不同的蚀刻剂(氯化铁和氯化铜)进行化学蚀刻。研究了选择的蚀刻剂和加工条件对蚀刻深度和表面粗糙度的影响。实验研究表明，氯化铁产生的化学腐蚀速率最快，但氯化铜产生的化学腐蚀速率最快最光滑的表面质量。 关键词:化学蚀刻；铜
2021-12-29 13:21:46
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摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正
2022-01-07 15:07:481129 
，硫可以用来钝化III-V表面。本研究通过SRPES研究了湿化学处理后的一个(nh4)2s钝化步骤的影响。此外，我们还分别用接触角(CA)、扫描隧道显微镜(STM)和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对各种处理后的表面润湿性能、形态和蚀刻速率进行了研究。 实
2022-01-12 16:27:331604 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191101 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423345 
的晶片 (111)取向的Si晶片几乎不受碱性溶液的侵蚀，因为在这里整个晶片表面形成蚀刻停止。因为晶片的实际取向通常相对于理想晶面倾
2022-07-11 16:07:221342 
硅(Si)的深度蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下，通过长时间的金属辅助化学蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾蚀刻，证明了通过蚀刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再现性。在MACE期间
2022-07-14 17:19:33897 
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
PCB，电路板，基板上面如何出现电路呢？这就要蚀刻来实现。所谓蚀刻，先在板子外层需保留的铜箔部分，也就是电路的图形部分，在上面预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉。铜有两层，一层
2017-02-21 17:44:26
来激活化学气相淀积反应。其淀积温度一般在400℃以下，可以用来淀积氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等绝缘体及钝化膜和非晶硅薄膜以及有机化合物和TiC、TiN等耐磨抗蚀膜。在表面硅MEMS工艺中
2018-11-05 15:42:42
。可以通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能作为电极时，就只能进行化学镀。一般化学镀使用的镀液都有强烈的化学作用，化学镀金工艺等就是典型的例子
2018-11-22 16:02:21
的发生不仅要进行充分漂流，而且还要进行充分干燥处理。可以通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能作为电极时，就只能进行化学镀。一般化学镀使用的镀
2013-11-04 11:43:31
通过高温的热老化试验确认是否漂流充分。 2．FPC化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能作为电极时，就只能进行化学镀。一般化学镀使用的镀液都有强烈的化学作用，化学镀金工艺等就是典型的例子。化学镀
2018-08-29 09:55:15
，组装时必须根据沉锡的先后顺序进行。 6、沉银 沉银工艺介于有机涂覆和化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速;即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持良好的可焊性，但会失去光泽。沉银不具备化学镀
2018-11-28 11:08:52
覆→清洗，过程控制相对其他表面处理工艺较为容易。 3. 化学镀镍/浸金 化学镀镍/浸金工艺不像有机涂覆那样简单，化学镀镍/浸金好像给PCB穿上厚厚的盔甲；另外化学镀镍/浸金工艺也不像有机涂覆作为
2018-09-17 17:17:11
令人头痛的平坦性问题;沉锡板不可存储太久，组装时必须根据沉锡的先后顺序进行。 6、沉银 沉银工艺介于有机涂覆和化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速;即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持
2019-08-13 04:36:05
工艺介于有机涂覆和化学镀镍/沉金之间，工艺比较简单、快速；即使暴露在热、湿和污染的环境中，银仍然能够保持良好的可焊性，但会失去光泽。沉银不具备化学镀镍/沉金所具有的好的物理强度因为银层下面没有镍。7
2017-02-08 13:05:30
PCB表面OSP的处理方法PCB化学镍金的基础步骤
2021-04-21 06:12:39
（有害物质限制）和WEEE（废弃电气电子设备）法规旨在消除电子产品中的铅和汞等有害物质，要求绿色或无铅的PCB表面生产结束。ENIG（化学镀镍沉金）和ENEPIG（化学镀镍沉金）作为一种表面成型，不仅可以满足
2023-04-24 16:07:02
)→FQA→成品。 (2)要点仅对导电图形进行选择性电镀。板子钻孔，化学镀铜，光成像以形成导电图形，这时候仅对线路和孔及焊盘进行图形电镀铜，使孔内平均铜厚大于等于20μm，然后接着镀锡(锡镀层作为蚀刻
2018-09-21 16:45:08
的距离的同时，还必须同喷淋的压力结合在一起进行研究和设计，即要达到蚀刻的高质量还必须符合经济性、适应性、可制造性、可维修性和可更换性。 4 压力：在设计时要考虑到压力对蚀刻液喷淋效果，对基板表面能否形成
2018-09-11 15:19:38
