一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底;通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层;形成掩模层以暴露基底的底层区域;并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域,同时以低于第一速率蚀刻掩模层。
2022-03-29 14:55:27
1620 
本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后,“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂,以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。
2022-04-08 13:59:22
1755 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物,暴露底下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:01
1265 
新的微电子产品要求硅(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究
2022-06-14 13:54:30
918 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具,作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:42
3345 
本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:16
1092 
的晶片 (111)取向的Si晶片几乎不受碱性溶液的侵蚀,因为在这里整个晶片表面形成蚀刻停止。因为晶片的实际取向通常相对于理想晶面倾
2022-07-11 16:07:22
1342 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:06
2774 
山的问题。 以下将说明目前去除晶片正面边缘剑山的方式,在接续的晶片正面上形成一覆盖晶片中心部分的光阻层,并以该光阻层为罩幕,施行干蚀刻法去除晶片边缘上的硬罩幕,留下晶片正面边缘上的硅针
2018-03-16 11:53:10
`什么是硅晶圆呢,硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗?其实二者是一个概念。集成电路(IC)是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
、氢氟酸系、硫酸盐系、硫酸系、碱性氯化铜和酸性氯化铜系。蚀刻开始时,金属板表面被图形保护,其余金属面均和蚀刻液接触,此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后,裸露的两侧出现新的金属面,这时蚀刻液
2017-02-21 17:44:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑
各位大侠:有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水,请告知或提供联系方法。谢谢!!!本人的QQ号码是:414615292
2012-08-08 14:51:57
膜,以及高分子膜和金属膜等。由于在表面硅MEMS加工技术中最常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜,而它们通常采用LPCVD或PECVD来制作。2、PECVD制膜技术PECVD法是利用辉光放电的物理作用
2018-11-05 15:42:42
表面张力仪是专业用于测量液体表面张力值的测定仪器,通过白金板法、白金环法、最大气泡法、悬滴法、滴体积法以及滴重法等原理,实现精确液体的表面张力值的测量。
2020-04-02 09:00:40
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议,意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
批量微加工主条目:批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用各种蚀刻工艺来加工硅。玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并进
2021-01-05 10:33:12
渗出来,轻者在气孔附近结霜,重者将会腐蚀孔周围的镀覆层。 4.在零件表面上如有金属或非金属杂质(如未除尽的封存油脂、油漆标记、划线的涂色、铜迹,经探伤检查后未除尽的磁粉或荧光粉等)粘附,会影响镀覆层在基体上的正常镀覆、与基体的结合力和镀覆层的连续性。 5.零件表面有锈蚀或存在明显的锈蚀痕迹。
2019-04-01 00:33:06
禁止用铅。于是SMOBC 工艺的表面涂覆变为今天的化学浸银、沉锡、沉Ni/Au 、OSP来代替Pb-Sn 合金。万变不离其宗,这些工艺归根结底都属于图形电镀蚀刻法SMOBC 工艺。
2018-09-21 16:45:08
图形表面金属不被擦伤或划伤。所以,在选择蚀刻设备时要特别重视结构形式,能否达到蚀刻速率快、蚀刻均匀及蚀刻质量高的要求。下图是酸性蚀刻机及碱性蚀刻机的外形图。 2)喷淋技术方面: 1 喷淋形状:目前
2018-09-11 15:19:38
图形表面金属不被擦伤或划伤。所以,在选择蚀刻设备时要特别重视结构形式,能否达到蚀刻速率快、蚀刻均匀及蚀刻质量高的要求。 2)喷淋技术方面: 1 喷淋形状:目前通用的喷淋系统应具备的条件和结构形式,是在
2013-10-31 10:52:34
的氯化钠含量过低 解决方法: 按工艺要求调整氯化钠到工艺规定值。 5.问题:印制电路中基板表面有残铜 原因: (1)蚀刻时间不够 (2)去膜不干净或有抗蚀金属 解决方法: (1)按工艺
2018-09-19 16:00:15
清洁 - 表面问题:金属污染的起源:来源:设备、工艺、材料和人力,Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污:可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率,因此当半导体正被蚀刻在下方时,金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳米柱。电子束光刻:硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中,湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒,而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
,但显然值得更多的关注用于商业利用和实施。本文综述了臭氧化去离子水(DI-O3 水)在硅片表面制备中的应用,包括去除有机杂质、金属污染物和颗粒以及光刻胶剥离。 介绍自半导体技术起源以来,清洁衬底表面在
