次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中，用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转，一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中，逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年来，由于高压喷气和极低
2021-12-23 16:43:04
1104 
本文讨论并演示了痕量污染物分析仪的功能。该分析工具利用电喷雾飞行时间质谱仪对晶圆清洗溶液进行全自动在线监测。该分析仪通过其在正负模式下提供强(元素)和弱(分子)电离的能力，提供了关于金属、阴离子
2022-03-08 14:06:581412 
在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染物，例如使用批量浸渍工具进行湿法清洁批量旋转
2022-03-16 11:54:09948 
摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而，粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到最大的粒子沉积:本文将讨论粒子沉积的机理酸性溶液的浓度，并随着溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。还研究了各种溶液
2022-06-01 14:57:576891 
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
在当今的器件中，最小结构的尺寸接近于需要从晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破坏脆弱设备的情况下，在工艺步骤之间去除纳米颗粒的清洗过程的重要性正在不断增长。兆波清洗可用于单晶片或批量晶片处理。
2023-05-02 16:32:11865 
晶片边缘的蚀刻机台，特别是能有效地蚀刻去除晶片边缘剑山的一种蚀刻机，在动态随机存取存储单元(dynamic random access memory，DRAM)的制造过程中，为了提高产率，便采用
2018-03-16 11:53:10
苏州晶淼专业生产半导体、光伏、LED等行业清洗腐蚀设备，可根据要求定制湿法腐蚀设备。晶淼半导体为国内专业微电子、半导体行业腐蚀清洗设备供应商，欢迎来电咨询。电话：***，13771786452王经理
2016-09-05 14:26:32
`华林科纳湿法设备分类全自动设备：全自动RCA清洗机全自动硅片刻蚀机全自动片盒清洗机全自动石英管清洗机半自动设备：半自动RCA清洗机半自动硅片刻蚀机半自动石英管清洗机半自动有机清洗机`
2021-02-07 10:14:51
过程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大颗粒，并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Ａｌ 被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
工作，正交编码器作为位置反馈。控制转速可以从STMCWB中正常工作。 但是当请求更多2500转/分钟时，速度监控图表中要求的速度会上升，但电机的卷轴旋转大约保持2500转/分钟。这是软件的限制吗？我们要调整
2019-05-13 14:59:39
。它适用于大批量PCBA清洗，采用安全自动化的清洗设备置于电装产线，通过不同的腔体在线完成化学清洗（或者水基清洗）、水基漂洗、烘干全部工序。 清洗过程中，PCBA通过清洗机的传送带在不同的溶剂清洗腔体
2021-02-05 15:27:50
氧化物）中的高质量电介质。此外，在加工过程中，热生长的氧化物可用作注入、扩散和蚀刻掩模。硅作为微电子材料的优势可归因于这种高质量原生氧化物的存在以及由此产生的接近理想的硅/氧化物界面。湿法蚀刻包括
2021-07-06 09:32:40
。。全自动自清洗过滤器控制系统中的各参数均可调节。3）设有电机过载保护，可有效保护电机。4）具有在清洗排污时不间断供水、无需旁路的特点，且清洗时间短，排污耗水量少，不超过总流量的 1%。5）维修性强、安装拆卸简便易行。6）与用户管线的连接方式为法兰连接，法兰采用国标法兰，通用性强。
2021-09-13 06:57:56
、功率放大器、数码摄像机。实验过程：旋转软体机器人的实验研究：在旋转软件机器人的转速测量实验中，功率放大器将信号发生器发出的激励信号进行放大，然后激励信号施加在机器人上。为了测量机器人的旋转角度，在
2021-04-09 10:02:13
、功率放大器、数码摄像机。实验过程：旋转软体机器人的实验研究：在旋转软件机器人的转速测量实验中，功率放大器将信号发生器发出的激励信号进行放大，然后激励信号施加在机器人上。为了测量机器人的旋转角度，在
2021-04-14 09:56:50
苏州晶淼专业生产半导体、光伏、LED等行业清洗腐蚀设备，可根据要求定制湿法腐蚀设备。晶淼半导体为国内专业微电子、半导体行业腐蚀清洗设备供应商，欢迎来电咨询。电话：***，13771786452王经理
2016-09-05 10:40:27
