行业背景 随着工业技术的不断发展，物联网作为新兴生产力正在改变许多行业的工作方式。在半导体芯片行业，自动蚀刻机的物联网应用正在助力企业达到监控设备更加便利、故障运维更加高效、数据分析更加精准等等
2024-03-20 17:52:39
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在英特尔简化的工艺流程中（见图 5），该工艺首先制造出鳍式场效应晶体管（finFET）或全栅极晶体管，然后蚀刻纳米硅片并填充钨或其他低电阻金属。
2024-02-28 11:45:25223 
等高精度检测。特别在生产工艺后段，品质管控的标准达到了新的高度。硅片在经历切割、清洗、烘干等工序后，将进行缺陷检测，然后直接包装出货。如何在高速产线上可靠识别、稳定
2024-02-23 08:23:46126 
根据已公开的研究报告，东京电子的新式蚀刻机具备在极低温环境下进行高速蚀刻的能力。据悉，该机器可在33分钟内完成10微米的蚀刻工作。此外，设备使用了新开发的激光气体，搭配氩气和氟化碳气体以提升工艺水平。
2024-02-18 15:00:22109 在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59:27547 
通常正片工艺是以碱性蚀刻工艺为基础的。底片上面，所需的路径或铜表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同样，在路线工艺曝光后，完全透明的部分被暴露在紫外线下的干膜阻滞剂的化学作用硬化，随后的显影过程将在下一工序中冲走无硬衬底的干膜
2024-01-17 15:33:35163 根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线
2024-01-12 23:14:23769 
智程半导体自2009年起致力于半导体湿法工艺设备研究、生产与销售事业，10余载研发历程，使得其已成为全球顶尖的半导体湿法设备供应商。业务范围包括清洗、去胶、湿法刻蚀、电镀、涂胶显影、金属剥离等多种设备，广泛应用于各种高尖端产品领域。
2024-01-12 14:55:23636 至纯科技旗下的至微科技是国内湿法设备市场主流供应商之一，在28纳米节点实现了全覆盖，全工艺机台亦均有订单。在更为尖端的制程中，至微科技已有部分工艺获得订单。
2024-01-12 09:29:45234 使用至光伏/半导体制造工艺的不同环节中，这可能会带来更多新材料成分的纳米颗粒潜在污染，亟需对硅片表面纳米颗粒进行尺寸和数量的表征。
2024-01-11 11:29:04348 
这次晨控智能与某光伏大厂合作，为光伏硅片生产带来透明化与可追溯性，确保光伏硅片的质量和追溯性。
2023-12-26 13:59:37161 光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
在微电子制造领域，光刻机和蚀刻机是两种不可或缺的重要设备。它们在制造半导体芯片、集成电路等微小器件的过程中发挥着关键作用。然而，尽管它们在功能上有所相似，但在技术原理、应用场景等方面却存在着明显的区别。本文将对光刻机和蚀刻机的差异进行深入探讨。
2023-12-16 11:00:09371 
技术提供了典型应用。蚀刻工艺对器件特性有着较大的影响，尤其是在精确控制蚀刻深度和较小化等离子体损伤的情况下影响较大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一，与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要，因为这种器件通常包括异质结构。因此，GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188 
刻蚀的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部分。
2023-12-11 10:24:18250 
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工艺要求排放出部分比重高的溶液经分析后补加氯化铵和氨的水溶液，使蚀刻液的比重调整到工艺充许的范围。
2023-12-06 15:01:46286 GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:22220 
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:241334 
的，等离子体刻蚀的缺点是容易产生离子诱导损伤，难以获得光滑的刻蚀侧壁。为了更好地控制表面粗糙度，英思特采用了一种称为数字蚀刻的技术来进行研究。
2023-12-01 17:02:39259 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
在半导体芯片等器件工艺中，后道制程中的金属连接是经过金属薄膜沉积，图形化和蚀刻工艺，最后在器件元件之间得到导电连接。
2023-11-29 09:15:31434 
产品详情 PTT-03A硅片厚度测试仪产品简介PTT-03A薄膜厚度测试仪是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布
2023-11-27 14:51:47
湿法刻蚀由于成本低、操作简单和一些特殊应用，所以它依旧普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 
蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外，该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品，例如表面活性剂和强氧化剂。
2023-11-08 09:46:21188 
一、太阳能电池硅片测厚仪概述太阳能电池硅片测厚仪是一种专门用于测量太阳能电池硅片厚度的设备。在太阳能电池的生产过程中，硅片厚度的准确测量对于提高电池效率和使用寿命具有重要意义。机械接触式太阳能电池
2023-10-27 16:19:11
