单晶硅晶片的超声辅助化学蚀刻

用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法单晶硅晶片纹理化的替代方法在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2混合物中的扩散控制溶解过程通过改变流量形成各种形态蚀刻混合物的速度[4，5]超声波辅助导致蚀刻的高速运动晶片表面的混合物。

单晶硅晶片的超声辅助化学蚀刻

结果

HF-HCl-Cl2溶液允许各向异性蚀刻过程，产生比氢氧化钾标准纹理反射低的随机倒金字塔，导致低反射值至6.3%的阴影效应，导致晶圆边缘到中间的形态变化，通过超声辅助化学蚀刻(USACE)纹理单晶硅晶圆在在线蚀刻过程中似乎是最可行的。

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晶圆(126258) 晶圆(126258)
蚀刻(15030) 蚀刻(15030)

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单晶光伏板和多晶光伏板的区别

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2024-02-03 09:19:22

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蚀刻时间和过氧化氢浓度对ZnO玻璃基板的影响本研究的目的是确定蚀刻ZnO薄膜的最佳技术。使用射频溅射设备在玻璃基板上沉积ZnO。为了蚀刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的过氧化氢（H2O2

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扩散硅、单晶硅、电容式压力差压变送器的区别与选择

扩散硅、单晶硅、电容式压力差压变送器的区别与选择扩散硅、单晶硅和电容式压力差压变送器是常用于工业领域中测量流体压力的仪器。它们各自具有不同的特点和适用场景。下面将详细介绍这三种压力变送器的区别

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怎么选择扩散硅压力变送器、单晶硅压力变送器、电容式压力变送器选择扩散硅压力变送器、单晶硅压力变送器和电容式压力变送器是根据应用场景和具体要求进行的。下面将详细介绍这三种压力变送器的特点、优势

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浅谈超声波探头的信号和性能指标

超声波发生器内部结构有两个压电晶片和一个共振板。当它的两极外加脉冲信号，其频率等于压电晶片的固有振荡频时，压电晶片将会发生共振，并带动共振板振动，便产生超声波。

2024-01-29 10:17:17

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为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅

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光伏板单晶和多晶哪个发电多？太阳能光伏板是利用太阳光的能量转换为电能的装置。而光伏板的发电效率是一个衡量其性能的重要指标。单晶和多晶是光伏电池的两种常见制造工艺，它们在发电效率上有所不同。在这

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超声波传感器中压电晶片的作用是什么？超声波传感器是一种常见的物理传感器，它通过发射和接收超声波波束来探测周围物体的距离、位置、形状等信息，广泛应用于机器人导航、车辆安全、工业自动化和医学影像等领域

2024-01-17 15:37:28

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基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻

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什么是单晶硅光伏板？单晶硅光伏板优缺点

单晶硅光伏板是一种基于单晶硅材料制造的太阳能光电设备，常用于太阳能光伏发电系统中。单晶硅光伏板由多个单晶硅太阳能电池片组成，每个电池片都被覆盖在透明的防反射玻璃上，并使用铝框架进行支撑和保护。

2023-11-29 09:46:06

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氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻法

目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁典型均方根(rms)粗糙度约为50纳米

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241

PCB加工之蚀刻质量及先期问题分析

蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。

2023-11-14 15:23:10

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全球首个100毫米的单晶金刚石晶圆研发成功

运用异质外延工艺，Diamond Foundry以可扩展的基底制造单晶金刚石，这是一项前所未有的技术突破。过去已有技术用于生产金刚石晶片，但这些晶片基于压缩金刚石粉末制备，缺乏单晶金刚石的特性。

2023-11-10 16:04:03

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Arduino做倒车辅助使用PIR模块好还是使用超声波模块？

Arduino做倒车辅助使用PIR模块好还是使用超声波模块HC-SR04比较好

2023-11-10 06:13:43

单晶硅太阳电池的温度和光强特性

电子发烧友网站提供《单晶硅太阳电池的温度和光强特性.pdf》资料免费下载

2023-11-02 11:16:37

多晶硅与单晶硅各有哪些优良性质？又是怎样制造出来的呢？

硅，我们都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是单晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅与单晶硅的性能差别很大，那么他们各有哪些优良性质？有哪些应用？又是怎样制造出来的呢？

