以及实际上能够接合任何种类的晶片材料。粘合晶片键合不需要特殊的晶片表面处理或平面化步骤。晶片表面的结构和颗粒可以被容忍，并通过粘合材料得到一定程度的补偿。也可以用选择性粘合晶片键合来局部键合光刻预定的晶片区域。粘合晶片键合可应用于先进微电子和微机电系统(MEMS)的制造、集成和封装。
2022-04-26 14:07:04
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电压值。在信号传输中产生亚稳态就会导致与其相连其他数字部件将其作出不同的判断，有的判断到“1”有的判断到“0”，有的也进入了亚稳态，数字部件就会逻辑混乱。在复位电路中产生亚稳态可能会导致复位失败
2020-10-19 10:03:17
冯·诺依曼机工作方式的基本特点是什么？计算机系统中采用补码运算的目的是什么？在定点二进制运算器中，减法运算一般通过什么来实现？在定点数运算中产生溢出的原因是什么？和外存储器相比，内存储器的特点是什么？
2021-08-11 08:44:26
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的类外延的疏水键合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
光子集成电路(PIC)是一项新兴技术，它基于晶态半导体晶圆集成有源和无源光子电路与单个微芯片上的电子元件。硅光子是实现可扩展性、低成本优势和功能集成性的首选平台。采用该技术，辅以必要的专业知识，可
2017-11-02 10:25:07
，降低LED的光度。学术界希望把硅和氮化镓整合在一起，但是有困难，主要困难是镓与硅之间的大晶格失配。由于很高的缺陷密度，54%的热膨胀系数，外延膜在降温过程中产生裂纹。金属架直接与硅衬底结束时会有化学
2014-01-24 16:08:55
，12寸晶圆有较高的产能。当然，生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电
2011-12-02 14:30:44
阶段:在硅设计中嵌入传感器、监视器和结构，以深入了解设备生产和现场性能在硅设备的整个生命周期中收集和处理数据，以提供分析，为设计、生产和现场优化提供动力图3。图片由 Synopsys 提供有了 SLM
2022-06-13 10:29:50
夹具；2、用夹具将压电双晶片固定好。3、将激光位移传感器调节到适当位置，并将电路连接好；4、通过试验测试双晶片挠度，并对数据进行处理和分析；测试结果:1、不同电压、轴向力下悬臂双晶片最大挠度实验结果2
2018-01-03 17:00:36
高压放大器在压电双晶片动力学研究中的应用实验名称:压电双晶片动力学特性试验研究研究方向：轴向预压缩双晶片动力学建模及其应用实验内容:（1）不同轴向力下的静态挠度实验：利用激光位移传感器测试双晶片
2018-11-07 17:24:30
1 8127 rdk3.2 ISS数据流是怎么流向，是如下的流向吗？有相关的文档说明吗？CPI ==》VP ==》IPIPEIF ==》ISIF ==》IPIPE ==》RSZ ==》BL ==》H3A ==》BL2 CPI口接收到视频数据 产生VD中断是在ISIF中产生的吗？谢谢
2020-08-14 10:32:37
高温下的电学性能有很大程度的改进，在有些情况下，可以使某些批次的晶片起死回生（因为某些批次的晶片，在使用宝石刀片切割时其高温电性能是不合格的）。大量实验表明：对于同种标准整流类二极管或可控硅GPP产品
2008-05-26 11:29:13
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
结构材料，而不是使用基材本身。[23]表面微机械加工创建于1980年代后期，旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术更加兼容，其目标是在同一硅晶片上结合MEMS和集成电路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅
2021-01-05 10:33:12
清洁 - 表面问题：金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用
2021-07-19 11:03:23
，其中输入数据缓冲，FPGA中产生时钟频率。随后从该缓冲器中读取CDCE中产生的时钟频率。为了更快地从该缓冲区读写，我增加了CDCE72010中的寄存器设置，使得只有DAC缓冲器的时钟信号输出频率从
2019-08-30 07:55:42
可能会有所不同。 TRIAC的一个优点是，转化为热量几乎不会浪费任何功率。热量是在电流受阻时产生的，而不是在电流关闭时产生的。三端双向可控硅完全打开或完全关闭。它从不部分限制电流。 TRIAC
