硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。(图1)这些硅片就是制造
2010-09-10 11:53:43
10339 在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
半导体硅片是制造芯片的载体，因原材料为硅，又称为硅晶片。规划和无经理硅提炼、提纯、单晶硅生产、晶圆成型等工艺后，才能进入芯片单路蚀刻等后续环节，是制造芯片的最重要的前置工艺。该概念主要包含：研发
2022-12-12 14:08:217823 
10月26日上午，省重点项目——郑州合晶硅材料有限公司年产240万片200毫米单晶硅抛光片项目在郑州航空港经济综合实验区投产，这是我省首个单晶硅片生产项目。
2018-10-29 11:36:331716 万股，占公司发行后总股本的比例不低于10%且不超过25%，募集50亿元资金，用于宜宾25GW单晶硅棒及5GW单晶硅片生产建设项目等。 高景太阳能是一家专注于光伏硅片的企业，主营业务为光伏单晶硅棒、单晶硅片的研发、生产和销售，主要产品包括182mm、210mm等
2023-06-16 00:15:002393 
156单晶硅不同扩散方阻下的功率对比
2012-08-06 11:00:48
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
单晶硅太阳能电池详细工艺
2012-08-06 11:49:37
到一块玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。5.[IC测试
2019-01-02 16:28:35
各位大侠，小女子在做半导体退火的工艺，不知道哪位做过有n型单晶硅退火？具体参数是什么？任何经验都可以提，请照顾一下新手，谢谢！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-08 10:43:08
各位大虾，请问哪位做过，用n型高阻单晶硅做欧姆接触的实验的？可以详细地讲讲如何实现良好的欧姆接触的吗？比如用了什么金属，需要镀膜吗？退火的时候需要什么样的气体，多少温度，多长时间？还有其他需要注意的条件？小女子在此表示感谢~
2011-03-15 12:25:03
青海碱业有限公司煅烧车间从2013年开始使用YR-ER101单晶硅差压变送器，选用该系列变送器是看中昌晖单晶硅变送器的高稳定性、低温度漂移和高精度性能。因现场应用环境恶劣，强腐蚀和强电磁干扰对任何
2018-02-25 21:56:50
***求购废硅片、碎硅片、废晶圆、IC蓝膜片、头尾料 大量收购单晶硅~多晶硅各种废硅片，头尾料，边皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:01:11
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2011-04-15 18:24:29
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2010-10-31 13:58:27
颗粒（如三星，现代，美光，力晶，尔必达等）有长期供货能力（这方面渠道的）请与我公司联系采购各类半导体报废晶圆片,IC晶圆、IC硅片、IC裸片、IC级单晶硅片、单晶硅IC小颗粒、IC级白/蓝膜片、芸膜片
2020-12-29 08:27:02
的升高，使硅材料的抗拉强度显著下降，也影响了单晶硅的组织结构，增加了磨削区域残余的热应力，且温度的升高，降低了磨轮金刚砂粒的硬度，也使磨粒与磨削材料之间产生扩散磨损和粘接磨损，使磨粒迅速钝化，降低了磨
2019-09-17 16:41:44
我对工艺不是很懂，在氧化层上直接淀积的话是不是非晶硅？如果要单晶硅的话应该怎么做？（有个思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
QGM600-8XB 单晶硅棒切方滚磨机床是在硅单晶棒数控滚磨机上开发而成，单晶棒数控滚磨机床是我公司独立开发研制的。该产品全部替代了日本滚磨机床，国内很多企业需单晶硅棒
2009-12-20 09:25:37
42 太阳能蓄电池与光照时间的关系
例如:有一块单晶硅电池的组件,最大的输出功率Pm(额定功率)为25W,峰值电压(额定电压)Ump为17.2V,峰值电流(额定电流)为1.45A,开路电压为
2010-10-25 16:15:2822 单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些
2009-03-04 15:13:584212 什么是单晶硅
可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电
2009-03-04 15:14:503428 什么是单晶硅
单晶硅英文名称：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458935 单晶硅电池生产工艺流程详细介绍
2009-11-04 09:17:371994
单晶硅太阳能电池
硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为
2009-11-07 16:18:322206 单晶硅太阳能电池转换效率达到23.4％
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面
2010-01-13 09:16:136410 基于嵌入式Linux的晶体生长控径系统的研究
1 引言
随着单晶硅片制造向大直径化发展，直拉法单晶硅生长技术在单晶硅制造中逐渐显出其主导地位。为使
2010-03-12 11:14:29435 