清洗设备,太阳能电池制绒酸洗设备,硅晶圆片清洗甩干机湿法清洗机,硅片清洗机,硅刻蚀机、通风橱、边缘腐蚀机、石英管清洗机,钟罩清洗机、晶圆清洗机、硅片显影机、腐蚀台、LED晶片清洗机、硅料切片后清洗设备
2011-04-13 13:23:10
中央空调清洗过程 中央空调清洗一般包括冷冻水、冷却系统清洗除垢、水处理、溴化锂机组内腔清洗处理、更换新溶液、旧溶液再生、中央空调风机盘管清洗。结垢物和堵塞物坚硬较难清洗，列管堵塞严重，甚至超过管束
2010-12-21 16:22:40
什么是编码器？如何去测量旋转量和旋转速度？检测旋转和角度的机制是什么？
2021-09-08 07:53:47
电动机旋转速度是如何控制的？
2021-01-28 07:06:02
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质，但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出，如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤，如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子？
2021-06-08 16:45:05
`请问电机的旋转速度为什么能够自由地改变？`
2019-12-13 16:59:53
电机的旋转速度为什么能够自由地改变？ *1: r/min 电机旋转速度单位：每分钟旋转次数，也可表示为rpm. 例如：2极电机 50Hz 3000 [r/min] 4极电机 50Hz 1500
2016-01-29 10:01:07
一：直通式反冲洗过滤器简介 直通式反冲洗排污过滤器是一种集通用的过滤功能和在系统运行不停机的前提下对滤筒进行清洗并排污的多功能使用产品，它设计了全新的结构形式，在滤筒的前段设置阀板，通过
2021-06-30 08:06:52
其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备，例如硅片湿法清洗、蚀刻，硅芯硅棒湿法化学处理，液晶基板清洗，LED基片显影脱膜等
2015-04-02 17:23:36
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一个问题，自己没办法解决，所以想请教下。一个刚从氮气包装袋拿出来的晶圆片经过去离子水洗过后，在强光照射下或者显微镜下观察，片子表面出现一些颗粒残留，无论怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
hi,调试电机时，闭环以9000rpm旋转，不能按要求转速旋转。改变速度环 pi 会引起调整动作，但速度仍会增加。我可以知道要调整哪个参数吗？
2023-05-19 09:29:43
KMI 15/16 传感器模块系列为汽车电子和工业控制领域提供了结构简单、性能优良、价格低廉的旋转速度测量的方案。本文详细介绍磁敏电阻元件的结构和原理、KMI 模块的原理和结构、
2009-07-13 09:51:48
53 旋转速度估计是高速旋转目标成像的基础，论文提出一种新的旋转速度估计方法，该算法基于旋转目标在距离时间域所具有的特性，在利用傅里叶变换粗略估计旋转速度的基础上，
2009-11-09 14:59:478 叙述了凝汽器铜管化学清洗的优点和在清洗过程中必须注意的几个问题，并且用实例进一步说明化学清洗还能够有效防止凝汽器铜管的腐蚀。
2010-02-03 11:43:558 早在2018年7月，普渡大学的研究人员就创造了世界上旋转速度最快的物体，该物体以每分钟600亿转的速度旋转。
2020-01-17 16:56:193705 电机旋转速度单位：r/min每分钟旋转次数，也可表示为rpm。例如：2极电机50Hz3000[r/min] 4极电机50Hz1500[r/min] 结论：电机的旋转速度同频率成比例
2020-12-14 23:47:16916 本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说，本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶硅晶片的表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:211999 电机旋转速度单位：r/min每分钟旋转次数，也可表示为rpm。例如：2极电机50Hz3000[r/min] 4极电机50Hz1500[r/min] 结论：电机的旋转速度同频率成比例
2021-01-21 07:50:442 】 湿法清洗 有机药液 槽式 单片式 滚筒式在集成电路生产过程中，WET 湿法工艺主要是指使用超纯水及超纯酸碱 , 有机等化学药液 , 完成对晶圆的清洗刻蚀及光刻胶剥离等工艺 [1]。伴随着集成电路设计线宽越来越窄，使得集成电路高
2023-04-20 11:45:00823 
旋转磁场的转速在电动机实际运行过程中只与磁极对数有关，我国规定标准电源频率为f=50周/秒，所以磁极对数多，旋转磁场的转数成就低。一般情况下，由于转差率的存在，电机实际转速略低于旋转磁场的转速，旋转磁场的转速n=3000。
2021-10-09 11:25:0618987 单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英
2021-12-20 15:40:31776 
在化学机械抛光原位清洗模块中，而不是在后原位湿法清洗过程中。因此，化学机械抛光后的原位清洗优化和清洗效率的提高在化学机械抛光后的缺陷控制中起着举足轻重的作用。化学机械抛光原位清洁模块通常由兆频超声波和刷式洗涤器工