2023-02-21 15:38:08
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响，该如何选择呢？首先
2022-03-29 10:58:06
低温多晶硅制程是利用准分子雷射作为热源，雷射光经过投射系统後，会产生能量均匀分布的雷射光束，投射于非晶矽结构的玻璃基板上，当非晶矽结构玻璃基板吸收准分子雷射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可适用。
2019-09-18 09:11:05
基板在底部填充之前需要烘烤，倒装晶片基材是硅，无须烘烤。烘烤目的是为了驱除基板/组件内的水汽，防 止在固化过程中受热蒸发进入填料而形成气泡。基板/组件需储存在干燥环境中，仅在底部填充前烘烤。烘烤
2018-09-06 16:40:41
要处理细小焊球间距的倒装晶片的影像，需要百万像素的数码相机。较高像素的数码相机有较高的放大倍率， 但像素越高，视像区域（FOV）越小，这意味着大的元件可能需要多次影像。照相机的光源一般为
2018-11-27 10:53:33
什么元件被称为倒装晶片（FC）？一般来说，这类元件具备以下特点。 ①基材是硅； ②电气面及焊凸在元件下表面； ③球间距一股为0.1～0.3 mm，球径为0.06～0，.15 mm，外形尺寸
2018-11-22 11:01:58
制造工艺的问题，往往会有胶水被“挤出”，在 组装工艺中会产生大量气泡的现象，如图1所示。 （1）阻焊膜 阻焊膜一股以液态定影技术获得（LPI），也可以使用干膜法。典型的LPI材料有TaiyoPSR
2018-11-27 10:47:46
。然后再通过第二条生产线处理部分组装的模 块，该生产线由倒装芯片贴片机和回流焊炉组成。底部填充工艺在专用底部填充生产线中完成，或与倒装芯片生 产线结合完成。如图1所示。图1 倒装晶片装配的混合工艺流程
2018-11-23 16:00:22
和测试都在晶片上进行。随着晶片尺寸的增大、管芯的缩小，WLP的成本不断降低。作为最早采用该技术的公司,Dallas Semiconductor在1999年便开始销售晶片级封装产品。2 命名规则 业界在
2018-08-27 15:45:31
的互连。）深而窄的沟槽很难建造。更困难的是封装钌以防止它与硅发生任何相互作用。 下一步的技术是看看它在微处理器的逻辑部分产生了什么样的收益，微处理器的几何结构远没有SRAM的规则。研究人员计划以一种可能
2020-05-11 15:40:48
分析换能器电路中产生这种不稳定电压信号的原因。如图所示，信号源为正弦脉冲信号，幅度500mV，周期30，触发间隔1ms。经功放放大后输出显示在示波器上（第一股30个周期的，幅度最大的信号为经功放
2022-05-11 16:32:17
时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过硅片内部，可以看到，栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，因此具有更小的单元的尺寸，导通电阻更小。常用的沟槽有U型
2016-10-10 10:58:30
个较低的效果。沟槽式感应节水器包含主控制器、幕僚式红外传感器、电磁阀三个部件，而它冲水的这个过程主要是靠红外感应器来触发的，所以本人主要是在这个部分进行改进。在改进之前，红外感应器一旦被触发就会冲水
2013-11-16 00:04:21
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑
双向可控硅结构原理及应用
2012-08-20 13:23:09
ISO11898-1：2003关于时钟容差的规定是什么？发送器时钟同步中产生的问题有哪些？
2021-05-25 07:05:42
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变
2014-10-25 07:53:12
可控硅一、可控硅的概念和结构？ 晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向
2021-09-09 08:23:06
如何预防印制电路板在加工过程中产生翘曲？怎样去处理翘曲的PCB板？
2021-04-25 09:38:32
请高手指点一下，如何把Libview中产生的复数（如1.324+0.334i）导出来，生成TXT格式就可以。多谢了！！
2014-11-19 21:19:40
七段数码管显示电路在仿真过程中产生乱码问题，我已用箭头表明出来了，希望大家能够给以指导，谢谢你们了！！！
2014-06-13 23:01:57
预防印制电路板在加工过程中产生翘曲印制电路板翘曲整平方法
2021-02-25 08:21:39