2023-10-26 09:47:01

502

厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻有什么区别？

电阻器是电子电路中常见的被动元件，用于限制电流、调整电压和执行其他电阻性功能。在电阻器的制造中，有两种常见的类型：厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻。这两种类型的电阻器在结构、性能和应用方面都有一些显著的区别。本文将介绍厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻的区别，以帮助读者更好地理解它们的特性和用途。

2023-10-23 09:00:17

840

PCB印制电路中影响蚀刻液特性的因素

蚀刻液的化学成分的组成：蚀刻液的化学组分不同，其蚀刻速率就不相同，蚀刻系数也不同。如普遍使用的酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常是&；碱性氯化铜蚀刻液系数可达3.5-4。而正处在开发阶段的以硝酸为主的蚀刻液可以达到几乎没有侧蚀问题，蚀刻后的导线侧壁接近垂直。

2023-10-16 15:04:35

553

CYB6300单晶硅压力变送器：工业应用的重要利器

单晶硅压力变送器是一种常用于测量液体或气体压力的仪器。随着工业自动化水平的不断提高，压力变送器的应用越来越广泛。

2023-10-16 09:47:13

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关于氮化镓的干蚀刻综述

GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。

2023-10-07 15:43:56

319

PCB线路板的蚀刻工艺需要注意哪些细节问题

一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。

2023-09-18 11:06:30

669

从“0”到“1”的技术突破小晶片释放大能量

一排排3米多高的碳化硅单晶生长设备整齐排列，设备内部超过2000℃的高温环境中，日夜不停地进行着惊人的化学反应——一个个碳化硅晶锭快速“生长”。

2023-09-07 09:25:10

410

pcb蚀刻是什么意思

　在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。

2023-09-06 09:36:57

811

六氟化硫等离子体的热反应离子蚀刻

众所周知，微机电系统(MEMS)严重依赖于集成电路制造中使用的材料，例如单晶硅。然而，由于金属、玻璃和压电陶瓷的特殊性质，这些材料在MEMS中的使用正在迅速增加。

2023-09-01 10:19:20

204

晶闸管可控硅是什么材料做的

晶闸管可控硅是由单晶硅材料制成的。单晶硅是一种高纯度的硅材料，可以通过化学气相沉积或其他物理和化学方法来制备。晶闸管可控硅中的硅晶体为N型或P型半导体材料。掺杂剂被掺入晶体中，以形成PN结构。同时，掺杂剂还会形成薄层的P型和N型半导体联系电极。

2023-08-26 11:52:12

889

太阳能发电选单晶硅还是多晶硅？

电源电路DIY制作

学习电子知识发布于 2023-08-24 21:47:13

硼扩成结对N型单晶硅电池电阻率的影响

硅太阳能电池一般可分为单晶、多晶和非晶硅太阳能电池，其中单晶硅电池是当前开发最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已经定型，且广泛用于空间和地面。「美能光伏」生产的美能四探针电阻测试仪，可以对最大

2023-08-22 08:36:29

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细说单晶硅太阳能电池的清洗制绒

根据太阳能电池种类的差异，不同太阳能电池的生产工艺也会有所不同，抉择一块电池性能的重要环节是制作太阳能电池的清洗制绒。单晶硅太阳能电池生产工艺的优劣可判断其在应用过程中是否具有超高的使用价值

2023-08-19 08:36:27

811

超声振动棒管道清洗设备设计

超声振动棒管道清洗的超声振动棒工具头发射头的前端紧贴在釜体外壁上或伸入釜体的釜腔内，超声波换能器可以对釜腔内的化学反应物发送超声波，被处理的液体由于超声波的空化作用可造成反应体系活性的变化。超声

2023-08-16 10:16:59

260

半导体蚀刻系统市场预计增长到2028年的120亿美元，复合年增长率为2.5%

半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。

2023-08-15 15:51:58

319

刻蚀工艺流程和步骤酸性蚀刻和碱性蚀刻的区别

刻蚀和蚀刻实质上是同一过程的不同称呼，常常用来描述在材料表面上进行化学或物理腐蚀以去除或改变材料的特定部分的过程。在半导体制造中，这个过程常常用于雕刻芯片上的细微结构。