在一起进行研究和设计，即要达到蚀刻的高质量还必须符合经济性、适应性、可制造性、可维修性和可更换性。 4 压力：在设计时要考虑到压力对蚀刻液喷淋效果，对基板表面能否形成均匀的蚀刻液流动和蚀刻液的流动量的均衡性
2013-10-31 10:52:34
能在腐蚀液中形成堆积并堵在腐蚀机的喷嘴处和耐酸泵里，不得不停机处理和清洁，而影响了工作效率。 三.设备调整及与腐蚀溶液的相互作用关系 在印制电路加工中，氨性蚀刻是一个较为精细和复杂的化学反应过程
2018-11-26 16:58:50
。 现在有许多PCB表面处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。 1、热风整平（喷锡） 热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在PCB表面涂覆
2018-09-19 15:36:04
主要优点：优异的耐腐性能，即耐酸又耐碱（除硝酸等强氧化性酸外） 除此之外PCB打样优客板还有以下优点：a.高的表面研度，经热处理可达1100Hv b.卓越的耐磨性，相当于镀硬铬 c.无针孔、分层
2017-08-21 08:54:39
一般不采用强助焊剂。现在有许多PCB表面处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。1.热风整平（喷锡）热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在
2018-07-14 14:53:48
，表面上的焊接掩模腐蚀量远小于喷砂PCB，并且当浸入锡时，0.125mm或更大的焊接桥未发现脱落。喷砂PCB表面的焊接掩模腐蚀性最强，发现浸渍锡时，焊接桥在0.125mm以下会剥落。也就是说，火山灰最好用作预处理，其次是针刷和无纺布。喷砂作为预处理具有最差的效果。
2019-08-20 16:29:49
目前，印刷电路板（pcb）加工的典型工艺采用“图形电镀法”.即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。PCB蚀刻
2018-09-13 15:46:18
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
。这个蚀刻步骤可以产生光滑的晶体表面，并且可以通过改变第一步骤的方向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。GaN晶体的湿化学蚀刻是一个非常重要的工艺。清洗效果的好坏极大地影响了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39:22
半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理，但是，这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势，无需将晶片破碎成条形。然而
2021-07-09 10:21:36
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
了腐蚀层。本文讨论了一种新开发的由化学镀镍、钯和金组成的多层涂层系统，作为一种改进工艺。实验研究如下：用于引线键合研究的样品制备（内容略）焊点试件生产加工可靠性研究（内容略）引线键合可靠性评估（内容略
2021-07-09 10:29:30
。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻
2018-04-05 19:27:39
pcb多层板镀镍金板原因分析 1、和虚假的镀金层,和镍层水洗时间太长或氧化钝化,注重纯净水和加强多用热水洗涤时间控制。 2、化学镀镍或镍圆柱的问题:污染重金属污染的代理商,建议低电流电解或活性碳滤芯
2017-09-08 15:13:02
一、化学镀镍液不稳定性的原因1、气体从镀液内部缓慢地放出镀液开始自行分解时，气体不仅在镀件的表面放出，而且在整个镀液中缓慢而均匀地放出。 2、气体析出速度加剧出现上述情况的镀液，若不及时采取有效
2018-07-20 21:46:42
。 ①直接感光法。其工艺过程为覆铜板表面处理→涂感光胶→曝光→显影→固膜→修版。修版是蚀刻前必须要做的工作，可以对毛刺、断线、砂眼等进行修补。 ②光敏干膜法。工艺过程与直接感光法相同，只是不是涂感光胶
2023-04-20 15:25:28
越来越高，化学镀镍/金、铜面有机防氧化膜处理技术、化学浸锡技术的采用，今后所占比例将逐年提高。本文将着重介绍化学镀镍金技术。2 化学镀镍金工艺原理化学镀镍金最早应用于五金电镀的表面处理，后来以次磷酸钠
2015-04-10 20:49:20
提高蚀刻速度。这种方法适用于小型板或原型板。浸入蚀刻通常使用添加了过硫酸镀或过氧化氢的硫酸作为蚀刻剂。 2 滋泡蚀刻 这项技术在浸入蚀刻技术上做了一些修改，它的不同在于空气中的气体进入到了蚀刻溶液中
2018-09-11 15:27:47
; 检验 --> 包装 --> 成品。 流程中“化学镀薄铜 --> 电镀薄铜”这两道工序可用“化学镀厚铜”一道工序替代，两者各有优缺点。图形电镀--蚀刻法制双面孔金属化板是六、七十年代
2018-09-14 11:26:07
现在有许多PCB表面处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。
2021-04-23 06:26:30
改善。是绝佳高CP值选择的MOSFET正面金属化工艺。接下来，将深入介绍化学镀工艺如何进行。 一、化学镀工艺最重要的起始点-前处理(一)铝垫的清洗和蚀刻 前处理主要是在进行铝垫的清洗和蚀刻，将铝垫表面
2021-06-26 13:45:06
否漂流充分。 2.柔性电路板化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能作为电极时，就只能进行化学镀。一般化学镀使用的镀液都有强烈的化学作用，化学镀金工艺等就是典型的例子。化学镀金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:54:35