大家好，我已经在PS中产生了一个100Mhz的时钟信号，并使其在外部被PL接收。我使用了原始的ODDR但没有成功我可以从引脚输出100 Mhz时钟。有什么建议么？？以上来自于谷歌翻译以下为原文
2019-02-22 09:09:05
嗨，我需要使用FJ-33120A在输出中产生信号脉冲。 LV驱动程序不支持此型号的脉冲生成，请你给我一个线程来准备代码吗？谢谢，Ela 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi,I need
2019-05-23 08:52:08
`声音的本质就是噪声，是由振动引起。噪声又分结构噪声和空腔噪声，最终传到耳朵里来的是结构振动而压缩空气或空腔噪声里的压缩空气振动耳膜形成。人耳能听到的频率在20Hz------20KHz之间。电感
2020-06-02 11:39:02
怎样避免在划片时产生硅粉和怎样清除硅粉
2011-04-19 21:54:53
现代处理器或中央处理器（Central Processing Unit，CPU）都采用了最新的硅技术，一个晶片（包含一个处理器的半导体材料块）上有数百万个晶体管和数兆内存。多个晶片焊接到一起就形成
2019-08-06 06:39:09
各位大侠,怎么找不到附件图片中产生波形的VI?
2012-03-23 16:57:12
众所周知，半导体（IC）芯片是在一颗晶片上，历经数道及其细微的加工程序制造出来的，而这个过程就叫做工艺流程（Process Flow）。下列我们就来简单介绍芯片生产工艺流程：芯片工艺流程目录：一
2016-07-13 11:53:44
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
的寿命越短，严重情况下，会导致LED晶片立刻失效，所以散热仍是大功率LED应用的巨大障碍。现有散热技术现有散热技术101为散热铝型材;102为导热硅胶垫片/硅脂;103一106组成铝基板，其中103为
2012-11-15 14:14:36
众所周知，有源器件会在系统中产生非线性效应。虽然已开发出多种技术来改善此类器件在设计和运行阶段的性能，但容易忽视的是，无源器件也可能引入非线性效应；虽然有时相对较小，但若不加以校正，这些非线性效应
2019-07-10 07:04:25
【作者】：袁春华;李晓红;唐多昌;杨宏道;【来源】：《强激光与粒子束》2010年02期【摘要】：利用Nd:YAG纳秒激光脉冲,在能量密度为1～10 J/cm2范围内辐照单晶硅,形成了表面锥形微结构
2010-04-22 11:41:53
1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和 硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。
2019-09-26 09:10:15
在电路中，电阻的联接方法主要有哪几种？限流式熔断器是什么意思？线圈自身电流变化在线圈中产生的感应电动势是什么？
2021-09-24 07:26:53
表面硅MEMS加工技术是在集成电路平面工艺基础上发展起来的一种MEMS工艺技术，它利用硅平面上不同材料的顺序淀积和选择腐蚀来形成各种微结构。什么是表面硅MEMS加工技术？表面硅MEMS加工技术先在
2018-11-05 15:42:42
现不稳定现象，解决措施是必须加上一个泄流电阻。通常情况下这个泄流电阻至少要消耗1-2瓦的功率，这就降低了恒流源电路的效率。 (5)在使用可控硅调光电路对白炽灯调光时，当输入端的LC滤波器与可控硅产生振荡
2016-12-16 18:42:52
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用单片和下一代堆叠硅互连（SSI）技术编写。 “单片和下一代堆叠硅互连（SSI）技术”是什么意思？谢谢娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
怎么把从555中产生的频率 利用51单片机处理计算 最后反馈到1602上显示的 程序过程？
2019-03-08 16:24:05
1）更高集成的功率场效应管——沟槽结构器件2）沟槽型功率管参数的提升3）沟槽型功率管在工程实践中的运用
2010-06-28 08:39:27
22 Protel2004中产生的Gerber文件与各层对应关系表
由Protel2004产生的Gerber文件各层扩展名与PCB原来各层对应关系表:
Layer : File extension顶层Top (copper) Layer : .GTL底层Bottom (c
2009-04-15 09:02:001489 可从两个相同的次级绕组中产生出三组直流电压的电路
该电路虽然结构简单，但可以从两个相同的次级绕组中产生
2009-05-13 23:22:30520 
VI晶片母线转换模块（BCM）之热处理 。
