意法半导体（ST）推出先进单晶片数位动作控制器，为工业自动化和医药制造商实现更安静、更精巧、更轻盈、更简单且更高效的精密动作和定位系统。 意法半导体已与主要客户合作将
2012-11-20 08:45:08
1799 引言 近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序
2021-12-23 16:43:041104 
关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样
2021-12-29 10:38:322176 
本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。
2022-04-08 13:59:221755 
以及实际上能够接合任何种类的晶片材料。粘合晶片键合不需要特殊的晶片表面处理或平面化步骤。晶片表面的结构和颗粒可以被容忍，并通过粘合材料得到一定程度的补偿。也可以用选择性粘合晶片键合来局部键合光刻预定的晶片区域。粘合晶片键合可应用于先进微电子和微机电系统(MEMS)的制造、集成和封装。
2022-04-26 14:07:043113 
本发明一般涉及清洗和蚀刻硅表面的方法，以及更具体地涉及使用NF在低温下预清洗晶片，在使用硅晶片制造半导体器件的过程中，在硅晶片的硅表面上可能会形成污染物和杂质，如外延硅沉积或氧化物层生长，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是，硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染，空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力，这些污染物牢固地结合在硅晶片表面，给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。
2022-07-08 17:18:503378 
半导体制造中需要的单晶（单晶）是原子的规则排列。有多晶（许多小的单晶）和非晶硅（无序结构）。根据晶格的取向，硅片具有不同的表面结构，从而影响电荷载流子迁移率或在湿化学中的行为等各种性质、硅的各向异性腐蚀。
2022-07-26 17:16:492866 
在整个晶圆加工过程中，仔细维护清洁的晶圆表面对于在半导体器件制造中获得高产量至关重要。因此，湿式化学清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中应用最重复的处理步骤。
2023-03-30 10:00:091940 
在当今的器件中，最小结构的尺寸接近于需要从晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破坏脆弱设备的情况下，在工艺步骤之间去除纳米颗粒的清洗过程的重要性正在不断增长。兆波清洗可用于单晶片或批量晶片处理。
2023-05-02 16:32:11865 
本实验通过这两种清洗方法进行标识分为四个实验组，进行了清洗实验及室温接合， 以上工艺除热处理工艺外，通过最小化工序内部时间间隔，抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质粒子下。
2022-05-16 15:00:111067 
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
集成电路生产流程见下图:[img][/img]整个流程分为六个部分：单晶硅片制造，IC设计，光罩制作，IC制造，IC测试和封装。1.IC生产流程 [单晶硅片制造] 单晶硅片是用来制造IC的，单晶
2019-01-02 16:28:35
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依赖蚀刻的 GaN NW 制造工艺。这项工作的重点是改进自上而下的 GaN 纳米线的制造方法，并为 SPE 的制造奠定了潜在的工艺。使用干法和湿法蚀刻的组合，现有
2021-07-08 13:11:24
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
在回流焊接过程中，使焊球有足够的塌陷，让最小的焊球亦能 接触焊盘并焊接完好。但焊盘太大，会减小器件和阻焊膜之间的间隙，从而影响底部填充工艺。在设计时需要考 察供应商真正的制造能力。倒装晶片焊盘
2018-11-27 10:47:46
的作用：1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。气相外延炉气相外延是一种单晶薄层生长方法。是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构
2018-09-03 09:31:49
、划片后清洗设备、硅片清洗腐蚀台、晶圆湿法刻蚀机、湿台、台面腐蚀机、显影机、晶片清洗机、炉前清洗机、硅片腐蚀机、全自动动清洗台、兆声波清洗机、片盒清洗设备、理片机、装片机、工作台、单晶圆通风柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
致密的聚合高分子保护膜，以起防蚀作用。 中央空调清洗过程五：加入缓蚀剂，避免金属生锈，同时加入阻垢剂，通过综合作用，防止钙镁离子结晶沉淀。并定期抽验，监控水质。 中央空调清洗方法 中央空调清洗
2010-12-21 16:22:40
请问一下8寸 原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？
2023-06-16 11:12:27
晶片电阻器制造流程简介
2009-11-13 17:23:30
24 综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状, 分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方
