由于铜在二氧化硅和硅中的快速扩散，以及在禁带隙内受体和供体能级的形成，铜需要在化学机械抛光过程后清洗。
2021-12-15 10:56:15
2163 
本文讨论并演示了痕量污染物分析仪的功能。该分析工具利用电喷雾飞行时间质谱仪对晶圆清洗溶液进行全自动在线监测。该分析仪通过其在正负模式下提供强(元素)和弱(分子)电离的能力，提供了关于金属、阴离子
2022-03-08 14:06:581412 
本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。
2022-04-08 13:59:221755 
本文介绍了我们华林科纳研究不同清洗方法（离心和透析）对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响，关于透析过程，核磁共振分析表明，经过9个清洗周期后，柠檬酸浓度与第一次离心后测量的浓度相当
2022-05-12 15:52:41931 
摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而，粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到最大的粒子沉积:本文将讨论粒子沉积的机理酸性溶液的浓度，并随着溶液pH值的增加而降低，在使用折痕。还研究了各种溶液
2022-06-01 14:57:576891 
本发明一般涉及清洗和蚀刻硅表面的方法，以及更具体地涉及使用NF在低温下预清洗晶片，在使用硅晶片制造半导体器件的过程中，在硅晶片的硅表面上可能会形成污染物和杂质，如外延硅沉积或氧化物层生长，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
引言 过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗
2022-07-07 17:16:442758 
硅集成电路(IC)的制造需要500-600个工艺步骤，这取决于器件的具体类型。在将完整的晶片切割成单个芯片之前，大多数步骤都是作为单元工艺来执行的。大约30%的步骤是清洁操作，这表明了清洁和表面处理的重要性。
2022-07-14 16:30:153373 
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
在当今的器件中，最小结构的尺寸接近于需要从晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破坏脆弱设备的情况下，在工艺步骤之间去除纳米颗粒的清洗过程的重要性正在不断增长。兆波清洗可用于单晶片或批量晶片处理。
2023-05-02 16:32:11865 
机Wafer Cleaner、湿法刻蚀机Wet Etching Machine、石英炉管清洗机/钟罩清洗机/石英部件清洗Quartz-Tube/BellJar/PartsCleaner、化学湿台Wet
2017-12-15 13:41:58
Cleaning"阳极性电解清洗;是金属表面处理常用的技术。 26、Rinsing水洗，冲洗 湿式流程中为了减少各槽化学品的互相干扰，各种中间过渡段，均需将板子彻底清洗，以保证各种处理的品质
2018-08-29 16:29:01
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
来激活化学气相淀积反应。其淀积温度一般在400℃以下，可以用来淀积氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等绝缘体及钝化膜和非晶硅薄膜以及有机化合物和TiC、TiN等耐磨抗蚀膜。在表面硅MEMS工艺中
2018-11-05 15:42:42
。它适用于大批量PCBA清洗，采用安全自动化的清洗设备置于电装产线，通过不同的腔体在线完成化学清洗（或者水基清洗）、水基漂洗、烘干全部工序。 清洗过程中，PCBA通过清洗机的传送带在不同的溶剂清洗腔体
2021-02-05 15:27:50
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
)、HF 等，已广泛应用于湿法清洗工艺，以去除硅片表面上的光刻胶、颗粒、轻质有机物、金属污染物和天然氧化物。然而，随着硅电路和器件架构的规模不断缩小（例如从 VLSI 到 ULSI 技术），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
和帮助了解污染源的过程中，使用了超过 120 个程序来获取特定信息。这些程序涵盖超纯水、化学品、薄膜和晶片清洁度。此外，它们还用于评估反应器、洁净室和用于洁净室、湿工作台和反应器的各种组件的清洁度。本文
2021-07-09 11:30:18
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
工业清洗应用相当成熟的技术，一种基于荧光强度测量原理，能够快速监测产品清洗质量，并可监控清洗过程的槽液污染度。相信它会为您的产品质量、工艺研发带来新的突破!会议时间：7月6日 15:30-16:306月15日前报名免费!诚邀参与!`
2017-06-12 11:13:04
