了光刻剂。但重大挑战仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半导体制造业中使用微气泡。因此，我们需要通过明确了解微气泡去除光刻抗蚀剂层的功能机制，来提高微气泡的去除能力。本研究的目的是阐明微气泡对光刻胶层表面的影响。
2022-01-10 11:37:13
1396 
关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
在未来几代器件中，光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱)，使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
光刻胶为何要谋求国产替代？中国国产光刻胶企业的市场发展机会和挑战如何？光刻胶企业发展要具备哪些核心竞争力？在南京半导体大会期间，徐州博康公司董事长傅志伟和研发总监潘新刚给我们带来前沿观点和独家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
涂布后，所得抗蚀剂膜将含有 20-40% 重量的溶剂。后应用烘烤过程，也称为软烘烤或预烘烤，包括在旋涂后通过去除多余的溶剂来干燥光刻胶。减少溶剂含量的主要原因是为了稳定抗蚀剂膜。在室温下，未烘烤
2022-08-29 17:19:58699 
电子发烧友原创 章鹰 近日，全球半导体市场规模增长带动了上游半导体材料旺盛需求，“光刻胶”的突破也成为国内关注焦点。正当日本光刻胶企业JSR、东京应化和美国Lam Research在EUV光刻胶
2022-08-31 07:45:002718 板、封装基板半导体材料与设备半导体材料展区硅晶圆、硅晶片、光刻胶、晶圆胶带、光掩膜版、电子气体、CMP抛光材料、光阻材料、湿电子化学品、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等.一对一采购对接会
2021-12-07 11:04:24
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
，之后经过物镜投射到曝光台，这里放的就是8寸或者12英寸晶圆，上面涂抹了光刻胶，具有光敏感性，紫外光就会在晶圆上蚀刻出电路。 而激光器负责光源产生，而光源对制程工艺是决定性影响的，随着半导体工业节点
2020-07-07 14:22:55
改进；广泛应用于全球半导体行业。光刻胶产品型号及参数[tr=transparent]光刻胶名称型号匀胶厚度规格[/tr][tr=transparent]Merck AZ 正/负可转换型光刻胶AZ
2018-07-12 11:57:08
]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移
2018-08-23 11:56:31
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被
2019-11-07 09:00:18
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著名的半导体设备制造商并指出其生产的设备核心技术： 5卫
2021-07-26 08:31:09
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
半导体材料市场构成：在半导体材料市场构成方面，大硅片占比最大，占比为32.9%。其次为气体，占比为14.1%，光掩膜排名第三，占比 为12.6%，其后：分别为抛光液和抛光垫、光刻胶配套试剂、光刻胶、湿化学品、建设靶材，比分别为7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
`半导体激光在晶圆固化领域的应用1. 当激光照射工件到上，能量集中，利用热传导固化，比用烤箱，烤炉等方式效率高。烤箱是把局部环境的空气（或惰性气体）加热，再利用热空气传导给工件来固化胶水。这种方式
2011-12-02 14:03:52
) （7）光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同.三、晶片分片将晶棒横向切成厚度基本一致的晶圆片，Wafer。四、Wafer抛光进行晶圆外观的打磨抛光。五、Wafer镀膜通过高温，或者其他方式，使晶圆上产生
2019-09-17 09:05:06
圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。总的来说，一套特定的硅晶圆生产设备所能生产的硅晶圆尺寸是固定，因为对原设备进行改造来生产新尺寸的硅晶圆而花费资金是相当惊人的，这些费用几乎可以建造一个
2011-12-01 16:16:40
过程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大颗粒，并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Ａｌ 被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57:46
、芯片封装和微加工等领域。目前，直接采用 SU- 8 光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。SU 8光刻胶光刻前清洗工艺：为了获得更好的光刻效果，在进行光刻胶旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
和可靠性。 3 半导体晶圆制造厂的SPC实际应用 3.1 半导体生产的特点半导体制造是一个极其复杂的过程，从氧化扩散，光刻，刻蚀，洗涤，淀积等大约有不少于三四百个工序；特别是现在各类专用集成电路的需求
2018-08-29 10:28:14
、晶圆、光刻、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等基本步骤。硅熔炼成硅锭：通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万
2017-05-04 21:25:46
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
，但显然值得更多的关注用于商业利用和实施。本文综述了臭氧化去离子水（DI-O3 水）在硅片表面制备中的应用，包括去除有机杂质、金属污染物和颗粒以及光刻胶剥离。 介绍自半导体技术起源以来，清洁衬底表面在
2021-07-06 09:36:27
工艺步骤：光刻：通过在晶片表面涂上均匀的薄薄一层粘性液体（光刻胶）来定义图案的过程。光刻胶通过烘烤硬化，然后通过光穿过包含掩模信息的掩模版进行投射而选择性地去除。蚀刻：从晶片表面选择性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
圆在晶圆制造工艺中有很高的价值，为了保持精确的可追溯性，区别它们和防止误操作是必须的。因而使用条形码和数字矩阵码的激光刻号来区分它们。对300mm的晶圆，使用激光点是一致认同的方法。磨片半导体晶圆
2018-07-04 16:46:41
光刻”将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合，从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计，但这正是我们想要达到的，因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。 刻蚀下一步是去除退化的光刻胶，以显示出预期
2022-04-08 15:12:41
是最流行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或
2021-07-23 08:11:27