2021-07-06 09:36:27
还改变了湿蚀刻轮廓GaAs 与没有表面处理的晶片相比,反应限制蚀刻更具各向同性;简介 光刻胶的附着力对湿蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量起着关键作用。有许多因素会影响光刻胶对半导体衬底的粘附
2021-07-06 09:39:22
半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理,但是,这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势,无需将晶片破碎成条形。然而
2021-07-09 10:21:36
镜面硅结构时,表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法,用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向,但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
金属连接起来,实现了室温下的焊接。受到外力挤压时,金属液滴的保护层破裂,处于过冷状态的金属液体流出后迅速固化。利用这种方法可以实现室温下的焊接业内人士表示,这项研究非常有趣,或许可以为许多生产过程带来变革,例如在微电子工艺中,这种方法或许可以消除加热对电子元件造成的损害。`
2016-03-10 11:25:22
为什么一些金属连接器的表面并不是像同型号的金属连接器的表面那样光滑?是出了什么状况?
2016-11-02 16:58:28
对完成底部填充以后产品的检查有非破坏性检查和破坏性检查,非破坏性的检查有: ·利用光学显微镜进行外观检查,譬如,检查填料在元件侧面爬升的情况,是否形成良好的边缘圆角,元件表面 是否有脏污等
2018-09-06 16:40:06
什么元件被称为倒装晶片(FC)?一般来说,这类元件具备以下特点。 ①基材是硅; ②电气面及焊凸在元件下表面; ③球间距一股为0.1~0.3 mm,球径为0.06~0,.15 mm,外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
光学3D表面轮廓仪是基于白光干涉技术,结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等快速、准确测量物体表面的形状和轮廓的检测仪器。它利用光学投射原理,通过光学传感器对物体表面进行扫描,并根据反射光的信息来
2023-08-21 13:41:46
是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流
2015-11-27 18:09:05
适用范围 印制线路板制造业发达地区集中开展含铜蚀刻废液综合利用。 主要技术内容 一、基本原理 将印制线路板碱性蚀刻废液与酸性氯化铜蚀刻废液进行中和沉淀,生成的碱式氯化铜沉淀用于生产工业级硫酸铜;沉淀
2018-11-26 16:49:52
使用等离子清洗技术清洗晶圆去除晶圆表面的有机污染物等杂质,但是同时在等离子产生过程中电极会出现金属离子析出,如果金属离子附着在晶圆表面也会对晶圆造成损伤,如果在使用等离子清洗技术清洗晶圆如何规避电极产生的金属离子?
2021-06-08 16:45:05
,所以需要在晶片表面均匀布上高密度的薄膜。再对光刻胶形成以及栅极蚀刻对尺寸进行严格的管理,利用CVD法来沉积多晶硅,形成栅电极。 4、LDD形成:LDD(轻掺杂漏,Lightly DopedDrain
2016-07-13 11:53:44
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程,该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆,也称为基板,通常是平面表面,其中添加了薄薄的材料层,以用作电子和微流体设备的基础;最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
等做为消泡剂,减少现场作业的麻烦。但含硅氧化合物阳离子接***性剂之硅树脂类,则不宜用于金属表面处理。因其一旦接触铜面后将不易洗净,造成后续镀层附着力欠佳或焊锡性不良等问题。 4
2018-08-29 16:29:01
【作者】:袁春华;李晓红;唐多昌;杨宏道;【来源】:《强激光与粒子束》2010年02期【摘要】:利用Nd:YAG纳秒激光脉冲,在能量密度为1~10 J/cm2范围内辐照单晶硅,形成了表面锥形微结构
2010-04-22 11:41:53
金属表面处理,依据工件的大小、材质和制作工艺不同,所采用的金属表面处理剂和处理方案也不同。
2009-12-11 14:00:23
22 N型杂质/P型杂质,N型杂质/P型杂质是什么意思
半导体的导电能力取决于他们的纯度。完全纯净或本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的
2010-03-04 11:52:33
12534 表面黏著晶片零件焊點檢查,表面黏著晶片零件焊點檢查
2015-11-19 11:23:13
0 表面黏著晶片排阻零件焊點檢查,表面黏著晶片排阻零件焊點檢查
2015-11-19 11:24:09
0 本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说,本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶硅晶片的表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:21
1999 目前,在通过干燥工艺去除硅基体表面的金属杂质和损伤方面,湿式工艺是唯一的。因此,进一步提高工艺很重要。
2021-12-14 09:45:39
1586 
引言 到目前为止,GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的残留物的限制,这些残留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此,用显微技术、轮廓术和x光电子能谱研究了氢氟酸对GaAs晶片的腐蚀。发现在蚀刻
2021-12-28 16:34:37
627 
引言 我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31
360 
引言 为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响,我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺(碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻)以及两步蚀刻
2022-01-11 14:05:05
822 
引言 本文介绍了表面纹理对硅晶圆光学和光捕获特性影响。表面纹理由氢氧化钾(KOH)和异丙醇(IPA)溶液的各向异性蚀刻来控制。(001)晶硅晶片的各向异性蚀刻导致晶片表面形成金字塔面。利用轮廓测量法
