调研时透露,其“年产65吨半导体用光刻胶树脂系列”项目已经顺利投入运营。该项目旨在为客户提供专业的半导体用光刻胶树脂类材料。
2023-12-12 14:02:58328 光学模型是基于霍普金斯(Hopkins)光学成像理论,预先计算出透射相交系数(TCCs),从而描述光刻机的光学成像。光学模型中,经过优化的光源,通过光刻机的照明系统,照射在掩模上。如果在实际光刻
2023-12-11 11:35:32288 W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:531536 光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241334 据报道,韩国SK集团于2020年斥资400亿韩元收购当地锦湖石化的电子材料业务,收购后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已开发出一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技术开发。
2023-11-29 17:01:56433 [半导体前端工艺:第三篇] 光刻——半导体电路的绘制
2023-11-29 11:25:52242 KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻的光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200和300mm的硅晶圆生产中。
2023-11-29 10:28:50283 据悉,skmp开发的新型KrF光刻胶的厚度为14至15米,与东进半导体(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的产品相似。日本jsr公司的类似产品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 为了生产高纯度、高质量的光刻胶,需要高纯度的配方原料,例如光刻树脂,溶剂PGMEA…此外,生产过程中的反应釜镀膜和金属析出污染监测也是至关重要的控制环节。例如,2019年,某家半导体制造公司由于光刻胶受到光阻原料的污染,导致上万片12吋晶圆报废
2023-11-27 17:15:48550 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 20日,西陇科学(株)发布公告称,该公司没有生产销售矿产品。公司生产及销售用于清洗剂、显影液、剥离液等的光刻胶,占公司营业收入的比例,是目前用于上述用途的光刻胶配套。
2023-11-21 14:54:57315 光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571 按工序划分,前端材料市场预计将同比下降11.9%,为334亿美元。而对EUV光掩模和光刻胶的需求正在增加。由于晶体管结构的变化,以及由于3D NAND的增加导致的工艺数量增加,对现有沉积材料、蚀刻材料和清洗解决方案的需求预计将增加。后端材料市场预计将同比下降2.2%,约131亿美元。
2023-11-03 15:56:26490 随着工艺节点不断变小,掩模版制造难度日益增加,耗费的资金成本从数十万到上亿,呈指数级增长,同时生产掩模版的时间成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保证其设计有足够高的品质,重新优化设计并再次制造一批掩模版将增加巨大的资金成本和时间成本。
2023-11-02 14:25:59284 股,募集资金人民币850,000,002.24元,用于瑞红苏州先进制程工艺半导体光刻胶及配套试剂业务的研发、采购、生产和销售及相关投资。
2023-11-02 10:59:26555 生产光刻胶的原料包括光引发剂(光增感剂、光致产酸剂帮助其更好发挥作用)、树脂、溶剂和其他添加剂等,我国由于资金和技术的差距,如感光剂、树脂等被外企垄断,所以光刻胶自给能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 光刻是半导体加工中最重要的工艺之一,决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%,占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材,其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24359 金属图案的剥离方法已广泛应用于各种电子器件的制造过程中,如半导体封装、MEMS和LED的制造。与传统的金属刻蚀方法不同的是,采用剥离法的优点是节省成本和工艺简化。在剥离过程中,经过涂层、曝光和开发过程后,光刻胶会在晶片上形成图案。
2023-10-25 10:40:05185 光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上,通过光的照射,光刻胶的成分发生化学反应,从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关,而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。
2023-10-24 11:43:15271 光刻技术,与去年调查中报告的比例相同。此外,与去年的调查相比,对前沿掩模商能够处理曲线掩模需求的信心增加了
2023-10-17 15:00:01224 黄光的波长远离UV范围,因此不会引起光刻胶的意外曝光。黄光灯通常不含有紫外线,从而保护光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2023-10-09 14:34:491674 在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03996 不干胶背胶剥离强度试验仪 背胶剥离强度指的是产品背胶粘贴牢固的情况,背胶剥离强度太大或太小均不利于使用,应控制在适当的范围内,既不轻易掉下来,又能在揭离时很容易撕下来而不撕裂背面
2023-09-22 17:20:35
胶粘带剥离强度试验机 电子剥离试验机是一款用于测试不干胶、胶粘带、标签、双面胶等材料剥离性能的专业设备。它可以准确测量标签和粘合剂之间的粘合力,以确保标签在需要的时间内保持稳定,并为用户
2023-09-20 15:15:46
胶粘带剥离力测试仪 不干胶剥离力试验机可准确测量初始粘度力值大小,确保数据准确可靠。其产品符合FINAT和ASTM等国际标准,被广泛应用于研究中心、胶粘制品企业、质检中心等单位。是将测试
2023-09-20 15:08:54
180度剥离试验机 180度剥离试验机是一种专门用于测试胶粘剂、胶粘带、不干胶等相关产品剥离强度的设备。它对于产品研发、质量控制以及生产过程中的问题解决具有重要意义。180度剥离试验机
2023-09-20 14:55:45
近20年来,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻胶一直是EUV光刻的三大技术挑战。
2023-09-14 09:45:12562 EUV光刻胶材料是光敏物质,当受到EUV光子照射时会发生化学变化。这些材料在解决半导体制造中的各种挑战方面发挥着关键作用,包括提高灵敏度、控制分辨率、减少线边缘粗糙度(LER)、降低释气和提高热稳定性。
2023-09-11 11:58:42349 直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中,首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图,然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292 短波长透明光学元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波长,而晶片上所需的最小特征继续向更深的亚波长尺度收缩。这对用入射场代替掩模开口上的场的基尔霍夫边界条件造成了严重的限制,因为这种近似无法考虑光刻图像
2023-08-25 17:21:43279 半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现, 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 湖州国资消息,宁波微芯新材料科技有限公司的半导体材料生产基地项目总投资3.5亿元人民币,用地35亩,年产1000吨的电子级光刻胶原材料(光刻胶树脂、高等级单体等核心材料)基地建设。”全部达到,预计年产值可达到约5亿元。
2023-08-21 11:18:26942 在半导体制程中,移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种,引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如,光刻工艺中的光刻胶涂敷,其实也是在基底上形成各种薄膜;又如氧化工艺中晶圆(硅)氧化,也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢?