1）区域熔炼法 以高纯多晶硅为原料，制成棒状，并将多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的单晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根据合同要求，验收单晶硅电池片的功率及等级，例如125的A级，就只要A1的，功率为2.57~2.7，再此时得问清楚电池片的功率是正公差还是负公差，选用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成
2011-06-23 10:43:22149 156单晶硅不同方阻的功率对比 1、方阻越大，扩散方阻的偏差就越大，特别是在温区四和五的位置(炉尾)比较明显。 2、平均功率最高的为方阻50-55，主要体现在50-55的方阻制成的电池片开
2012-05-11 14:36:369 国内领先的准单晶硅片生产商凤凰光伏近日完成了新一代G6（Generation6）准单晶硅片的试生产，并且凤凰光伏计划在今年6月份德国INTERSOLAR展会期间开始全面推广。
2012-05-21 14:08:47975 晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘
2012-06-06 15:33:207828 
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 根据硅片厚度的不同，可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池两大类。本文主要论述以下几种硅基太阳能电池的基本原理：单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池，多晶硅薄膜太阳能电池，非晶硅薄膜太阳能电池，微晶硅薄膜太阳能电池。
2017-05-09 15:58:2622311 
单晶硅太阳电池铝背场的欧姆接触影响其输出特性，采用新的工艺技术降低电池的串联电阻势在必行。随着电池衬底厚度变得越来越薄，传统的丝网印刷工艺使铝背场难以继续发挥其优势，探索硅片特征参量与铝背场特性之间
2017-09-24 10:54:241 硅的材料性能 纯净的单晶硅具有灰色金属光泽 ，硬而脆，是典型金 刚石结构 的半导 体 ，经抛光后 表面光亮如镜 。硅的熔 点为 1420℃，常温下硅 的化学性 质稳定 ，升 温时，很容易
2017-09-28 16:31:3713 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法（CZ法）生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu
2017-09-28 16:35:3018 在单晶硅太阳电池的制备过程中 ，通常利用晶体硅［ 100 ］和［ 111 ］不同晶向在碱溶液中各向异性腐蚀特性 ，在表面形成类似于金字塔的绒面结构 ，使得入射光在硅片表面多次反射 ，提高入射光
2017-09-30 10:49:528 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall 电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照
2017-10-17 15:43:4211 加工流程; 单晶生长一切断一外径滚磨一平边或V 型槽处理一切片一倒角一研磨一腐蚀一抛光一清洗一包装 切断： 目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。 切断的设备： 内园切割机或外园切割机 切断用主要进口材料： 刀片
2017-10-20 14:38:3422 利用闪光式电池测试仪在不同温度和光强条件对单晶硅太阳电池进行了测试。研究发现。当温度在25~65 C时，单晶硅太阳电池光照特性的主要参数随着温度呈线性变化。随着温度的升高，短路电流有小幅度上升，填充
2017-10-21 11:04:4312 一、多晶硅电池与单晶硅电池的比较 多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池相比有如下特点： （1）比起单晶硅，多晶硅硅片更适合用纯度相对较低的原材料，且有更大的装填量，目前常见的多晶硅锭达到 250~270
2017-11-13 14:49:0721 单晶硅作为晶体材料的重要组成部分，目前已经得到广泛的运用。本文主要介绍了单晶硅的相关概念以及全球单晶硅生产商排名状况。
2017-12-18 17:55:3852310 研究人员最近展示了使用单晶硅对可见光进行精确的颜色控制，该研究成果发表在纳米快报上。
2018-02-09 14:20:555076 宁夏银和半导体科技有限公司8英寸半导体硅片项目进入设备装配期，8英寸半导体级单晶硅片将于6月份试生产。
2018-04-21 16:44:002095 本文档的主要内容详细介绍的是半导体材料与集成电路基础教程之单晶硅生长及硅片制备技术。
2018-11-19 08:00:0021 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
2019-02-22 09:01:2311879 研磨：指通过研磨除去切片和轮磨所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的翘曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
2019-03-06 11:30:4422995 
单晶硅具有两种同晶，结晶和无定形。晶体硅进一步分为单晶硅和多晶硅，两者都具有金刚石晶格。该晶体硬且脆，具有金属光泽，并且是导电的，但导电性不如金属，并且随温度增加，并且具有半导体特性。