2022-01-11 14:41:58
1050 
本研究透过数值解析,将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法,了解目前蚀刻阶段流动的形式,并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动,通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:32
340 
减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。
2022-02-10 15:42:36
563 
在超大规模集成生产中,要实现低温加工和高选择性,使硅片表面超洁净至关重要。超净晶圆表面必须完全 没有颗粒、有机材料、金属杂质、天然氧化物和表面微粗糙度,和吸附的分子杂质。目前的干法工艺,如反应离子
2022-02-10 15:49:18
537 
蚀刻的双极高频溅射装置,对干蚀刻进行了基础性研究决定利用一直以来研究的金属陶瓷( Ta - SiQ系)薄膜进行实验,与之前发表的阳极氧化微调进行比较研究。 结果得到了两三个基础性实验结果,特此报告。
2022-02-25 12:12:17
387 
摘要 最近从一家工业薄膜制造商收集的数据表明,近 8% 的设备由于金属过多或设备表面上不需要的金属而被拒绝。实验和分析表明,这些缺陷中几乎有一半是由于在整个上游工艺的加热环境中形成在导电镍表面顶部
2022-02-28 14:59:35
1780 
各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上产生由( 100)和(111)平面组成的孔。在这种情况下,孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面,则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:14
372 
在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42
460 
我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作
2022-03-10 16:15:56
228 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09
619 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-03-16 16:31:58
1134 
本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液中添加的其他醇,详细研究了丁基醇浓度对(100)和(110)Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响,并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液的蚀刻结果,为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理,我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01
288 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18
401 
使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿蚀刻具有重大意义,这将用于生产微电子包装所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了湿蚀刻对浸入48%高频/水溶液中的硅片厚度耗散、减重、蚀刻速率、表面形貌和结晶性
2022-03-18 16:43:11
529 
随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-21 13:40:12
469 
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS,利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻,在晶片内表面附近,研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
2022-03-21 16:15:07
338 
本研究在实际单位工艺中容易误染,用传统的湿式清洁方法去除的Cu和Fe等金属杂质,为了提高效率,只进行了HF湿式清洗,考察了对表面粗糙度的影响,为了知道上面提出的清洗的效果,测量了金属杂质的去除
2022-03-24 17:10:27
1758 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究,多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法,其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀,主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化
2022-03-25 16:33:49
516 
随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-28 15:08:53
990 
,背面的膜会脱落,污染晶片正面。特别是Cu如果受到全面污染,就会成为严重的问题。 目前,在枯叶式设备中,冷却晶片背面膜的方法是翻转,翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下,但是,如果一面进行工程,工程时间将
2022-03-28 15:54:48
1282 
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器,它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法,包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03
729 
引言 硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:10
1679 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1,2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22
361 
硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16