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
许多小型的金属品，在电镀前须要小心去掉棱角，消除刮痕及拋光表面，以达成最完美的基地，镀后外表才有最好的美观及防蚀的效果。通常这种镀前基地的拋光工作，大型物可用手工与布轮机械配合进行。但小件大量者则须
2018-08-29 16:29:01
一般不采用强助焊剂。现在有许多PCB表面处理工艺，常见的是热风整平、有机涂覆、化学镀镍/浸金、浸银和浸锡这五种工艺，下面将逐一介绍。1.热风整平（喷锡）热风整平又名热风焊料整平（俗称喷锡），它是在
2018-08-18 21:48:12
（负相）、化学镀铜、去除抗蚀剂。 --半加成法：钻孔、催化处理和增粘处理、化学镀铜、成像（电镀抗蚀剂）、图形电镀铜（负相）、去除抗蚀剂、差分蚀刻。 --部分加成法：成像（抗蚀刻）、蚀刻铜（正相
2018-09-07 16:33:49
流程绝大部分工艺都是相似的。各个工艺环节对纯水的要求也是大同小异。我们在线路板生产过程中常用到的电镀铜，锡，镍金;化学镀镍金;PTH/黑孔;表面处理蚀刻等生产过程都需要用到不同要求的纯水。此文章转自
2012-12-12 14:25:08
先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 一.蚀刻的种类 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
如题，PCB表面处理听说有有机涂覆（OSP），化学镀镍/浸金，浸银，浸锡等 这些处理方式在PCB文件中有体现么？如 PCB那一层代表着表面处理方式呢？还是在制板时给厂家说明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
Silane Treatment)，加入传统处理 方式之后，亦可有此效果。它同时产生一种化学键，对于附着力有帮助。
2018-02-08 10:07:46
`求助铝合金表面镀化学镍处理焊接不良问题:1. 焊接后表面发黑2. 焊接润湿性不良化学镍厚度25um, 该产品焊接两次,一次在孔内焊接PIN, 发现表明发黑; 二次焊接一个感应器及铝合金基座, 润湿不良, 请各位帮忙指导!`
2014-10-14 13:13:22
否漂流充分。 2.柔性电路板化学镀 当要实施电镀的线路导体是孤立而不能作为电极时，就只能进行化学镀。一般化学镀使用的镀液都有强烈的化学作用，化学镀金工艺等就是典型的例子。化学镀金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:38:25
针对现有电解式测厚仪测量的镀种有限、测量数据难以存储、处理等迫切需要解决的问题，介绍了一种基于PC 机的数控电解式化学镀测厚仪的软、硬件设计与实现，很好地克服了现
2009-08-21 11:16:42
8 印制电路板化学镍/金工艺是电路板表面涂覆可焊性涂层的一种。其工艺是在电路板阻焊膜工艺后在裸露铜的表面上化学镀镍，然后化学镀金。该工艺既能满足日益复杂的电路板装
2009-10-17 14:55:0231 ; 化学镀镍金工艺原理化学镀镍金最早应用于五金电镀的表面处理，后来以次磷酸钠（NaH2PO2）为还原剂的酸性镀液，逐渐运用于印制板业界。我国港台地区起步较早，而大陆则较晚，于1996年前后才开始
2006-04-16 21:24:27884 3 化学镀镍金工艺流程作为化学镀镍金流程，只要具备以下6个工作站就可满足
2006-04-16 22:00:292112
印制线路板的化学镀银
2009-09-08 15:10:47612 
化学镀是新新研究出的一种金属表面处理技术，工艺简便、节能、环保，拥有广泛的应用。以其优良的防护性能和优越的功能成为了全世界表面处理技术的一个重要发展方向。
2010-10-26 14:05:283910 探讨印制电路板用化学镀镍金工艺
2016-06-15 15:53:570 焊垫表面处理(OSP,化学镍金)
2017-01-28 21:32:490 电路板的电镀工艺流程 （1）图形电镀法 覆铜箔板一钻孔一去毛刺一表面清整处理一弱腐蚀一活化一化学镀铜一全板镀铜一蚀刻电镀图形成像一图形电镀铜一镀锡铅或镍金一退除抗蚀剂一蚀刻一热熔一涂
2017-09-26 15:18:050 PCB采用不同的树脂系统和不同材料的基板。树脂体系的差异将导致处理化学镀铜的活化效果和处理化学镀铜的过程中的显着区别。
2019-03-03 10:08:21887 通常所指蚀刻也称腐蚀或光化学蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 化学镀铜的主要目的是在非导体材料表面形成导电层，目前在印刷电路板孔金属化和塑料电镀前的化学镀铜已广泛应用。化学镀铜层的物理化学性质与电镀法所得铜层基本相似。
2019-04-25 16:15:0617181 化学镀是不加外电流而利用异相固相，液相表面受控自催化还原反应在基体上获得所需性能的连续、均匀附着沉积过程的统称，又称化学沉积、非电解沉积、自催化沉积。其沉积层叫化学沉积层或化学镀层。与电镀比较，化学镀技能具有镀层均匀、针孔小、不需直流电源设备、能在非导体上堆积和具有某些特殊功用等特色。
2019-06-25 15:23:517125 化学镀镍层的退除要比电镀镍层困难得多，特别是对于高耐蚀化学镀镍层更是如此。不合格的化学镀镍层应在热处
2019-08-20 11:21:422963 化学镀镍层的退除要比电镀镍层困难得多，特别是对于高耐蚀化学镀镍层更是如此。
2019-08-22 09:15:29636 化学镀厚铜不需要电镀设备和昂贵的阳极材料，沉铜后经防氧化处理即可进入图形转移工序，然后直接进行图形电镀，缩短了生产流程，有着非常广泛的应用。但由于化学镀厚铜沉积时间长，镀层较厚，在生产中如果参数
2019-09-02 08:00:000 化学镀技术是在金属的催化作用下，通过可控制的氧化还原反应产生金属的沉积过程。与电镀相比，化学镀技术具有镀层均匀、针孔小、不需直流电源设备 、能在非导体上沉积和具有某些特殊性能等特点。
2019-12-03 09:31:437821 PCB线路板的表面处理工艺有很多种，常见的有热风整平、有机涂覆（OSP）、化学镀镍/浸金，沉银，沉锡等。