2022-01-11 16:31:39442 
它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。 本文重点研究了纳米颗粒刷洗涤器清洗过程中的颗粒去除机理并研究了从氮化物基质中去除平均尺寸为34nm的透明二氧化硅颗粒的方法。在洗涤器清洗后，检查晶片上颗粒径向表面浓度
2022-01-18 15:55:30449 
和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。 介绍 半导体是一种固体物质，其导电性介于绝缘体和导体之间。 半导体材料的定义性质是，它可以掺杂杂质，以可控的方式改变其电子性质。
2022-01-18 16:08:131000 
这些气泡的湿法蚀刻工艺，并得出最佳湿法蚀刻。 如图1所示，bath内一次性加入晶片少则25片，多则50片,因为有这么多的晶片，所以晶片和晶片之间的间隙很小（6.35 mm），所以晶片和晶片之间的流体会沿着晶片进行固体旋转，这使得蚀
2022-01-19 17:11:32340 
关键词:铜化学机械抛光后清洗，聚乙烯醇刷，非接触模式，流体动力阻力。 介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗
2022-01-26 16:40:36405 
本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间
2022-02-11 14:44:271442 
研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明，碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中，颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒，然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。
2022-02-17 16:24:272167 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻
2022-02-22 13:47:511696 
次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中，用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转，一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中，逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年来，由于高压喷气
2022-02-22 16:01:08904 
清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。 介绍 半导体是一种固体物质，其导电性介于绝缘体和导体之间。半导体材料的定义性质是，它可以掺杂
2022-02-23 17:44:201426 摘要 该公司提供了一种用于清洗半导体晶片的方法和设备 100，该方法和方法包括通过从装载端口 110 中的盒中取出两个或多个晶片来填充化学溶液的第一罐将晶片放入。将晶片放入装满液体的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
考虑由于流体层上的非均匀速度而导致的径向分散现象。文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁 介绍 更好地了解硅晶片制造中的湿法工艺对于提高清洁效率以及优化水分配和工艺时间非常重要。在这里，我们专注于冲洗过程，执行
2022-03-01 14:38:07330 
泵（非脉动流）中，晶圆清洗过程中添加到晶圆上的颗粒数量远少于两个隔膜泵（脉动流）。 介绍 粒子产生的来源大致可分为四类：环境、人员、材料和设备/工艺。晶圆表面污染的比例因工艺类型和生产线级别而异。在无尘室中，颗粒污
2022-03-02 13:56:46521 
性，单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。 因此，在我们之前的研究中开发了使用单晶片湿法蚀刻机进行二氧化硅膜蚀刻的数值计算模型。首先，通过水流可视化获得旋转晶片上的整个水运动，并进行评估
2022-03-02 13:58:36750 
摘要 本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术，其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中，然后干燥；另一种
2022-03-04 15:03:502588 
研究了兆声波对300 mm直径硅片湿法清洗槽中水和气泡运动的影响。使用水溶性蓝色墨水的示踪剂观察整个浴中的水运动。兆声波加速了整个浴槽中的水运动，尽管没有兆声波时的水运动趋向于局部化。兆声波产生的小气泡的运动也被追踪到整个晶片表面。兆声波和水流增加了气泡的传输速率。
2022-03-07 15:28:57457 
特别适合于重金属监测。该方法用于监测BHF中的铜污染，通过测量其对表面重组的影响，并通过其对整体重组的影响，快速热退火步骤用于驱动在清洗过程中沉积在表面的铁。铁表面污染测量到1X109cm-2水平