943 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理,对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗,对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗,对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤,对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理,特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46
852 
比的APM清洗被发现可以非常有效地清除硅表面的颗粒和金属杂质。由于APM清洗而导致的微粒度的增加在不同的晶片类型中有所不同;在EPI晶圆上观察到很少增加,但在CZ和FZ晶片上观察到显著增加。然而,
2022-04-14 13:57:20
459 
随着器件的高集成化,对高质量硅晶片的期望。高质量晶片是指晶体质量、加工质量以及表面质量优异的晶片。此外,芯片尺寸的扩大、制造成本的增加等问题受到重视,近年来,对300mm晶片的实用化进行了研究。随着
2022-04-18 16:33:59
879 
本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05
406 
微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程,每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模
2022-04-20 16:11:57
1972 
在集成电路的许多生产步骤中,晶片被一层材料(如二氧化硅或某种金属)完全覆盖。通过对掩模的蚀刻有选择性地除去不需要的材料,从而创建电路模板、电互连以及必须扩散的或者金属沉积的区域。等离子蚀刻工序在这
2022-04-25 16:14:11
271 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片),然后进行称为研磨的平整过程,该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前,蚀刻之后是各种单元操作,例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37
666 
金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学镀
2022-04-29 15:09:06
464 
:H2O2:H2SO4:HF混合物是因为它允许对3种感兴趣的材料的蚀刻速率进行独立控制,而不会使硅表面变得粗糙,然后,在有意被各种金属污染的晶片上,以及在外来材料沉积或传统铜工艺过程中被污染的“生产晶片”上,检查化学效率。
2022-05-06 14:06:45
339 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:20
1419 本文阐述了金属杂质和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:27
4 半导体和光伏产业使用氟化气体来蚀刻硅晶片和(PE)CVD室清洁,期望的结果是由于F原子和其他活性物质,但是未分解的PFC(全氟)气体的排放是不希望的,因为它们具有高的全球变暖效应和高的大气寿命。在这
2022-05-31 16:27:35
1057 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14
904 
浓度(氯与铟的比率)分别为7.2和0.38,还观察到,由于离子化杂质散射,表面残留副产物降低了载流子迁移率,如在蚀刻过程后的ITO图案中所见,由于快速蚀刻速率,王水发生了严重的底切,因此,9 M HCl溶液更适合作为ITO/有机发光二极管应用的蚀刻剂。 本研
2022-07-01 16:50:56
1350 
摘要 随着越来越高的VLSIs集成度成为商业实践,对高质量晶片的需求越来越大。对于表面上几乎没有金属杂质、颗粒和有机物的高度洁净的晶片来说,尤其如此。为了生产高清洁度的晶片,有必要通过对表面杂质行为
2022-07-11 15:55:45
1025 
金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:43
3172 清洗过程在半导体制造过程中,在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。
2023-03-31 10:56:19
314 
抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,硅单晶锭被切成圆盘(晶片),然后是一个称为拍打的扁平过程,包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤,蚀刻之后是各种单元操作,如抛光和清洗之前,它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00
584 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40
618 
电镀是一种利用电化学性质,在镀件表面上沉积所需形态的金属覆层的表面处理工艺。
电镀原理:在含有欲镀金属的盐类溶液中,以被镀基体金属为阴极,通过电解作用,使镀液中欲镀金属的阳离子在基体金属表面沉积,形成镀层。如图13所示。
2023-05-29 12:07:23
644 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来,原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术,它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术,允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05
526 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-12 09:26:03
190 
蚀刻是一种从材料上去除的过程。基片表面上的一种薄膜基片。当掩码层用于保护特定区域时在晶片表面,蚀刻的目的是“精确”移除未覆盖的材料戴着面具。
2023-07-14 11:13:32
183 
钛金属具有较高的比强度和生物相容性,并且由于在金属表面自发形成的钝化膜而具有优异的抗蚀刻性。这种薄氧化膜在空气中容易形成,保护内部活性钛金属免受侵蚀性介质的影响。二氧化钛具有很宽的带隙,因此钛经常被用于各种应用,包括光催化剂、化学传感器和医疗植入物。
2023-09-01 10:18:07
187 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液(蚀刻剂)中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域,化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58
319
正在加载...
评论