摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而，粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到最大的粒子沉积:本文将讨论粒子沉积的机理酸性溶液的浓度，并随着溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。还研究了各种溶液
2022-06-01 14:57:57
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本发明一般涉及清洗和蚀刻硅表面的方法，以及更具体地涉及使用NF在低温下预清洗晶片，在使用硅晶片制造半导体器件的过程中，在硅晶片的硅表面上可能会形成污染物和杂质，如外延硅沉积或氧化物层生长，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
过程可以节省钨硅化物沉积之前，去除多晶硅层上的表面氧化层过程和表面清洗步骤，这些步骤都是传统的高温炉多晶硅沉积和CVD钨硅化物工艺所必需的。使用多晶硅-钨硅化物整合系统可以使产量明显增加。如下图所示
2022-09-30 11:53:001235 外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造，如集成电路工业的外延硅片。MOS 晶体管
2023-02-13 14:35:4710443 一、典型的PCBA清洗工艺 溶剂清晰：ODS类、碳氢类、醇类、酮类、含氟溶剂、共沸共溶等混合剂。 溶剂特效有易燃、易爆、破环环境、对人体有危害。 半水基清洗：邮寄溶剂+水漂洗 多数
2021-02-05 15:37:50
内，清洗液必须与元器件、PCB表面、金属镀层、铝镀层、标签、字迹等材料兼容，特殊部件需考虑能否经受清洗。 清洗工艺流程为：入板→化学预洗→化学清洗→化学隔离→预漂洗→漂洗→喷淋→风切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
，作为清洗剂应尽量选用防火安全性好的、闪点比较高的清洗剂。其清洗工艺特点是： 1） 对油脂类污物清洗能力很强，洗净能力持久性强，且表面张力低，对细缝、细孔部分清洗效果好； 2） 对金属不腐蚀； 3
2018-09-14 16:39:40
安全性好的、闪点比较高的清洗剂。其清洗工艺特点是： （1） 对油脂类污物清洗能力很强，洗净能力持久性强，且表面张力低，对细缝、细孔部分清洗效果好； （2） 对金属不腐蚀； （3） 可蒸馏回收，反复
2018-09-13 15:47:25
PCB电路板清洗效果检测是PCB生产加工及电路板改板设计等各制板环节中都有涉及，关于PCB电路板清洗效果检测的方法及评估标准，电子加工厂及电路板工程师都应该遵循一定的标准。以下是PCB电路板清洗
2018-09-10 16:37:29
Verilog设计内外延时
2012-08-15 16:31:14
大家好！ 我从事SMT清洗工艺已有多年，自己整理了一些好
2010-02-01 15:56:39
焊锡（RMA），可免洗。 2） 水溶型焊剂：焊后用水清洗。 3） 低固态含量助焊剂：免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造本钱和污染少的长处。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏
2012-07-23 20:41:56
工业清洗应用相当成熟的技术，一种基于荧光强度测量原理，能够快速监测产品清洗质量，并可监控清洗过程的槽液污染度。相信它会为您的产品质量、工艺研发带来新的突破!会议时间：7月6日 15:30-16:306月15日前报名免费!诚邀参与!`
2017-06-12 11:13:04
：LED芯片的制造工艺流程 LED芯片的制造工艺流程图外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形
2015-03-11 17:08:06
铜前准备、电镀铜。而电镀铜的好坏，又在很大程度上取决于电镀铜前准备。因此，业内人士往往会把关于 PCB 可靠性的问题，聚焦到电镀铜前准备的部分。目前行业主流的电镀铜前准备工艺，主要有三种：沉铜、黑孔
2022-06-10 15:57:31
铜前准备、电镀铜。而电镀铜的好坏，又在很大程度上取决于电镀铜前准备。因此，业内人士往往会把关于 PCB 可靠性的问题，聚焦到电镀铜前准备的部分。目前行业主流的电镀铜前准备工艺，主要有三种：沉铜、黑孔
2022-06-10 15:55:39
设备；硅片腐蚀台;湿台;全自动RCA清洗设备;外延钟罩清洗机（专利技术）；硅片电镀台；硅片清洗机；石英管清洗机；LED清洗腐蚀设备等。光伏太阳能：全自动多晶硅块料腐蚀设备；多晶硅硅芯硅棒腐蚀清洗
2011-04-13 13:23:10
大家好！ 附件是半导体引线键合清洗工艺方案，请参考，谢谢！有问题联系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
的有氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备等。以上是今日Enroo关于晶圆制造工艺及半导体设备的相关分享。
2018-10-15 15:11:22
。 中央空调清洗方法第三步：再经过特殊擦净布擦干，检查完好无损，把过滤网安装到机体后，视运行是否正常。若正常可以签单验收，清洗工作结束。家用中央空调清洗有利提高制冷效率;有利提高制冷效果，有利延长家用空调机设备的寿命，有利提高节能效果，有利用户身体健康，效果比“健康空调机”更健康、更理想。
2010-12-21 16:22:40
铜前准备、电镀铜。而电镀铜的好坏，又在很大程度上取决于电镀铜前准备。因此，业内人士往往会把关于 PCB 可靠性的问题，聚焦到电镀铜前准备的部分。目前行业主流的电镀铜前准备工艺，主要有三种：沉铜、黑孔
2022-06-10 15:53:05
工资5000-7000/月五险一金、年终奖金、专业培训、定期体检a)岗位职责：1、负责MEMS传感器研发2、熟悉主要的MEMS前道工艺并进行针对性的MEMS工艺设计工作3、关于MEMS研发项目立项