2022-03-09 14:38:22714 
在半导体器件的制造过程中，兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面
2022-03-15 11:28:22460 
残留物由不同量的聚乙二醇或矿物油(切削液)、铁和铜的氧化物、碳化硅和研磨硅，这些残留物可以通过锯切过程中产生的摩擦热烧到晶片表面，为了去除这些残留物，需要选择正确的化学物质来补充所使用的设备。 在晶片清洗并给予
2022-03-15 16:25:37320 
为了确保高器件产量，在半导体制造过程中，必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗涤器是用于实现这种控制的工具之一，尤其是在化学机械平面化工艺之后。尽管自20世纪90年代初以来，刷子刷洗就已在生产中使用，但刷洗过程中的颗粒去除机制仍处于激烈的讨论之中。这项研究主要集中在分析擦洗过程中作用在颗粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432 
随着LSI的精细化，晶片的清洗技术越来越重要。晶片清洗技术的一个重要特性是如何在整个过程中去除刨花板或重金属，以及在这个清洗过程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的发生。作为晶片的清洗技术，目前也在使用水槽式清洗，用于清洗的药品从钟来看，RCA清洗是主流。
2022-03-18 14:11:12348 
本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法，主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的，没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比，半导体公司的效率相对较低，但本研究可以提出在室温
2022-03-21 15:33:52373 
在半导体制造过程中的每个过程之前和之后执行的清洁过程是最重要的过程之一，约占总过程的30%，基于RCA清洗的湿式清洗工艺对于有效地冲洗清洗化学物质以使它们不会在学位处理后残留在晶片表面上，以及诸如
2022-03-22 13:30:211161 VLSI制造过程中，晶圆清洗球定义的重要性日益突出。这是当晶片表面存在的金属、粒子等污染物对设备的性能和产量(yield)产生深远影响时的门。在典型的半导体制造工艺中，清洁工艺在工艺前后反复进行
2022-03-22 14:13:163579 
在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。
2022-04-01 14:25:332948 
本文考虑了范德华相互作用的2个数量级范围，以考虑了实际粒子的形状和材料，将这些相互作用与静电电荷、阻力、表面张力、冲击波、高加速度和气溶胶粒子所产生的排斥力进行相互比较，可以预测不同清洗过程的内在
2022-04-11 16:48:42520 
，重要的是有效地冲洗，防止清洁化学液在道工序后在晶片表面残留，以及防止水斑点等污染物再次污染。因此，最近在湿清洗过程中，正在努力减少化学液和超纯水的量，回收利用，开发新的清洗过程，在干燥过程中，使用超纯水和IPA分离层的
2022-04-13 16:47:471239 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明，表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
清洁组的步骤、旋转上述沉积的半导体晶片的凸缘区域，在规定的时间内清洗上述旋转的半导体晶片、将上述清洁的半导体晶片浸入上述清洁组之外的步骤。
2022-04-14 15:13:57604 的机械旋转运动和供给的药液流动，附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中，观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。 阐明机制， 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-15 10:53:51516 
在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻
2022-04-21 12:27:43589 
介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而，许多研究人员指责
2022-04-27 16:56:281310 
本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定
2022-05-10 15:58:32504 
VGT-1409FH热式加速度传感器超声波清洗机清洗过程由PLC控制，由不锈钢材质制作的超声波清洗槽、超声波漂洗槽、慢拉槽等组成一条连续工作的装置。
2022-06-01 16:30:053 引言 描述了溢流晶片清洗工艺中的流场。该信息被用于一项倡议，其主要目的是减少晶片清洗中的用水量。使用有限元数值技术计算速度场。大部分的水无助于晶片清洗。 介绍 清洗步骤占工厂中使用的ulaa纯水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。