2023-08-17 15:33:27370 会上,经开区分别同4家企业就功率器件IC封测项目、超级功率电池及锂电池PACK产线项目、氢能产业集群项目、高性能电池项目进项现场签约。会议还举行了《2023势银光刻胶产业发展蓝皮书》发布仪式。
2023-08-16 15:30:38483 光刻是一种图像复制技术,是集成电路工艺中至关重要的一项工艺。简单地说,光刻类似照相复制方法,即将掩膜版上的图形精确地复制到涂在硅片表面的光刻胶或其他掩蔽膜上面,然后在光刻胶或其他掩蔽膜的保护下对硅片进行离子注入、刻蚀、金属蒸镀等。
2023-08-07 17:52:531480 EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02396 当谈到该创新工艺时,不可避免地要与传统的光刻工艺体系进行对比。光刻工艺体系是一种减法工艺:首先要在衬底表面沉积一层材料,例如铜;然后在材料层表面涂布一层光刻胶;接着将光刻胶图形化曝光并显影,形成有图案的光刻覆盖区域
2023-07-29 11:01:50835 光刻胶(光敏胶)进行光刻,将图形信息转移到基片上,从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上,通过掩膜版(也称为光刻掩膜)上的图形
2023-07-07 11:46:07
紫外光刻和曝光 是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中,光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅,然后投射到光刻胶层上,形成所需的微细图案。 长期以来
2023-07-05 10:11:241026 在半导体制程中,移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种,引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如,光刻工艺中的光刻胶涂敷,其实也是在基底上形成各种薄膜;又如氧化工艺中晶圆(硅)氧化,也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢?
2023-06-29 16:58:37404 在上一篇文章,我们介绍了光刻工艺,即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步,将在晶圆上进行刻蚀工艺,以去除不必要的材料,只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 JSR 是全球仅有的四家 EUV 光刻胶供应商之一,其产品是制造先进芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 ,PR)未覆盖的底部区域,仅留下所需的图案。这一工艺流程旨在将掩模(Mask)图案固定到涂有光刻胶的晶圆上(曝光→显影)并将光刻胶图案转印回光刻胶下方膜层。随着电路的关键尺寸(Critical
2023-06-26 09:20:10816 在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。
2023-06-25 15:32:114559 近日,湖南大学段辉高教授团队通过开发基于“光刻胶全干法转印”技术的新型光刻工艺,用于柔性及不规则(曲面、悬空)衬底上柔性电子器件的原位和高保形制造,为高精度、高可靠性和高稳定性柔性电子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:571177 来源:欣奕华材料 据欣奕华材料官微消息,近日,国内光刻胶龙头企业阜阳欣奕华材料科技有限公司(以下简称“阜阳欣奕华”)完成超5亿元人民币 D 轮融资。 据悉,本轮融资由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 光刻法是微电子工艺中的核心技术之一,常用于形成半导体设备上的微小图案。过程开始于在硅片上涂布光刻胶,随后对其进行预热。接着,选择一种光源(如深紫外光或X光)透过预先设计好的掩模图案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037 光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺,也可以用在后道工艺,前道光刻机用于芯片的制造,曝光工艺极其复杂,后道光刻机主要用于封装测试,实现高性能的先进封装,技术难度相对较小。
2023-06-09 10:49:205857 光刻工艺后,在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形,下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 光刻机需要采用全反射光学元件,掩模需要采用反射式结构。
这些需求带来的是EUV光刻和掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模的制造面临着许多挑战,包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。
2023-06-07 10:45:541008 通常,光刻是作为特性良好的模块的一部分执行的,其中包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩模和晶圆的对准、曝光、显影和适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征,以确保模块末端剩余的抗蚀剂是掩模的最佳图像,并具有所需的侧壁轮廓。