Bumping工艺是一种先进的封装工艺，而Sputter是Bumping工艺的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影响Bumping的质量，所以必须控制好Sputter的膜厚及均匀性是非常关键。
2023-10-23 11:18:18475 
干法蚀刻（dry etch）工艺通常由四个基本状态构成：蚀刻前（before etch），部分蚀刻（partial etch），蚀刻到位（just etch），过度蚀刻（over etch），主要表征有蚀刻速率，选择比，关键尺寸，均匀性，终点探测。
2023-10-18 09:53:19788 
蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
51单片机如何用按键控制数码管要求一个按键按下去加一，一个减一
2023-09-27 08:17:29
铜的电阻率取决于其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配，这在较小的尺度上变得更加重要。传统上，铜(Cu)线的形成是通过使用沟槽蚀刻工艺在低k二氧化硅中蚀刻沟槽图案，然后通过镶嵌流用Cu填充沟槽来完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。
2023-09-06 09:36:57811 
湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。
2023-08-30 10:09:041705 
湿法刻蚀由于精度较差，只适用于很粗糙的制程，但它还是有优点的，比如价格便宜，适合批量处理，酸槽里可以一次浸泡25张硅片，所以有些高校和实验室，还在用湿法做器件，芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷（defect），腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586 
各向异性刻蚀是一种减材微加工技术，旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而，概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01407 我们华林科纳通过光学反射光谱半实时地原位监测用有机碱性溶液的湿法蚀刻，以实现用于线波导的氢化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性结构产生的各向同性蚀刻导致表面
2023-08-22 16:06:56239 
来源：《半导体芯科技》杂志 绿色目标。黄色解决方案。 凭借二十年在批量喷涂及其硬件方面的经验，Siconnex已成长为可持续湿法工艺设备的领先供应商。可持续发展和环境健康是我们的基因
2023-08-18 17:56:34320 
PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 这篇文章简要介绍CEA-Leti发布用于Chiplet 3D系统的硅光Interposer工艺架构，包括硅光前端工艺 (FEOL)、TSV middle工艺、后端工艺 (BEOL) 和背面工艺。
2023-08-02 10:59:512631 
随着晶体管尺寸的不断微缩，晶圆制造工艺日益复杂，对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。
2023-07-28 15:16:594140 硅片，英文名字为Wafer，也叫晶圆，是高纯度结晶硅的薄片。
2023-07-18 15:44:513716 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03190 
国内半导体产业的行业盛会将在上海如期举行，华林科纳将为您带来超全面且领先的湿法解决方案，并携泛半导体湿法装备服务平台亮相SEMICON China，与上下游企业进行一对一交流，为企业发展瓶颈找到
2023-07-04 17:01:30251 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
在上一篇文章，我们介绍了光刻工艺，即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步，将在晶圆上进行刻蚀工艺，以去除不必要的材料，只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58843 
都使用Cl基蚀刻化学物质。当在等离子体放电中分解时，CCl为还原物质提供了来源，并用于去除表面氧化物和Cl，与下面的Al反应。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。
2023-06-26 13:32:441053 
Dimension, CD)小型化(2D视角)，刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀，因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法，刻蚀工艺的核心性能指数出现波动，从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
2023-06-26 09:20:10816 
绘误差、图形转移误差，对工程底片进行工艺补偿，以达到线宽/线厚的要求。华秋拥有高精度LDI曝光机及宇宙水平线，线宽公差可控制±15%以内（行业普标为±20%），最小线宽线距2.5/3.0 mil，蚀刻
2023-06-25 10:25:55
绘误差、图形转移误差，对工程底片进行工艺补偿，以达到线宽/线厚的要求。华秋拥有高精度LDI曝光机及宇宙水平线，线宽公差可控制±15%以内（行业普标为±20%），最小线宽线距2.5/3.0 mil，蚀刻
2023-06-25 09:57:07
3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程
2023-06-21 10:09:13197 