2020-07-25 11:20:455399 分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案
2021-12-22 17:29:021095 
引言 为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响，我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺（碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻）以及两步蚀刻
2022-01-11 14:05:05822 
引言 湿化学蚀刻是制造硅太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶硅，氢氧化钾溶液被广泛使用，因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理，从而增强单晶硅晶片的光吸收。对于多晶硅晶片，表面纹理化通常通过
2022-01-13 14:47:19624 
硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟、铝、磷或砷。在这一点上，作为我们华林科纳研究的重点，GaAs晶圆是一个很好的候选，它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。 衬底表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用
2022-01-19 11:12:221185 
摘要 综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37905 
分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料，微加工作为使能技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。
2022-03-11 13:58:08514 
根据水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有较低的蚀刻率， 并不会蚀刻掉多晶硅的特性， 工艺易于控制。 因此对于用光学显微镜观察到产生水痕缺陷的晶圆，选用热磷酸重新进行表面化学处理五分钟
2022-03-15 15:09:53325 
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究，多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化
2022-03-25 16:33:49516 
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03729 
中，使共有旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转，通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后，晶片的平坦度，因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板
2022-04-08 17:02:101679 
用氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶硅晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1，2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
旋转轴的多片晶片在蚀刻溶液中旋转，通过化学反应进行蚀刻的表面处理。在化学处理之后，晶片的平坦度，因此为了控制作为旋转圆板的晶圆周边的蚀刻溶液的流动，实际上进行了各种改进。例如图1所示的同轴旋转的多个圆板的配置为基础，旋转圆板和静止圆板交替配置等。
2022-04-12 15:28:16943 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明，表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，通过切片将单晶硅锭切成圆盘(晶片)，然后进行称为研磨的平整过程，该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前，蚀刻之后是各种单元操作，例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37666 
的粘附改善是在光刻胶涂层之前加入天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂层处理还改变了（100）砷化镓的湿蚀刻轮廓，使反应限制蚀刻与未经表面处理的晶片相比更具各向同性；轮廓在[011‘]和[011]方向
2022-06-29 11:34:590 抛光硅晶片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先，硅单晶锭被切成圆盘（晶片），然后是一个称为拍打的扁平过程，包括使用磨料清洗晶片。通过蚀刻消除了以往成形过程中引起的机械损伤，蚀刻之后是各种单元操作，如抛光和清洗之前，它已经准备好为设备制造。
2023-05-16 10:03:00584 
半导体蚀刻设备是半导体製造过程中使用的设备。 化学溶液通过将晶片浸入化学溶液（蚀刻剂）中来选择性地去除半导体晶片的特定层或区域，化学溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 焊垫表面处理(OSP,化学镍金)
2022-12-30 09:21:494 IPC-4552B-中文版-sm TOC印制板化学镀镍 浸金（ENIG）镀覆性能规范
2023-12-25 09:44:074
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