什么元件被称为倒装晶片（FC）？一般来说，这类元件具备以下特点。 ①基材是硅； ②电气面及焊凸在元件下表面； ③球间距一股为0.1～0.3 mm，球径为0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
全自动自清洗过滤器特点1） 过滤精度默认为 100 微米，且从 100 至 3000 微米可选，过滤面积大，纳污量高，用户可根据实际工况定制。2）清洗方式简单，且清洗循环电子监控，可实现自动清洗排污
2021-09-13 06:57:56
哪些不同之处呢？“天然水晶”天然水晶是一种单晶体，亦称合成水晶、压电水晶。再生水晶是采用：水热结晶法“模仿天然水晶的生长过程”，把天然硅矿石和一些化学物质放在高压釜内，经过1-3个月时间（对不同晶振而言
2012-11-16 18:53:31
设备；硅片腐蚀台;湿台;全自动RCA清洗设备;外延钟罩清洗机（专利技术）；硅片电镀台；硅片清洗机；石英管清洗机；LED清洗腐蚀设备等。光伏太阳能：全自动多晶硅块料腐蚀设备；多晶硅硅芯硅棒腐蚀清洗
2011-04-13 13:23:10
脱落，通过循环将粘泥清洗出来。 中央空调清洗过程三：加入化学清洗剂、分散剂、将管道系统内的浮锈、垢、油污清洗下来，分散排出，还原成清洁的金属表面。 中央空调清洗过程四：投入预膜药剂，在金属表面形成
2010-12-21 16:22:40
。对清洗工业相机的过程也是有要求的，不适当的清洗会损坏基层上或镜头上磨光的表面和专用的覆盖物，玻璃或覆盖物表面的损坏会降低所有应用中的性能。所以，要选择合适的工业相机护理方法和清洗程序。 以下小编就与
2015-10-22 14:14:47
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质，但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出，如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤，如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子？
2021-06-08 16:45:05
，并可监控清洗过程的槽液污染度。相信它会为您的产品质量、工艺研发带来新的突破!</p><p> 会议时间：7月6日 15:30-16:30</p>`
2017-06-16 15:41:04
设备进场消除静电红外测温清洗主设备机柜表面除尘客户验收填写施工验收单用户评价反馈由于机房中的网络通信设备在长期的连续运行过程中，空气中漂浮的各种尘垢、金属盐类、油污等综合污染物，通过物理的吸附作用，微粒
2020-09-10 08:45:55
手柄调节阀位置，来改变水对滤筒的流向，利用管道内水压及水流推动的作用对滤筒进行自清洗，省去了传统过滤清洗必须将滤筒进行清洗的烦恼，使清洗操作简便可靠且排污时间短。按安装形式及水流方向的不同分为直通式和直角式两种。二：直通式反冲洗过滤器原理Ａ．正常过滤时：水流通过转向阀为开启状态。当水通过..
2021-06-30 08:06:52
其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备，例如硅片湿法清洗、蚀刻，硅芯硅棒湿法化学处理，液晶基板清洗，LED基片显影脱膜等
2015-04-02 17:23:36
各位同仁好！我最近在芯片清洗上遇到一个问题，自己没办法解决，所以想请教下。一个刚从氮气包装袋拿出来的晶圆片经过去离子水洗过后，在强光照射下或者显微镜下观察，片子表面出现一些颗粒残留，无论怎么洗都
2021-10-22 15:31:35
，而且清洗液上下对流。此时若将手指浸入清洗液中，则有强烈针刺的感觉。上述这种现象称为超声空化作用。 超声清洗就是利用了空化作用的冲击波，其清洗过程中由下列四个因素作用所引起。 (1
2009-06-18 08:55:02
、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、等产品进行在线颗粒监测和分析。产品优势：在线优势：在线化学品液体微粒子计数器为生产
2022-12-14 11:37:02
、无机化学品、有机化学品、有机溶剂、清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、等产品进行在线颗粒监测和分析。产品优势：在线优势：MPS-100A化学品、光刻
2023-01-03 15:30:32
无机物，包括金属的轻度锈蚀、金属微粒、灰尘等，应用功效包括：除锈、脱漆、去油污、文物修复、除胶、去涂层、去镀层。但其峰值能量低。锐族手持式激光清洗机手持激光清洗机产
2023-05-09 13:28:12
叙述了凝汽器铜管化学清洗的优点和在清洗过程中必须注意的几个问题，并且用实例进一步说明化学清洗还能够有效防止凝汽器铜管的腐蚀。
2010-02-03 11:43:55
8 化学清洗必须使用浓缩的碱性化学药品去除基板表面的油类、油脂和污物的微粒。使用浓度为80% -100% 的碱性化学药品，在60 -70 'C之间的温度范围内清洗基板，清洗时间是20 - 30min
2019-07-04 15:03:054188 
表面组装板焊后清洗是指利用物理作用、化学反应的方法去除SMT贴片加工再流焊、波峰焊和手工焊后残留在表面组装板表面的助焊剂残留物及组装工艺过程中造成的污染物、杂质的工序。那么我们不仅要问了，为什么我们贴片加工完成之后还要清洗，这不是浪费时间和工时吗？