2010-10-21 15:51:210 单晶片PLL电路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的进入高集积化，以往需要２～３晶片之情形，现在只需单晶片之专用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222075 
清洗轴承的正确方法： 1、 在使用进口轴承的过程，定期清洗是非常重要的。如何正确清洗进口轴承？先将进口轴承拆下检查时，先用摄影等方法做好外观记录。
2010-10-28 17:33:513508 新唐科技，宣布推出业界第一颗单晶片数位音讯 IC-- ChipCorder ISD2100，协助工业与消费性产品制造商以符合高经济效益的方式
2011-07-04 09:06:10829 威信科电(WonderMedia)宣布整合威信科电 PRIZM WM8720 系统单晶片平台的 Intel WiDi 产品于2012年美国消费电子展(CES)展出。其中包括英特尔将展示宝龙达制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 显
2012-01-17 09:41:091396 电子发烧友网核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI单晶片解决方案 结合2.4GHz、低功耗无线电及电容式触控功能 Cypress宣佈推出新款整合无线电与触控感测器电路的单晶片解决方案，能够支援无线
2012-10-26 09:24:511406 Silicon Laboratories （芯科实验室有限公司）宣佈推出数位相对湿度（RH）和温度「单晶片感测器」解决方案。新型Si7005感测器透过在标準CMOS基础上融合混合讯号IC製造技术，并採用经过验证
2012-11-13 09:26:571023 TI的CC2430单晶片机的范例程式
非常实用的示例代码
2015-12-29 15:43:281 淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。 绝缘体上的单晶硅（SOI）材料的制造方法 本发明
2017-09-28 16:35:3018 联发科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系统单晶片，其结合 CPU 与GPU的升级，实现了更强大的 AI 处理能力，预计将抢在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083913 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶
2018-11-19 08:00:0024 供应则要增添纯水制造设备。 三种方法都用了超声波清洗仪器。第一种是常规液体清洗方法，第二种是改进型含氟溶剂清洗方法，增添汽相清洗工艺，单纯用超声波清洗或单纯用汽相清洗方法效果都不好。第三种是以纯水溶剂取代含氟溶剂，符合世界限制和停止氟里昂生产和应用，大势所趋，对环保有利。
2018-12-20 15:53:102107 同上，如果没有符合要求的纯水供应则要增添纯水制造设备。 综上所述，三种方法共同利用超声波清洗，这是不可缺少的。第一种为常规液体清洗方法，第二种为改进型含氟溶剂清洗方法，增添汽相清洗，单纯用超声波
2019-01-04 15:58:561487 首先估算清洗剂原液用量：方法一、根据冷凝器的换热面积及结垢厚度×水垢比重算出垢的重量后×4就是清洗剂的用量；方法二、冷凝器的外形体积＋清洗管线容积后再÷4就是清洗剂的初始用量；
2019-08-14 14:05:1813690 对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。
2020-07-04 10:32:521862 该团队展示了一种通用可行的基于激光热效应的再结晶方法，可制造从微米到纳米尺度直径的超长SnSe单晶纤维。实验证明SnSe单晶体，除常见的Pnma和Cmcm相外，存在稳定的单晶岩盐Fm-3m相。
2020-09-01 10:53:322593 本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说，本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶硅晶片的表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:211999 1月14日消息 盛美半导体官方发布，1 月 8 日，盛美半导体首台应用于大功率半导体器件制造的新款 12 寸单晶圆薄片清洗设备已通过厦门士兰集科量产要求，提前验收！该设备于 2020
2021-01-14 16:12:501940 半导体单晶和薄膜制造技术说明。
2021-04-08 13:56:5138 通过对 Si ， CaAs ， Ge 等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究 ， 分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法将晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 在实际清洗处理中，常采用物理、或化学反应的方法去除;有机物主要来源于清洗容积、机械油、真空脂、人体油脂、光刻胶等方面，在实际清洗环节可采取双氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相应半导体单晶抛光片
2021-06-20 14:12:151150 单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英
2021-12-20 15:40:31776 
半导体行业需要具有超成品表面和无损伤地下的硅晶片。因此，了解单晶硅在表面处理过程中的变形机制一直是研究重点。
2021-12-22 17:35:40724 
高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制，以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量，同时提高生产率和盈利能力。 硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此