2019-04-11 13:53:31175542 单晶硅光伏组件是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池板，目前广泛的应用于光伏市场中。单晶硅光伏组件光电转换率较高，在弱光条件下表现比同类产品更好。多晶硅光伏组件是由多晶太阳能电池片按照不同的串、并阵列排列而构成的。多晶硅光伏组件性价比较高，交大光谷的多晶硅光伏组件的发电效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063230 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
2019-06-24 14:46:3118951 
24张PPT解读半导体单晶硅生长及硅片制备技术
2019-07-26 18:03:447055 3月25日，隆基发布单晶硅片价格公示，单晶硅片P型M6 180μm厚度价格为3.41元，较上个月下降0.06元/片。这是隆基11个月以来166单晶硅片首次降价。
2020-03-26 11:02:411585 
不足10日，隆基相继两次下调单晶硅片价格。为行业传递了什么信号？
2020-04-18 10:07:01799 
芯片的制作首先要从沙子中高温萃取单晶硅然后切成薄片，在薄片上涂一层光刻胶，光刻胶是一种在光的照射下能从不溶于水变成溶于水的感光材料。冲洗掉溶于水的部分，便可以通过蚀刻在单晶硅上留下密密麻麻的刻痕
2020-09-04 16:22:202946 光伏硅片：由于光电效应，且单晶硅优势明显，所以人们使用硅片完成太阳能到电能的转换。在光伏领域使用的一般为圆角方形的单晶硅电池片。价格较便宜的电多晶硅片也有使用，但转换效率较低。
2020-09-14 10:17:1646022 随着单晶硅片制造向大直径化发展，直拉法单晶硅生长技术在单晶硅制造中逐渐显出其主导地位。为使结晶过程更加稳定和实用有效，则需提高对工艺参数的控制精度，基于CCD摄像扫描识别技术的单晶硅等径生长速度控制技术得到业界的重视。
2020-10-04 17:57:001804 
10月26日，隆基在官网发布单晶硅片价格，与隆基上月宣布的P型M10、P型M6以及P型158．75价格相比，这次价格没有任何变动。 自8月初以来，单晶硅片价格维持三个月平稳状态。 8月25
2020-10-27 11:33:111723 电子发烧友为你提供区分单晶硅和多晶硅电池板的方法免费下载
2020-11-24 18:30:4019 11月19日晚间，中环股份发布公告称，中环股份子公司环欧国际与天合光能签订单晶硅片销售框架合同，该公司在2021年度向天合光能销售210尺寸单晶硅片（下称“G12硅片”）合计数量不少于12亿片，合同交易总额以最终成交金额为准。
2020-11-20 11:04:131791 近日，国内领先的半导体分立器件用硅单晶材料供应商中晶科技的IPO首发申请，已获证监会法定程序核准，中晶科技及其承销商与交易所协商确定发行日程，不日将在深交所中小板正式挂牌上市。
2020-12-10 09:35:154204 近日，记者从云南省工业和信息化厅了解到，近年来云南着力推动产业结构优化调整，产业集聚态势逐步显现，目前云南省已形成30万吨单晶硅拉制和41吉瓦切片生产能力，今年前10个月已生产单晶硅12万吨，云南已经成为全球最大的绿色单晶硅光伏材料生产基地，并正在成为全球最大的绿色硅材加工一体化制造基地。
2020-12-23 17:02:352011 单晶硅具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026179 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔，它们在器件中有很大的应用。
2021-12-17 15:26:07857 
半导体行业需要具有超成品表面和无损伤地下的硅晶片。因此，了解单晶硅在表面处理过程中的变形机制一直是研究重点。
2021-12-22 17:35:40724 
摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射(XRD)和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法(PVT)生长AlN(0001)单晶的缺陷和晶格完善性。 一个正六边形的蚀刻坑密度(EPD)约为4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09619 
在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00411 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:342503 
，并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。 当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间而降低。 这种变化已经建模。 这些模型可以延长时间，补充化学物质，或者两者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本研究根据蚀刻条件的变化，对蚀刻特性——蚀刻率和蚀刻系数进行了球面分析，并使用速度、液滴大小、冲击力(PDA)系统分析了喷嘴、喷射压力、线短距离、工质物性值变化时的喷雾特性，并考察了与蚀刻特性的相互关系。
2022-04-14 14:02:00394 
我们研究了碱性刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少数寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征，而电学
2022-04-24 14:59:54441 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37666 