` 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
，它们与光刻机被称为半导体制造三大关键设备，而中微的5nm等离子蚀刻机已经具备了国际竞争力。等离子刻蚀机是芯片制造中的关键设备，用来在芯片上进行微观雕刻，每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千
2020-03-09 10:13:54
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
or physical removal to rid the wafer of excess materials.蚀刻 - 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。Fixed Quality Area (FQA
2011-12-01 14:20:47
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00:57
TEL:***回收抛光片、光刻片、晶圆片碎片、小方片、牙签料、蓝膜片回收晶圆片硅片回收/废硅片回收/单晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太阳能电池片/半导休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
形成电路，而“湿法”刻蚀（使用化学浴）主要用于清洁晶圆。 干法刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一。 开始刻蚀前，晶圆上会涂上一层光刻胶或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻时将电路图形曝光在晶圆
2017-10-09 19:41:52
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
) 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 以消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。并使原先的SiO2膜厚度增加，达到阻止下一步中n型杂质注入P型阱中。
2019-08-16 11:11:34
。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。 而100多亿个晶体管就是通过这样的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
非常细小的切口，从而能够在有限面积的晶圆上面切割出更多LED单体。激光刻划对砷化镓(GaAS)以及其他脆性化合物半导体晶圆材料尤为擅长。激光加工LED晶圆，典型的刻划深度为衬底厚度的1/3到1/2这样
2011-12-01 11:48:46
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52
需要各大厂家晶圆,包括东芝.现代.三星.镁光.英特尔.Sandisk.ST 高价收购.上门提货.重酬中介. 专业高价,便捷服务！国内外皆可交易 。同时高价采购半导体材料晶圆.抛光片.光刻片.摄像头晶
2016-01-10 17:50:39
氧化锆基氧化铝 - 半导体晶圆研磨粉 (AZ) 系列半导体晶圆研磨粉是一种细粉磨料，是作为需要高精度的包裹材料而开发的。原材料粒度分布尖锐，粒度稳定，形状呈块状。再以熔融氧化铝为原料，锆英
2022-05-31 14:21:38
、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、等产品进行在线颗粒监测和分析。产品优势：离线优势：PMT-2离线光刻胶微粒子计数器外接离线取样装置，可实现实验室、工厂
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在线光刻胶液体粒子计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水
2023-01-03 15:54:49
光刻胶（光敏胶）进行光刻，将图形信息转移到基片上，从而实现微细结构的制造。光刻机的工作原理是利用光学系统将光线聚焦到光刻胶上，通过掩膜版（也称为光刻掩膜）上的图形
2023-07-07 11:46:07
WD4000半导体晶圆检测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度
2023-12-21 08:58:53
WD4000半导体晶圆厚度测量系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以 后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相 相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底 片与感光涂层。
2016-06-08 14:55:42
0 在国家政策与市场的双重驱动下，近年来，国内企业逐步向面板、半导体光刻胶发力……
2019-04-23 16:15:3612831 
近日，日本对韩国进行出口限制，光刻胶材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498 Mattson Technology Inc.表示，它正与欧洲IMEC合作位于比利时鲁汶的微电子研发中心共同开发新的光刻胶和残留物去除工艺。
2019-08-13 10:15:107842 在国际半导体领域，我国虽已成为半导体生产大国，但整个半导体产业链仍比较落后。特别是由于国内光刻胶厂布局较晚，半导体光刻胶技术相较于海外先进技术差距较大，国产化不足5%。在这种条件下，国内半导体厂商积极开展研究，如晶瑞股份的KrF光刻胶，南大光电的ArF光刻胶均取得较好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165 光刻胶按应用领域分类，大致分为LCD光刻胶、PCB光刻胶（感光油墨）与半导体光刻胶等。按照下游应用来看，目前LCD光刻胶占比26．6%，刻胶占比24．5%，半导体光刻胶占比24．1%，PCB光其他类光刻胶占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395379 全球光刻胶市场规模从2016 年的15 亿美元增长至2019年的18亿美元，年复合增长率达6.3%；应用方面，光刻胶主要应用在PCB、半导体及LCD显示等领域，各占约25%市场份额。
2020-09-21 11:28:043290 
9月16日，安徽马鞍山当涂县9月份项目集中签约、集中开工仪式在姑孰工业集中区举行。 本次集中签约8个项目，其中包括斯坦得LDI感光干膜及半导体光刻胶项目。该项目总投资15亿元，分2期建设。其中，一期
2020-09-24 11:12:053254 光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光
2022-12-06 14:53:541238 此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
2020-10-15 15:09:186447 1月19日晚，国内半导体材料公司晶瑞股份发表公告，宣称购得ASML公司光刻机一台，将用于高端光刻胶项目。
2021-01-21 09:35:512886 按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。本文主要讨论半导体光刻胶。
2021-05-17 14:15:524011 