2022-06-07 15:51:37291 
引言 小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”，将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程，其降低水和能源使用的优化需要更好地理
2022-06-08 17:28:50865 
应用。该化学品提供了在单晶片工具应用的清洗过程中原位控制锡拉回或者甚至完全去除锡掩模的途径。这些化学品不含NH4OH或TMAH，因此非常方便用户使用。
2022-06-14 10:06:242210 
，和(2)在热清洗后必须完全去除表面氧化层，和(3)必须提供光滑的表面。清洗过程采用旋转超声波雾化技术。首先，通过有机溶剂去除杂质；第二次NH4OH∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶10的溶液和HCl∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶20的溶液连续蚀刻非常薄的GaAs层，该步骤的目标是去除金属
2022-06-16 17:24:02793 
用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感，但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造，湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要，这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关，因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。
2022-07-07 16:24:231578 
的实验和理论分析来建立晶片表面清洁技术。本文解释了金属和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理，并提出了一些清洗方法。 介绍 LSI(大规模集成电路)集成密度的增加对硅片质量提出了更高的要求。更高质量的晶片意味着晶体精度、成形质量和
2022-07-11 15:55:451025 
湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制，使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代，但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。
2022-11-11 09:34:187250 为了快速，准确地控制这些设备，必须检测设备的运动状态。因此，使用称为编码器的传感器来检测旋转角度，移动距离和旋转/移动速度。
2022-11-16 11:47:095290 
感应式交流电机（以后简称为电机）的旋转速度近似地取决于电机的极数和频率。由电机的工作原理决定电机的极数是固定不变的。
2023-03-14 10:19:50486 清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在半导体和太阳能电池制造过程中，清洗晶圆的技术的提升是为了制造高质量产品。目前已经有多种湿法清洗晶圆的技术，如离子水清洗、超声波清洗、低压等离子和机械方法。由于湿法工艺一般需要使用含有有害化学物质的酸和碱溶液，会产生大量废水，因此存在废物处理成本和环境监管等问题。
2023-06-02 13:33:211021 
现在很多人在反应焊接过程出现很多焊渣，然而又不好清洗，不知道是不是产品本身的问题，助焊剂（膏）在焊接过程中一般并不能完全挥发，均会有残留物留于板上。对于该残留物是否需要清洗区除，需要根据所选助焊剂
2022-01-07 15:18:121181 
介绍了水泥磨的球磨机滑履冷却水循环系统的清洗，以及结垢原因的分析，对比了传统清洗工艺与福世蓝清洗工艺为何选用福世蓝清洗工艺，并图文描述其清洗过程。
2022-06-06 18:12:22385 
WaferCleaner晶圆清洗机晶圆清洗是芯片生产过程中最繁琐的工序，其作用主要是去除晶圆表面包括细微颗粒、有机残留物和氧化层等在内的沾污。在芯片生产过程中，晶圆表面的沾污会严重影响到最终的芯片
2022-09-30 09:40:51620 
在以往电子工业的整个生产过程中，传统的焊接工艺往往存在残留量大、腐蚀性大、外观差等缺点。焊接后，需要用洗板水清洗。在清洗过程中，由于细间隙和高密度元器件的组装，会造成清洗困难，即增加清洗成本，浪费
2022-10-18 15:54:02955 
本文中所指的电机为感应式交流电机。感应电动机又称“异步电动机（asynchronousmotor）”，即转子置于旋转磁场中，在旋转磁场的作用下，获得一个转动力矩，因而转子转动。r/min电机旋转速度
2024-02-02 16:47:53121 
超声波清洗四大件：清洗机、发生器、换能器、清洗槽在超声波清洗过程中发挥着至关重要的作用。它们共同协作，将电能转换为超声波能，并通过清洗液的作用，实现对物品的高效、环保清洗。
2024-03-06 10:21:2874 
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