2016-08-15 11:03:52
属于有机溶剂，属于可燃性溶剂，闪点比较高，毒性比较低，使用上比较安全，但是须用水进行漂洗，然后进行烘干。有些清洗剂中添加5%~20%的水和少量表面活性剂，既降低了可燃性，又可使漂洗更为轻易。半水清洗工艺
2018-09-13 15:50:54
主要介绍了等离子清洗的原理、等离子清洗的特点和优势以及等离子清洗在生产中的实际应用效果。【关键词】：等离子;;清洗;;应用【DOI】：CNKI:SUN:JDYG.0.2010-01-006【正文快照
2010-06-02 10:07:40
;nbsp;有机清洗液、复合剂、氟溶剂、轻油、乙醇系列；碱性、中性清洗液 应用例举如下： 1）.电镀前处理 电镀工艺，对工件表面清洁度要求较高，而超声波清洗
2009-06-18 08:55:02
（1）锡膏印刷 对于THR工艺，网板印刷是将焊膏沉积于PCB的首选方法。网板厚度是关键的参数，因为PCB上的锡膏 层是网板开孔面积和厚度的函数。这将在本章的网板设计部分详细讨论。使用钢质刮刀以
2018-11-22 11:01:02
半导体设备用治具的清洗炉（Vacuum Bake Cleaner）●该设备用于去除附着在 MOCVD 托盘和零部件上的沉积物（GaN、AlN 等）。采用洁净气体的干式清洗法，因此不需要湿法后道处
2022-01-14 14:21:00
集成电路工艺专题实验 Topic Experiments of Integrate Circuit Techniques
实验一 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积………………………………………………………3实验二 硅单晶外延层的质
2009-03-06 14:06:56
5 引出并阐述了．x-,lk超纯净清洗技术的概念、内涵、要素及特点。介绍了对无氟电冰箱进行超纯净清洗的工艺方法、效果及工程设计技术要点。
2009-06-29 13:34:0126 本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。关键字：干刻清
2009-12-14 11:06:1016 硅单晶(或多晶)薄膜的沉积
硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 衬底上沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型
2009-03-09 13:23:416888 启用PowerFill外延硅工艺的电源设备
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精
2010-01-23 08:35:54539 PCB电路板清洗效果检测方法及评估标准
PCB电路板清洗效果检测是PCB生产加工及电路板改板设计等各制板环节中都有涉及，关于PCB电路板清洗效果检测的方法及评
2010-01-23 11:24:472774 采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精
2010-01-25 09:17:05525 ASM启用新的PowerFill外延技术的电源设备
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 半导体清洗工艺全集 晶圆清洗是半导体制造典型工序中最常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所
2011-12-15 16:11:44186 LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
2016-08-05 17:45:2117422 
，材料性能优良，因而引起材料界的高度重视。 一、 喷射沉积原位反应法。 此法是将原位反应和喷射沉积工艺结合在一起制备颗粒增强铁基耐磨材料的方法。该工艺在制备铁基耐磨复合材料时，将金属粉（如钛粉）加热熔化后注入等离
2017-10-27 17:24:0910 LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料，因此，外延片材料作为LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技术的发展及工艺非常重要。
2018-11-01 16:41:124524 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
2019-03-27 16:58:1520976 在PCBA贴片加工厂里，要使印制电路组件的清洗顺利进行并且达到良好的效果，除了要了解清洗机理、清洗剂和清洗方法之外，还应该了解影响清洗效果的主要因素，如元器件的类型和排列、PCB的设计、助焊剂的类型、焊接的工艺参数、焊后的停留时间及溶剂喷淋的参数等。
2019-09-29 11:11:502781 PCBA水清洗工艺是以水作为清洗介质，可在水中添加少量（一般为2%～10%）表面活性剂、缓蚀剂等化学物质，通过洗涤，经多次纯水或去离子水的源洗和干燥完成PCBA清洗的过程。
2019-12-26 11:35:309025 PCBA加工后免清洗是一个系统工程，从PCB设计到SMT生产过程都须严格要求，要尽量避免生产制造过程中造成人为的污染。在免清洗工艺设计和工艺管理控制上要有切实有效的措施。
2019-12-26 11:38:023937 CMOS器件是在硅材料上逐层制作而成的。虽然蚀刻和沉积是标准工艺，但它们主要使用光刻和等离子蚀刻在裸片上创建图案。另一方面，MEMS是采用体硅加工工艺嵌入到硅中，或通过表面微加工技术在硅的顶部形成。
2020-09-01 11:21:323490 半导体清洗设备直接影响集成电路的成品率，是贯穿半导体产业链的重要环节，在单晶硅片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键制程及封装工艺中均为必要环节，约占所有芯片制造工序步骤30％以上，且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升，清洗设备的需求量也将相应增加。