2022-01-05 17:36:58266 摘要 在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要
2022-01-18 16:08:131000 
引言 外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料，商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序
2022-02-22 16:01:08904 
摘要 在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。在每一步中，晶片
2022-02-23 17:44:201426 摘要 该公司提供了一种用于清洗半导体晶片的方法和设备 100，该方法和方法包括通过从装载端口 110 中的盒中取出两个或多个晶片来填充化学溶液的第一罐将晶片放入。将晶片放入装满液体的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
介绍 单晶片清洗工具正在成为半导体行业取代批量工具的新标准。事实上，它们成功地提高了清洁性能（工艺均匀性、缺陷率、产量）和工业方面的考虑（周期时间、DIW 消耗、环境）。 尽管如此，单晶圆/批量工具
2022-02-28 14:58:45314 
摘要 硅晶片制造涉及许多湿法工艺，其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中，流体分配是至关重要的，它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输，结果表明在冲洗时间的一般分析中必须
2022-03-01 14:38:07330 
摘要 研究了泵送方法对晶片清洗的影响。两种类型的泵，例如隔膜泵和离心泵，用于在湿浴和单晶片工具中循环和供应用于晶片清洁的去离子水。清洗研究表明，泵送方法对清洗性能有很大影响。实验研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术，其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中，然后干燥；另一种
2022-03-04 15:03:502588 
在半导体器件的制造过程中，兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面
2022-03-15 11:28:22460 
残留物由不同量的聚乙二醇或矿物油(切削液)、铁和铜的氧化物、碳化硅和研磨硅，这些残留物可以通过锯切过程中产生的摩擦热烧到晶片表面，为了去除这些残留物，需要选择正确的化学物质来补充所使用的设备。 在晶片清洗并给予
2022-03-15 16:25:37320 
本文介绍了新兴的全化学晶片清洗技术，研究它们提供更低的水和化学消耗的能力，提供了每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益和考虑因素、环境、安全和健康(ESH)效益和考虑因素、技术状态和供应商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57308 
实验研究了预清洗对KOH/IPA溶液中单晶硅表面纹理化的影响。如果没有适当的预清洗，表面污染会形成比未污染区域尺寸小的金字塔，导致晶片表面纹理特征不均匀，晶片表面反射率不均匀。根据供应商的不同，晶片的表面质量和污染水平可能会有所不同，预清洗条件可能需要定制，以达到一致和期望的纹理化结果。
2022-03-17 15:23:08501 本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法，主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的，没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比，半导体公司的效率相对较低，但本研究可以提出在室温
2022-03-21 15:33:52373 
。半导体清洗过程主要使用化学溶剂和超纯水(deionized water)的湿清洗房间法以及等离子体、高压气溶胶(aerosol)和激光。在本文中，我将了解半导体设备制造过程变迁中晶片清洗过程的重要性和热点问题，概述目前半导体设备制造企业使用的清洗技术和新一代清洗技术，并对每种方法进行比较考察。
2022-03-22 14:13:163579 
单片SPM系统使用了大量的化学物质，同时满足28nm以下的清洁规格。 本文描述了在集成系统Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系统和单晶片清洗，结果达到了技术规范，使用了不到单晶片系统中使用的80%的SPM化学物质。
2022-04-01 14:22:551155 
在许多半导体器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中，各种加工步骤可分为四大类，即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。
2022-04-01 14:25:332948 
碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面
2022-04-07 14:46:595904 
喷涂工具、或单晶片旋转工具。在批量浸渍工具中，与其他湿法加工工具相比，存在由水槽中晶片之间的颗粒转移引起的交叉污染问题。批量旋转喷涂工具用于在生产线后端(BEOL)进行蚀刻后互连清洗。
2022-04-08 14:48:32585 
虽然RCA湿式清洗工艺具有较高的清洗性能，但仍存在化学消耗量高、化学使用寿命短、设备大、化学废物产生量大等问题。传统的臭氧化水(DIO3)湿式清洗系统具有较高的有机污染物清洗效率，0.1㎛/min