2016-01-06 17:55:140 一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构_石存明
2017-01-07 22:14:032 本文主要介绍的是电子治疗仪中产生的脉冲电流对人体有什么影响，首先介绍了电疗法的作用以及脉冲电流对人体的作用，其次阐述了电子治疗仪中产生的脉冲电流对人体有什么影响，最后详细的介绍了脉冲电流的产生及在医学方面的应用。
2018-05-17 15:07:1134301 
PCB生产过程中产生的污染物的处理方法
2019-08-23 09:01:427353 
的应用场景、框架结构进行分析，概括涵盖的关键技术主要包括工业数据采集、存取和利用技术、工业产品的智能化技术、异构网络的融合技术和工控安全的防护技术，然后通过技术和行业的实施分析说明工业互联网平台在行业中产生的效
2020-10-13 10:00:293692 
在目前中国制造业转型升级的大背景下，工业机器人具备巨大的成长潜力。然而，随着工业机器人使用率的不断提高，在其使用过程中产生了三大误区。
2020-11-06 11:02:29697 残留物由不同量的聚乙二醇或矿物油(切削液)、铁和铜的氧化物、碳化硅和研磨硅，这些残留物可以通过锯切过程中产生的摩擦热烧到晶片表面，为了去除这些残留物，需要选择正确的化学物质来补充所使用的设备。 在晶片清洗并给予
2022-03-15 16:25:37320 
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗和冲洗的硅晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤，对所有种类的硅晶片进行蚀刻预处理，特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。
2022-06-07 15:51:37291 
和效果。当蝶阀处于完全开启位置时，涡轮厚度是介质流经阀体时 的阻力，因此通过该阀门所产生的压力降很小，故具有较好的流量控制特性。 涡轮沟槽信号蝶阀结构非常的简单，阀体的体积小，操作灵活方便，对于启闭涡轮沟槽信
2022-10-25 15:34:562009 手柄沟槽信号蝶阀具有安装快速、简易可靠、不受安装场地限制、便于管道与阀门的维修保养，有隔振隔音与的角度范围内有克服管道连接不同轴而产生仿差，解决温差所产生热胀冷缩。该手柄沟槽蝶阀密封性能可靠、不受
2022-10-25 15:36:311373 APM32F003F6P6_GPIO_IO在其他端口中断中产生计数
2022-11-09 21:03:240 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:011446 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023037 
，下文长江连接器为大家分享电子连接器互连中产生微动腐蚀的影响。1、电子连接器互连中产生微动腐蚀，会导致连接器出现反复的热漂移问题，大大影响连接器的性能。2、电子连接器互连中产生微动腐蚀，影响着连接器的数字
2021-11-26 16:14:59444 
，下文长江连接器为大家分享电子连接器互连中产生微动腐蚀的影响。1、电子连接器互连中产生微动腐蚀，会导致连接器出现反复的热漂移问题，大大影响连接器的性能。2、电子连接器互连中产生微动腐蚀，影响着连接器的数字
2021-10-19 17:44:20513 
在现今IGBT表面结构中，平面型和沟槽型可谓是各占半壁江山。很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的
2023-10-18 09:45:43273 
电阻器是电子电路中常见的被动元件，用于限制电流、调整电压和执行其他电阻性功能。在电阻器的制造中，有两种常见的类型：厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻。这两种类型的电阻器在结构、性能和应用方面都有一些显著的区别。本文将介绍厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻的区别，以帮助读者更好地理解它们的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
导体在磁场中产生的电流大小与以下几个因素有关：导体材料、磁场强度、导体形状和尺寸以及导体运动状态。 首先，导体材料是影响导体在磁场中产生电流大小的重要因素之一。不同材料的导电性能有所不同，导电性
2024-02-26 09:32:24176
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