2020-09-28 14:53:285659 
不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议
2022-12-13 11:42:001674 三元催化器清洗效果好的方法是拆解清洗：拆解清洗是一件十分费事费力的方法，需要将三元催化器从车辆上完全拆卸下来，之后用清洗剂（草酸、洁厕灵）浸泡上一段时间后，再用清水冲洗，这样清洗三元催化器的方法是比较有效的。
2020-12-14 16:37:2927313 虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 摘 要：光罩清洗的流程以及优化，需要在实际生产运用中来完善，要保证在不影响清洗能力的情况下来优化各个工艺参数，在各种工艺清洗时的时间和MASKStage的转速来缩短清洗光罩的时间，而这个参数需要
2020-12-29 11:38:313216 
摘要：采用DOE（实验设计）方法，通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK，得到最适合铝 线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放 位置对等离子清洗效果
2020-12-30 10:26:391199 原位清洗站全自动和手动原理图下载
2021-04-06 15:41:170 超声波清洗机对汽车飞机机车有什么清洗效果？ 超声波清洗机有专用于汽车、机车、飞机维修保养的清洗设备定制。 1、清洗效果： 专用超声波清洗机替代了汽车轴承保养清洗时使用汽油等易燃物品，大大减少人工
2021-04-16 14:53:422919 最近做芯片和外延的研究，发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大，大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。
2021-08-12 10:55:584300 
在化学机械抛光原位清洗模块中，而不是在后原位湿法清洗过程中。因此，化学机械抛光后的原位清洗优化和清洗效率的提高在化学机械抛光后的缺陷控制中起着举足轻重的作用。化学机械抛光原位清洁模块通常由兆频超声波和刷式洗涤器工
2022-01-11 16:31:39442 
本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间
2022-02-11 14:44:271442 
摘要 本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术，其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中，然后干燥；另一种
2022-03-04 15:03:502588 
在半导体制造过程中的每个过程之前和之后执行的清洁过程是最重要的过程之一，约占总过程的30%，基于RCA清洗的湿式清洗工艺对于有效地冲洗清洗化学物质以使它们不会在学位处理后残留在晶片表面上，以及诸如
2022-03-22 13:30:211161 近年来随着成本原因以及环境保护和清洁生产的要求，越来越多的电子厂商在PCBA生产制程中采用免清洗或简单清洗工艺，也就是在焊接过程中采用免清洗助焊剂。对于非高可靠性的电子产品，采用免清洗工艺可以达到
2022-04-06 13:34:573210 指导操作员掌握正确的清洗要求及工艺流程，使焊接区域获得良好的清洗效果，达到品质之要求
2022-06-08 14:45:580 评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
引言 描述了溢流晶片清洗工艺中的流场。该信息被用于一项倡议，其主要目的是减少晶片清洗中的用水量。使用有限元数值技术计算速度场。大部分的水无助于晶片清洗。 介绍 清洗步骤占工厂中使用的ulaa纯水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。
2022-06-07 15:51:37291 
已经被提议作为集成在硅基光子平台中的红外发光器件的活性材料。 用于后续外延生长的锗表面的清洁(外延清洁)通常基于通过原位退火步骤完成的非原位化学预清洁。使用非原位化学处理来去除天然氧化物和金属污染物，并生长保护外延表面免受污染的化
2022-06-17 16:26:561439 
摘要 在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27:24973 
在锂负极原位形成过程中，动态的机械应力会影响初始锂金属沉积形貌，导致电池可逆性较差。
2022-09-08 09:12:341855 通过图形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生长，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生长外延层。这个过程称为选择性外延生长(SEG)。
2022-09-30 15:00:385892 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD)工艺是指采用物理方法，如真空蒸发、溅射 （Sputtering）镀膜、离子体镀膜和分子束外延等，在圆片表面形成薄膜。
2022-11-03 15:32:204185 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。
2022-11-04 10:56:067421 固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:5210250 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 以晶圆为基本材料，其生产工艺过程包括硅片清洗、硅片扩散、化学气相沉积、物理气相层积，晶圆表面处理、原子层沉积、光刻等