2023-06-02 16:30:25418 来源:每日经济新闻,记者:程雅 编辑:张海妮,谢谢 编辑:感知芯视界 5月24日晚,国产光刻胶大厂彤程新材发布公告称,于近日收到实控人Zhang Ning与Liu Dong Sheng的通知,二人
2023-05-29 09:33:44187 焊点剥离现象多出现在通孔波峰焊接工艺中,但也在SMT回流焊工艺中出现过。现象是焊点和焊盘之间出现断层而剥离。这类现象的主要原因是无铅合金的热膨胀系数和基板之间的差别很大,导致焊点固话时在剥离部分有太大的应力而使它们分开,一些焊料合金的非共晶性也是造成这种现象的原因之一。
2023-05-26 10:10:25586 感光速度:即光刻胶受光照射发生溶解速度改变所需的最小能量,感光速度越快,单位时间内芯片制造的产出越高,经济效益越好,另-方面,过快的感光速度会对引起工艺宽容度的减小,影响工艺制程的稳定性。
2023-05-25 09:46:09561 集成电路芯片持续朝着密度不断增加和器件尺寸不断微缩的方向发展,其中最为关键的一个参数就是栅极线条宽度。任何经过光刻后的光刻胶线条宽度或刻蚀后栅极线条宽度与设计尺寸的偏离都会直接影响最终器件的性能
2023-05-24 09:25:193491 光刻(Photolithography) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
2023-05-17 09:30:338513 改善之后的工艺与之前最大的区别在于使用光刻胶充当溅射的掩膜,在电镀之前将电路图形高精度的制备出来,不再进行湿法刻蚀,避免了侧腐蚀对线条精度和膜基结合力的影响,同时,基板只浸入丙酮中一次以去除光刻胶,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 在集成电路制造领域,如果说光刻机是推动制程技术进步的“引擎”,光刻胶就是这部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,显示面板材料或者印刷电路板。
2023-05-11 16:10:492775 扫描仪(scanner)是一种在wafer上创建die images的机器。它首先通过刻线(有时称为掩模)将光照射到涂有保护性光刻胶的wafer上,以刻上刻线图案的图像。
2023-05-06 09:51:385203 晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模,然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是,如果光刻胶太薄,它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小,底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689 现代工艺技术将晶圆厂设备要求推向极限,需要实现突破其物理极限的高分辨率,这正是计算光刻技术发挥作用的地方。计算光刻就是为芯片生产制作光掩模的技术,它结合来自ASML设备和测试晶圆的关键数据,是一个模拟生产过程的算法。
2023-04-26 10:05:29918 根据维基百科的定义,光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
2023-04-25 11:11:331243 清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-04-25 11:05:322260 光刻技术是将掩模中的几何形状的图案转移到覆盖在半导体晶片表面的薄层辐射敏感材料(称为抗蚀剂)上的过程
2023-04-25 09:55:131057 的光敏膜层。该光致抗蚀剂包括在暴露于紫外光之后硬化的光反应性化学物质层。这确保了从照相胶片到光刻胶的精确匹配。薄膜安装在将销钉固定在层压板上的适当位置的销钉上。 薄膜和纸板排成一行,并接收一束紫外线
2023-04-21 15:55:18
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
光刻胶层透过掩模被曝光在紫外线之下,变得可溶,掩模上印着预先设计好得电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成每一层电路图形。这个原理和老式胶片曝光类似。
2023-04-20 11:50:141523 新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战,imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121164 此前该公司指出,公司已建成年产5吨ArF干式光刻胶生产线、年产20吨ArF浸没式光刻胶生产线及年产45吨的光刻胶配套高纯试剂生产线,具备ArF光刻胶及配套关键组分材料的生产能力,目前公司送样验证的产品均由该自建产线产出。
2023-04-11 09:25:32920 光刻机是芯片智造的核心设备之一,也是当下尤为复杂的精密仪器之一。正因为此,荷兰光刻机智造商阿斯麦通研制的EUV光刻机才会“千金难求”。 很多人都对光刻机有所耳闻,但其实不同光刻机的用途并不
2023-04-06 08:56:49679 光刻是将设计好的电路图从掩膜版转印到晶圆表面的光刻胶上,通过曝光、显影将目标图形印刻到特定材料上的技术。光刻工艺包括三个核心流程:涂胶、对准和曝光以及光刻胶显影,整个过程涉及光刻机,涂胶显影机、量测设备以及清洗设备等多种核心设备,其中价值量最大且技术壁垒最高的部分就是光刻机。
2023-03-25 09:32:394952
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