2019-10-16 11:21:525633 本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说，本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶硅晶片的表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:211999 螺旋板换冷凝器 1、根据螺旋板换冷凝器堵塞情况及垢物性质，按比例配制一定浓度的化学清洗溶液，并不时调整各组份的添加量。 2、配制清洗剂。选定专用螺旋板换冷凝器清洗剂按比例匹配清洗液。 3、清洗液入口
2021-11-01 09:32:36874 在化学机械抛光原位清洗模块中，而不是在后原位湿法清洗过程中。因此，化学机械抛光后的原位清洗优化和清洗效率的提高在化学机械抛光后的缺陷控制中起着举足轻重的作用。化学机械抛光原位清洁模块通常由兆频超声波和刷式洗涤器工
2022-01-11 16:31:39442 
它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。 本文重点研究了纳米颗粒刷洗涤器清洗过程中的颗粒去除机理并研究了从氮化物基质中去除平均尺寸为34nm的透明二氧化硅颗粒的方法。在洗涤器清洗后，检查晶片上颗粒径向表面浓度
2022-01-18 15:55:30449 
和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。 介绍 半导体是一种固体物质，其导电性介于绝缘体和导体之间。 半导体材料的定义性质是，它可以掺杂杂质，以可控的方式改变其电子性质。
2022-01-18 16:08:131000 
关键词:铜化学机械抛光后清洗，聚乙烯醇刷，非接触模式，流体动力阻力。 介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗
2022-01-26 16:40:36405 
本文讨论了稀氢氟酸清洗过程中颗粒沉积在硅片表面的机理。使用原子力显微镜的直接表面力测量表明，硅表面上的颗粒再沉积是由于颗粒和晶片表面之间的主要相互作用。表面活性剂的加入可以通过改变颗粒和晶片之间
2022-02-11 14:44:271442 
研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明，碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中，颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒，然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。
2022-02-17 16:24:272167 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻
2022-02-22 13:47:511696 
清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。 介绍 半导体是一种固体物质，其导电性介于绝缘体和导体之间。半导体材料的定义性质是，它可以掺杂
2022-02-23 17:44:201426 摘要 该公司提供了一种用于清洗半导体晶片的方法和设备 100，该方法和方法包括通过从装载端口 110 中的盒中取出两个或多个晶片来填充化学溶液的第一罐将晶片放入。将晶片放入装满液体的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
摘要 硅晶片制造涉及许多湿法工艺，其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中，流体分配是至关重要的，它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输，结果表明在冲洗时间的一般分析中必须
2022-03-01 14:38:07330 
泵（非脉动流）中，晶圆清洗过程中添加到晶圆上的颗粒数量远少于两个隔膜泵（脉动流）。 介绍 粒子产生的来源大致可分为四类：环境、人员、材料和设备/工艺。晶圆表面污染的比例因工艺类型和生产线级别而异。在无尘室中，颗粒污
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术，其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中，然后干燥；另一种
2022-03-04 15:03:502588 
本文通过绘制少数载流子扩散长度、体中铁浓度和表面污染（表面电荷和表面重组），介绍了表面光电电压(SPV)在监测化学清洗和化学品纯度方面的应用。新的SPV方法和精密仪器的非接触性、晶片级的特性使该技术
2022-03-09 14:38:22714 
后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明，在这些实验条件下，定性和定量的微量杂质小至单分子吸附层的1/10。结果证实，湿化学过程和干燥方法对晶片表面条件的影响。
2022-03-10 16:17:53787 