2022-04-11 14:03:281672 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
法与添加臭氧的超纯水相结合的新清洗法，与以往的方法相比，具有更好的清洗能力，在抑制自然氧化膜生成的同时，可以在短时间内完全除去晶片表面的有机物。
2022-04-13 15:25:211593 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明，表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
本发明公开了一种用湿式均匀清洗半导体晶片的方法,所公开的本发明的特点是:具备半导体晶片和含有预定清洁液的清洁组、对齐上述半导体晶片的平坦区域，使其不与上述清洁组的入口相对、将上述对齐的半导体晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604 在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力，能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28:40258 
在这项研究中，我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案，能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物，无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06:45339 
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621 
本文阐述了金属杂质和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 ，FIB-SEM用于评估镀铜性能，TSV泄漏电流图和电压斜坡介电击穿(VRDB)作为主要电气可靠性指标，也用于评估清洁效果，测试结果表明，兆声能量可以传播到TSV的底部，与传统的单晶片喷淋清洗相比，经过SAPS清洗的晶片表现出明显的电学性能提高。
2022-05-26 15:07:03700 
引言 描述了溢流晶片清洗工艺中的流场。该信息被用于一项倡议，其主要目的是减少晶片清洗中的用水量。使用有限元数值技术计算速度场。大部分的水无助于晶片清洗。 介绍 清洗步骤占工厂中使用的ulaa纯水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。
2022-06-07 15:51:37291 
引言 小结构的清洗和冲洗是微电子和纳米电子制造中的重要过程。最新技术使用“单晶片旋转清洗”，将超纯水(UPW)引入到安装在旋转支架上的晶片上。这是一个复杂的过程，其降低水和能源使用的优化需要更好地理
2022-06-08 17:28:50865 
本发明涉及一种在集成电路制造中减少漏电流的方法，更具体地说，涉及一种在集成电路制造中通过新的预氧化清洗顺序减少超薄栅氧化物漏电流的方法。 根据本发明的目的，实现了一种预氧化清洗衬底表面的新方法。我们
2022-06-17 17:20:40783 
介绍 在IC制造中，从晶圆背面(BS)去除颗粒变得与从正面(FS)去除颗粒一样重要。例如，在光刻过程中，； BS颗粒会导致顶侧表面形貌的变化。由于焦深(DOF)的处理窗口减小，这可能导致焦点故障
2022-06-27 18:54:41796 
本文描述了我们华林科纳单晶片超电子清洗方法的开发、测试和验证，该传感器设计满足极端颗粒中性、颗粒去除效率(PRE)和生产规模晶片粘合的可重复性要求，以及其他需要极低颗粒水平的应用。不同的微电子过程
2022-06-28 17:25:04809 
本文讲述了我们华林科纳的一种在单个晶圆清洗工艺中使用新型清洗溶液的方法，该方法涉及在单一晶片模式下使用清洗溶液，并且清洗溶液包括至少包括氢氧化铵（NH-OH）、过氧化氢(HO)、水(HO)和螯合剂
2022-06-30 17:22:112101 
虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感，但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造，湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要，这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关，因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。
2022-07-07 16:24:231578 
的实验和理论分析来建立晶片表面清洁技术。本文解释了金属和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理，并提出了一些清洗方法。 介绍 LSI(大规模集成电路)集成密度的增加对硅片质量提出了更高的要求。更高质量的晶片意味着晶体精度、成形质量和
2022-07-11 15:55:451025 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在半导体和太阳能电池制造过程中，清洗晶圆的技术的提升是为了制造高质量产品。目前已经有多种湿法清洗晶圆的技术，如离子水清洗、超声波清洗、低压等离子和机械方法。由于湿法工艺一般需要使用含有有害化学物质的酸和碱溶液，会产生大量废水，因此存在废物处理成本和环境监管等问题。
2023-06-02 13:33:211021 
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 根据太阳能电池种类的差异，不同太阳能电池的生产工艺也会有所不同，抉择一块电池性能的重要环节是制作太阳能电池的清洗制绒。单晶硅太阳能电池生产工艺的优劣可判断其在应用过程中是否具有超高的使用价值
2023-08-19 08:36:27811 
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