2023-07-28 15:16:59

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深度解读硅微纳技术之的蚀刻技术

蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面，蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。

2023-07-14 11:13:32

183

深度解读硅微纳技术之蚀刻技术

2023-07-12 09:26:03

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铝等离子体蚀刻率的限制

都使用Cl基蚀刻化学物质。当在等离子体放电中分解时，CCl为还原物质提供了来源，并用于去除表面氧化物和Cl，与下面的Al反应。

2023-06-27 13:24:11

318

锗、硅、SiNx薄膜的各向同性等离子体蚀刻

CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在HF中蚀刻时，这就成了问题。由于器件的静摩擦、缓慢的蚀刻速率以及横向或分层膜的蚀刻速率降低，湿法化学也会有问题。

2023-06-26 13:32:44

1053

14.3 SiC体单晶的制备_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 19:23:00

13.4 ZnO的单晶的掺杂

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 19:11:57

13.3 ZnO的薄膜单晶的制备

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 19:10:19

11.6 GaN薄膜单晶的掺杂

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:59:31

11.5 GaN薄膜单晶的制备_clip002

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:56:21

11.5 GaN薄膜单晶的制备_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:54:48

11.4 GaN体单晶的制备

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:53:23

9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜SOI

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:36:00

9.2 单晶硅薄膜材料（下）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:35:08

9.2 单晶硅薄膜材料（上）_clip002

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:34:04

9.2 单晶硅薄膜材料（上）_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:33:16

8.5 直拉硅单晶的缺陷

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:32:29

8.3 直拉硅单晶的轻元素杂质_clip002

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:31:00

8.3 直拉硅单晶的轻元素杂质_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:30:28

8.2 直拉硅单晶的掺杂浓度_clip002

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:27:15

8.2 直拉硅单晶的掺杂浓度_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:26:43

8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（下）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:25:44

8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:24:26

7.6 直拉硅单晶的加工（下）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:23:35

7.6 直拉硅单晶的加工（上）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:20:40

7.5 新型直拉硅单晶生长工艺

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:19:57

7.4 单晶生长的主要影响因素

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:19:01

7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（下）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:18:16

7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:17:23

7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）_clip002

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:16:06

7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）_clip001

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:15:28

7.1 直拉硅单晶

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:13:21

6.3 区熔硅单晶（下）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-24 18:12:39

硅片独角兽高景太阳能IPO获受理！三年营收从不到9万冲到175亿，募资50亿

万股，占公司发行后总股本的比例不低于10%且不超过25%，募集50亿元资金，用于宜宾25GW单晶硅棒及5GW单晶硅片生产建设项目等。高景太阳能是一家专注于光伏硅片的企业，主营业务为光伏单晶硅棒、单晶硅片的研发、生产和销售，主要产品包括182mm、210mm等大

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请问一下8寸原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？

请问一下8寸原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？

2023-06-16 11:12:27

单晶硅和多晶硅的区别

什么是单晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，单晶硅和多晶硅有什么区别，多晶矽与单晶硅的主要差异体现在物理性质方面，主要包括力学性质、电学性质等方面，下面具体来了解下。

2023-06-12 16:44:42

3981

什么是硅片或者晶圆？硅晶圆的工作原理

太阳能电池需要硅晶片来提高效率并吸收更多的阳光。经常使用非晶硅、单晶硅和碲化镉等材料。Floating Zone 方法等制造工艺可将太阳能电池效率提高近 25%。

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德尔森IOT 物联网智能传感器系列产品介绍

德尔森智能单晶硅沉降传感器 DRS-3000 是采用德国进口高稳定型单晶硅MEMS 传感器芯片、运用智能信号处理与运算单元、测量两点间或多点间相对高程变化的精密传感器。

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多晶硅和单晶硅光伏板哪个好

单晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太阳能电池板的类型，其主要区别在于材料。　　单晶硅光伏板是由单个晶体制成的硅片组成。该类型的太阳能电池板具有较高的转换效率和稳定性，因此在太阳能发电领域中应用较为广泛。但是，制造过程成本较高，价格较贵。