5月27日，半导体光刻胶概念股开盘即走强，截至收盘，A股光刻胶板块涨幅达6.48%。其中晶瑞股份、广信材料直线拉升大涨20%封涨停，容大感光大涨13.28%，扬帆新材大涨11.37%，南大光电
2021-05-28 10:34:152623 在半导体制造方面，国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备，光刻胶也是重要的一环。而南大光电研发的高端ArF光刻机，已经获得了国内某企业的认证，可用于55nm工艺制造。 南大光电发布公告称，控股
2021-06-26 16:32:372200 德国达姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球领先的科技公司默克日前宣布推出新一代环保精密清洗溶剂产品 -- AZ® 910 去除剂。该系列产品用于半导体芯片制造图形化工艺中清除光刻胶
2021-07-28 14:23:102646 
光刻胶是光刻机研发的重要材料，换句话说光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕迹，就需要网硅片上涂一层光刻胶。
2022-02-05 16:11:0011281 摘要 我们华林科纳提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率，这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外，臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶，由于其非定形碳状层或“地壳”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
摘要 新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺，同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的基板损坏和材料损失，改善了周期时间，释放
2022-03-01 14:39:431350 
摘要 在这项工作中，研究了新一代相流体剥离溶液在各种半导体光刻胶中的应用。这些实验中使用的独特的水基智能流体配方均为超大规模集成电路级，与铜兼容且无毒。实验的第一阶段是确定是否在合理的时间内与光刻胶
2022-03-03 14:20:05451 
半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因此希望引进环保的清洗技术。因此，作为环保的清洗技术之一，以蒸馏水、臭氧为基础，利用微气泡的清洗法受到关注。
2022-03-24 16:02:56733 
在未来几代器件中，去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线后离子注入（源极/漏极、扩展），使用PR来阻断部分电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线（BEOL）蚀刻中，除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性。
2022-03-24 16:03:24778 
本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂，选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明，低粘度正光刻胶AZ703
2022-03-24 16:04:23754 
/O2气体气氛中进行干洗，在CF4等离子体条件下进行干燥，在O2等离子体的条件下进行干燥剂后， 通过执行湿式清洁工艺去除上述残留光刻胶，可以彻底去除半导体装置制造过程中使用的光刻胶，增进半导体装置的可靠性，防止设备污染。
2022-04-13 13:56:42872 
本文的目标是讨论一种新技术，它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合，导致了用于光刻胶去除的单晶片清洗技术的发展。 该技术针对
2022-05-07 15:11:11621 
上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除，扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率，使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。 对图案化结构的横截面SEM检查表明，在几种实验条件和化学条件下可以实现蚀刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241114 
本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物，该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力，而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，简单的理解就是用氧气把光刻胶燃烧掉，光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
2022-07-21 11:20:174870 南大光电最新消息显示，国产193nm（ArF）光刻胶研发成功，这家公司成为通过国家“02专项”验收的ArF光刻胶项目实施主体；徐州博康宣布，该公司已开发出数十种高端光刻胶产品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent
2022-10-21 16:40:0415816 光刻胶是IC制造的核心耗材，技术壁垒极高。根据TECHCET数据，预计2022年全球半导体光刻胶市场规模达到23亿美元，同比增长7.5%，2025年超过25亿美元。
2023-03-21 14:00:492095 光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的性能。光刻占芯片制造时间的40%-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。
2023-10-26 15:10:24359 
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体，不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻胶算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
近期，万润股份在接受机构调研时透露，其“年产65吨半导体用光刻胶树脂系列”项目已经顺利投入运营。该项目旨在为客户提供专业的半导体用光刻胶树脂类材料。
2023-12-12 14:02:58328 光刻胶类别的多样化，此次涨价案所涉KrF光刻胶属于高阶防护用品，也是未来各地厂家的竞争焦点。当前市场中，光刻胶主要由东京大贺工业、杜邦、JSR、信越化学、住友化学及东进半导体等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 光刻胶主要下游应用包括：显示屏制造、印刷电路板生产、半导体制造等，其中显示屏是光刻胶最大的下游应用，占比30%。光刻胶在半导体制造应用占比24%，是第三达应用场景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料，可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
2024-03-04 17:19:18399
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