的方向传播。兆频超声波清洗领域的大部分工作都是针对寻找兆频超声波功率和磁场持续时间等条件来优化粒子去除。已知或相信在兆电子领域中有几个过程是有效的，即微空化、声流和压力诱导的化学效应。兆声波可以想象为以音速传播到流体中的压力变化。当声波通过固体颗粒时，该波中的压力梯度会对该颗粒施加作用力。
2022-03-15 11:28:22460 
残留物由不同量的聚乙二醇或矿物油(切削液)、铁和铜的氧化物、碳化硅和研磨硅，这些残留物可以通过锯切过程中产生的摩擦热烧到晶片表面，为了去除这些残留物，需要选择正确的化学物质来补充所使用的设备。 在晶片清洗并给予
2022-03-15 16:25:37320 
本文介绍了新兴的全化学晶片清洗技术，研究它们提供更低的水和化学消耗的能力，提供了每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益和考虑因素、环境、安全和健康(ESH)效益和考虑因素、技术状态和供应商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57308 
实验研究了预清洗对KOH/IPA溶液中单晶硅表面纹理化的影响。如果没有适当的预清洗，表面污染会形成比未污染区域尺寸小的金字塔，导致晶片表面纹理特征不均匀，晶片表面反射率不均匀。根据供应商的不同，晶片的表面质量和污染水平可能会有所不同，预清洗条件可能需要定制，以达到一致和期望的纹理化结果。
2022-03-17 15:23:08501 随着器件的集成化，对Si晶片的要求也变得更加严格，降低晶片表面的金属污染变得重要，这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-21 13:40:12469 
本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法，主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的，没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比，半导体公司的效率相对较低，但本研究可以提出在室温
2022-03-21 15:33:52373 
在半导体制造过程中的每个过程之前和之后执行的清洁过程是最重要的过程之一，约占总过程的30%，基于RCA清洗的湿式清洗工艺对于有效地冲洗清洗化学物质以使它们不会在学位处理后残留在晶片表面上，以及诸如
2022-03-22 13:30:211161 。半导体清洗过程主要使用化学溶剂和超纯水(deionized water)的湿清洗房间法以及等离子体、高压气溶胶(aerosol)和激光。在本文中，我将了解半导体设备制造过程变迁中晶片清洗过程的重要性和热点问题，概述目前半导体设备制造企业使用的清洗技术和新一代清洗技术，并对每种方法进行比较考察。
2022-03-22 14:13:163579 
随着器件的集成化，对Si晶片的要求也变得更加严格，降低晶片表面的金属污染变得重要，这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-28 15:08:53990 
在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。
2022-04-01 14:25:332948 
旋转运动和供给的药液流动，附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中，观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。阐明机制， 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-06 13:30:52421 
在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染物，例如使用批量浸渍工具进行湿法清洁批量旋转
2022-04-08 14:48:32585 
法与添加臭氧的超纯水相结合的新清洗法，与以往的方法相比，具有更好的清洗能力，在抑制自然氧化膜生成的同时，可以在短时间内完全除去晶片表面的有机物。
2022-04-13 15:25:211593 
，重要的是有效地冲洗，防止清洁化学液在道工序后在晶片表面残留，以及防止水斑点等污染物再次污染。因此，最近在湿清洗过程中，正在努力减少化学液和超纯水的量，回收利用，开发新的清洗过程，在干燥过程中，使用超纯水和IPA分离层的
2022-04-13 16:47:471239 
本发明公开了一种用湿式均匀清洗半导体晶片的方法,所公开的本发明的特点是:具备半导体晶片和含有预定清洁液的清洁组、对齐上述半导体晶片的平坦区域，使其不与上述清洁组的入口相对、将上述对齐的半导体晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604 体。 另外，实验表明，如果在形成清洗液膜的晶片基板上接近配置波导管，利用透过波导管的超声波可以得到均匀的微粒子去除。 在具有行波分布的导波管中，不需要由于空化气泡的捕获而引起的抗压，有可能进行微粒子的去除，有望
2022-04-14 16:55:49601 
的机械旋转运动和供给的药液流动，附着在表面的纳米粒子从晶圆上脱离[3]。在清洗过程中，观察表面上的抛光纳米粒子的清洗现象。 阐明机制， 对于更有效的纳米粒子清洗是必不可少的。