2023-06-08 16:04:41

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什么是单晶圆加工

单晶圆工艺工具提供多功能的自主工艺能力，具有纳米级的粒子控制，建立在高效的小占地面积上，涵盖晶圆尺寸达 300 毫米、薄晶圆、ICS、MEMS、LED、光掩模和玻璃基板，使用各种工艺化学

2023-06-07 17:12:42

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6.3 区熔硅单晶（上）

单晶

jf_75936199发布于 2023-06-01 00:16:50

碳化硅晶片的超精密抛光工艺

使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。

2023-05-31 10:30:06

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浅谈蚀刻工艺开发的三个阶段

纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。

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单晶硅结晶

2023-05-29 11:10:33

硅在氢氧化钠和四甲基氢氧化铵中的温度依赖性蚀刻

过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法

2023-05-29 09:42:40

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华耀光电IPO获受理！营收年复合增长率超400%，募资29亿扩充单晶硅片产能等

资金，用于12GW单晶硅片生产项目（二期）、年产10GW高效N型（异质结）电池项目（一期）等。天眼查显示，去年1月华耀光电刚完成由东海投资领投，天风天睿、银河资本等投资机构参与的近4亿元Pre-IPO融资。公司控股股东是华耀投资，其直接持有公司70.46%的股份

2023-05-27 07:45:02

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华耀光电IPO获受理！营收年复合增长率超400%，募资29亿扩充单晶硅片产能等

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2023-05-26 00:05:00

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湿式化学蚀刻法制备硅片微孔

微孔利用光和物质的相互作用来获得独特的性质，特别是，当用紫外光、可见光或近红外光在其表面等离子体极化频率附近照射时，金属微孔结构表现出强烈的共振。然而，用于制造微孔的技术是耗时的，并且需要昂贵的设备和专业人员。因此，英思特开发了一种通过湿化学蚀刻硅衬底来制造微孔的方法。

2023-05-25 13:47:51

846

led晶片推拉力机半导体推拉力测试仪

led晶片

力标精密设备发布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蚀刻工艺中实施控制？

蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

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PCB常见的五种蚀刻方式

一般适用于多层印制板的外层电路图形的制作或微波印制板阴板法直接蚀刻图形的制作抗蚀刻图形电镀之金属抗蚀层如镀覆金、镍、锡铅合金

2023-05-18 16:23:48

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硅晶片的酸基蚀刻：传质和动力学效应

抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。

2023-05-16 10:03:00

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硅片表面染色对铜辅助化学蚀刻的影响

在硅基光伏产业链中，硅晶片的制造是最基本的步骤。金刚石切片是主要的硅片切片技术，采用高速线性摩擦将硅切割成薄片。在硅片切片过程中，由于金刚石线和硅片的反复摩擦，硅片表面发生了大量的脆性损伤和塑性损伤。

2023-05-15 10:49:38

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简述晶圆减薄的几种方法

减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。

2023-05-09 10:20:06

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《炬丰科技-半导体工艺》单晶的湿法蚀刻和红外吸收

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技摘要采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

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酸性化学品供应控制系统

[技术领域] 本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体地说是一种酸性化学品供应控制系统。由于半导体行业中芯片生产线的工作对象是硅晶片，而能在硅晶片上蚀刻图形以及清洗硅晶片上的杂质、微粒子的化学

2023-04-20 13:57:00

飞秒激光辅助制造石英晶体MEMS谐振器

提出了一种利用飞秒激光诱导化学蚀刻（FLICE）制造压电致动的石英晶体MEMS谐振器的方法。

2023-04-20 09:10:46

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干法蚀刻与湿法蚀刻-差异和应用

干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）

2023-04-12 14:54:33

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氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。

2023-03-31 10:56:19

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单晶硅刻蚀工艺流程

FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。

2023-03-30 09:39:18

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PCB加工的蚀刻工艺

印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在

2023-03-29 10:04:07

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单晶硅晶片的超声辅助化学蚀刻

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