为了形成膜结构，单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻，观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度，用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:362656 
被认为是一个速度源，这是我们提出的一个数学概念，也适用于位错和晶界，速度源的活动取决于相关的M111N平面与掩模之间的夹角，因此在微观机械结构中蚀刻的薄壁相对的M111N侧可以有不同的值。 在图1a中，示出了S 100T单晶硅炉和部分覆盖它的惰性掩
2022-05-20 17:12:59853 
半导体级多晶硅通过在单晶炉内的晶体生长，生成单晶硅棒，这个过程称为晶体生长。半导体硅片则是指由单晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上进行光刻、刻蚀、离子注入等后续加工。
2022-09-29 11:08:496749 单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。
2022-11-02 09:26:274255 半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是电子产品的核心。在电子半导体器件制造中，单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能，也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。因此，对硅片承载区域氧气含量
2023-03-29 11:48:39453 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作，这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺，如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:182459 硅片是一种薄而平整的硅材料，通常以6英寸、8英寸、12英寸等规格制造而成。
2023-05-18 10:33:472135 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻，这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾（KOH）为蚀刻剂，研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程，测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率，用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据，提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
单晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太阳能电池板的类型，其主要区别在于材料。
单晶硅光伏板是由单个晶体制成的硅片组成。该类型的太阳能电池板具有较高的转换效率和稳定性，因此在太阳能发电领域中应用较为广泛。但是，制造过程成本较高，价格较贵。
2023-06-08 16:04:414916 什么是单晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，单晶硅和多晶硅有什么区别，多晶矽与单晶硅的主要差异体现在物理性质方面，主要包括力学性质、电学性质等方面，下面具体来了解下。
2023-06-12 16:44:423981 万股，占公司发行后总股本的比例不低于10%且不超过25%，募集50亿元资金，用于宜宾25GW单晶硅棒及5GW单晶硅片生产建设项目等。 高景太阳能是一家专注于光伏硅片的企业，主营业务为光伏单晶硅棒、单晶硅片的研发、生产和销售，主要产品包括182mm、210mm等大
2023-06-16 17:35:03794 
根据太阳能电池种类的差异，不同太阳能电池的生产工艺也会有所不同，抉择一块电池性能的重要环节是制作太阳能电池的清洗制绒。单晶硅太阳能电池生产工艺的优劣可判断其在应用过程中是否具有超高的使用价值
2023-08-19 08:36:27811 
硅太阳能电池一般可分为单晶、多晶和非晶硅太阳能电池，其中单晶硅电池是当前开发最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已经定型，且广泛用于空间和地面。「美能光伏」生产的美能四探针电阻测试仪，可以对最大
2023-08-22 08:36:291280 电子发烧友网站提供《单晶硅太阳电池的温度和光强特性.pdf》资料免费下载
2023-11-02 11:16:370 单晶硅光伏板是一种基于单晶硅材料制造的太阳能光电设备，常用于太阳能光伏发电系统中。单晶硅光伏板由多个单晶硅太阳能电池片组成，每个电池片都被覆盖在透明的防反射玻璃上，并使用铝框架进行支撑和保护。
2023-11-29 09:46:061005 扩散硅、单晶硅、电容式压力差压变送器的区别与选择 扩散硅、单晶硅和电容式压力差压变送器是常用于工业领域中测量流体压力的仪器。它们各自具有不同的特点和适用场景。下面将详细介绍这三种压力变送器的区别
2024-01-30 15:06:28577 力夫就来说说单晶硅和扩散硅的压力变送器区别？ 一、传感元件 单晶硅压力变送器的传感元件是单晶硅片，通过微机械加工技术制成。单晶硅片具有良好的机械性能和稳定性，能够承受高压力和温度变化，并且具有较高的精度和灵
2024-03-15 11:53:3958 
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