用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比，应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物，并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。 当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间而降低。 这种变化已经建模。 这些模型可以延长时间，补充化学物质，或者两者兼而有之。

硅蚀刻

硅的各向同性湿蚀刻最常用的化学方法是硝酸和氢氟酸的结合。 它通常被称为海航体系(HF:硝酸:乙酸)与醋酸添加作为湿工作台应用的缓冲。 硝酸作为氧化剂将表面转化为二氧化硅，然后HF腐蚀(溶解)氧化物。 其反应过程如下所示

实验

实验是在SSEC 3300系列单片自旋处理器系统上进行的。 所采用的化学方法是氢氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。 化学再循环采用SSEC的收集环技术。 在蚀刻过程中有许多工艺参数可以改变，从以前的工作中选择了一个优化的工艺来进行这项研究。

图1:恒定蚀刻时间下的硅蚀刻深度。

模型

　　审核编辑：汤梓红