2023-02-11 11:31:426157 
通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100 本文以 SOP008L 为例，通过对等离子清洗前后引线框架水滴角对比试验，工艺实验达到预期的效果，符合封装工艺的实际情况。研究结论对提高封装产品的可靠性提供了相应的参考依据。
2023-02-13 16:17:15900 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站
2023-02-16 10:50:096935 本文以 SOP008L 为例，通过对等离子清洗前后引线框架水滴角对比试验，工艺实验达到预期的效果，符合封装工艺的实际情况。研究结论对提高封装产品的可靠性提供了相应的参考依据。
2023-02-19 09:36:02700 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3210569 印刷电路板的清洗作为一项增值的工艺流程,印制板清洗后可以去除产品在各道加工过程中表面污染物的沉积,而且能够降低产品可靠性在表面上污染物质等方面的安全风险。因此,现如今电路板生产中大部分都运用了清洗
2023-05-25 09:35:01879 
。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD 薄膜沉积工艺需要一个高真空的平台，在
2023-05-26 16:36:511749 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092826 
在了解芯片沉积工艺之前，先要阐述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。
2023-06-08 11:00:122192 
介绍了水泥磨的球磨机滑履冷却水循环系统的清洗，以及结垢原因的分析，对比了传统清洗工艺与福世蓝清洗工艺为何选用福世蓝清洗工艺，并图文描述其清洗过程。
2022-06-06 18:12:22385 
上海伯东 Aston™ 质谱分析仪是一款快速, 强大的化学特异性气体质谱仪, 提供 ALD 过程控制解决方案, 可在这些非等离子体（“lights-off”）过程中提供原位计量和控制. 它可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 低至十亿分之几的水平, 提供 ALD 过程控制所需的实时数据.
2023-06-20 17:28:55263 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 
和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的沉积质量。因为，压强低表明设备内反应气体粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33:27370 
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！
2023-05-25 10:10:31378 
近日，厦门大学王鸣生教授课题组探索了Na-K合金负极中同时使用钠和钾的可能性，并通过原位光学显微镜(Operando OM)揭示了其工作机制。
2023-08-28 09:59:10686 
等离子体工艺是干法清洗应用中的重要部分，随着微电子技术的发展，等离子体清洗的优势越来越明显。文章介绍了等离子体清洗的特点和应用，讨论了它的清洗原理和优化设计方法。最后分析了等离子体清洗工艺的关键技术及解决方法。
2023-10-18 17:42:36447 
摘 要:文章主要论述了手工清洗剂的分类；手工清洗剂的选择应考虑哪些特性；手工清洗工艺方法；几种手工清洗剂的特性、材料兼容性及清洗后的效果。并给出了批量手工清洗方案和返工返修类手工清洗方案。批量手工清洗方案重点在必需进行二次漂洗，返工返修类用喷雾罐喷淋并用无纺布擦拭干净。
2023-10-19 10:06:45495 
电子发烧友网站提供《LED外延芯片工艺流程及晶片分类.doc》资料免费下载
2023-11-03 09:42:540 外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878 
半导体制造业依赖复杂而精确的工艺来制造我们需要的电子元件。其中一个过程是晶圆清洗，这个是去除硅晶圆表面不需要的颗粒或残留物的过程，否则可能会损害产品质量或可靠性。RCA清洗技术能有效去除硅晶圆表面的有机和无机污染物，是一项标准的晶圆清洗工艺。
2023-12-07 13:19:14235 金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求，但是后栅极工艺因为需要重新填充原来多晶硅栅极的地方，因此对薄膜的台阶覆盖 性及其均匀度要求较高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太阳能电池的薄膜沉积工艺中，具有化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）两种薄膜沉积方法，电池厂商在沉积工艺中也需要根据太阳能电池的具体问题进行针对性选择，并在完成薄膜沉积工艺后通过
2023-12-26 08:33:01312 
根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线
2024-01-12 23:14:23769 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963 
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32:15433 
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