2022-04-15 10:53:51516 
在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力，能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28:40258 
介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而，许多研究人员指责
2022-04-27 16:56:281310 
金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而，铜膜的粘附性可能非常弱，并且容易剥离。在本研究中，研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学
2022-04-29 15:09:06464 
摘要 本文展示了一种通过两步湿化学表面清洗来结合硅和石英玻璃晶片的简易结合工艺。在200℃后退火后，获得没有缺陷或微裂纹的强结合界面。在详细的表面和结合界面表征的基础上，对结合机理进行了探索和讨论
2022-05-07 15:49:061091 
介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而，许多研究人员指责
2022-05-07 15:49:56910 
(UPW)的6()%。一个工厂一年就可以使用数十亿加仑的水。大量的水是重要的制造费用。此外，在一些地方，用水是一个环境问题。然而，随着芯片复杂性和晶片尺寸的增加，UPW的使用可能会显著增加。因此，有强烈的动机来提高漂洗过程的效率。 这
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。
2022-06-07 15:51:37291 
解过程的基本原理。本文提出了一个数学模型，它使用了基本的物理机制并提供了一个综合的过程模拟器。该模型包括流体流动，静电效应，以及整体和表面的相互作用。该模拟器被应用于研究具有铪基高k微米和纳米结构的图案化晶片的清洗
2022-06-08 17:28:50865 
应用。该化学品提供了在单晶片工具应用的清洗过程中原位控制锡拉回或者甚至完全去除锡掩模的途径。这些化学品不含NH4OH或TMAH，因此非常方便用户使用。
2022-06-14 10:06:242210 
华林科纳使用多步清洗工艺清洗晶片的半导体衬底表面，其中清洗工艺的最后一步包括用HMSO和HCO的溶液清洗，由此在晶片表面上形成化学氧化物初始层。此后，晶片的表面被氧化以形成热氧化层，其中在集成电路的制造中，化学氧化
2022-06-17 17:20:40783 
用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。
2022-07-05 17:20:171683 
的实验和理论分析来建立晶片表面清洁技术。本文解释了金属和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理，并提出了一些清洗方法。 介绍 LSI(大规模集成电路)集成密度的增加对硅片质量提出了更高的要求。更高质量的晶片意味着晶体精度、成形质量和
2022-07-11 15:55:451025 
溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来，与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展，并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491 
表面微粒分析仪是检测麻醉针微粒污染的重要手段之一。威夏科技专业为您提供表面微粒分析仪。
2022-12-21 16:36:36368 
清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19314 
晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或基板的情况下去除化学杂质和颗粒杂质。晶圆表面必须保持不受影响，这样粗糙、腐蚀或点蚀会抵消晶圆清洁过程的结果
2023-05-11 22:03:03783 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在半导体和太阳能电池制造过程中，清洗晶圆的技术的提升是为了制造高质量产品。目前已经有多种湿法清洗晶圆的技术，如离子水清洗、超声波清洗、低压等离子和机械方法。由于湿法工艺一般需要使用含有有害化学物质的酸和碱溶液，会产生大量废水，因此存在废物处理成本和环境监管等问题。
2023-06-02 13:33:211021 
介绍了水泥磨的球磨机滑履冷却水循环系统的清洗，以及结垢原因的分析，对比了传统清洗工艺与福世蓝清洗工艺为何选用福世蓝清洗工艺，并图文描述其清洗过程。
2022-06-06 18:12:22385 
效率和更好的清洗效果。
2. 环保性：超声波清洗机在清洗过程中无需使用化学清洗剂，只需使用清水或少量专用清洗剂即可。这大大降低了清洗过程对环境的污染，符合现代工业生产对环保的要求。
3. 适用性
2024-03-04 09:45:59128 
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