太阳能硅片又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。
硅片就是大块儿硅切割成片子太阳能电池片，一般主流的就是硅片做成晶硅太阳能电池片，一般有N型硅片P型硅片。太阳能硅片中的N型和P型有以下区别：
2023-06-20 16:59:448127 离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526 
光刻机可分为前道光刻机和后道光刻机。光刻机既可以用在前道工艺，也可以用在后道工艺，前道光刻机用于芯片的制造，曝光工艺极其复杂，后道光刻机主要用于封装测试，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。
2023-06-09 10:49:205857 
光刻工艺后，在硅片或晶圆上形成了光刻胶的图形，下一步就是刻蚀。
2023-06-08 10:52:353320 
直接镀铜陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工艺加工基础上发展起来的陶瓷电路加工工艺。以氮化铝/氧化铝陶瓷作为线路的基板，采用溅镀工艺于基板表面复合金属层，并以电镀和光刻工艺形成电路。
2023-05-31 10:32:021587 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121131 
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有显著影响。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微电子机械系统（MEMS）是将机械元件和电子电路集成在一个共同的基板上，通过使用微量制造技术来实现尺寸从小于一微米到几微米的高性能器件。由于现有的表面加工技术，目前大多数的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻 图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金
2023-05-18 16:23:484918 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏产业链中，硅晶片的制造是最基本的步骤。金刚石切片是主要的硅片切片技术，采用高速线性摩擦将硅切割成薄片。在硅片切片过程中，由于金刚石线和硅片的反复摩擦，硅片表面发生了大量的脆性损伤和塑性损伤。
2023-05-15 10:49:38489 
硅片切割作为硅片加工工艺过程中最关键的工艺点， 其加工质量直接影响整个生产全局及后续电池片工艺制备。 图1-硅片切割示意图 图2-硅片样品图 目前各类硅片平均厚度为 75μm~140
2023-05-11 18:58:02864 
KRi 射频离子源应用于车载摄像头镜片镀膜工艺, 实现车载镜头减反, 塑胶镜片增透车载镜头的镀膜非常重要, 镀膜的核心用途就是增加透光率. 先进的镀膜技术可以最大限度地减少反光, 通过减少光在折射
2023-05-11 13:36:08
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20:06979 其实不同颜色的PCB，它们的制造的材料、制造工序都是一样的，包括敷铜层的位置也是一样的，经过蚀刻工艺后就在PCB上留下了最终的布线，例如下图这块刚经过蚀刻工艺的PCB，敷铜走线就是原本的铜色，而PCB基板略显微黄色。
2023-05-09 10:02:431699 
一、传统工艺品制作焕发生机，3D扫描技术带来生产工艺革新 传统工艺美术是老百姓在日常生活和劳作中的精神提炼与艺术创作的具体体现。而雕刻便是传统工艺美术的具体表现之一。传统的雕刻工艺包括木雕、浮雕
2023-04-25 13:04:47375 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半导体湿法工艺中，后道清洗因使用有机药液而与前道有着明显区别。本文主要将以湿法清洗后道工艺几种常用药液及设备进行对比研究，论述不同药液与机台的清洗原理，清洗特点与清洗局限性。【关键词
2023-04-20 11:45:00823 
半导体工艺 1.CMOS晶体管是在硅片上制造的 2.平版印刷的过程类似于印刷机 3.每一步，不同的材料被存放或蚀刻 4.通过查看顶部和顶部最容易理解文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁简化制造中的晶圆截面的过程 逆变器截面 要求pMOS晶体管的机身 逆变器掩模组 晶体管
2023-04-20 11:16:00247 
反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半导体行业的许多工艺步骤都会排放有害废气。对于使用非常活泼的气体的化学气相沉积或干法蚀刻，所谓的靠近源头的废气使用点处理是常见的做法。相比之下，对于湿法化学工艺，使用中央湿式洗涤器处理废气是一种公认
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的变化，这种布局完全不同于90nm节点。从45nm节点后，双重图形化技术已经应用在栅图形化工艺中。随着技术节点的继续缩小，MOSFET栅极关键尺寸CD继续缩小遇到了困难，IC设计人员开始减少栅极之间的间距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是电子产品的核心。在电子半导体器件制造中，单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能，也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。因此，对硅片承载区域氧气含量
2023-03-29 11:48:39453 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886
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