与湿法蚀刻相比，等离子蚀刻的一个主要优点是能够获得高度定向（各向异性）的蚀刻工艺。
2021-10-07 15:51:00
2670 
硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491943 
引起的，湿法清洗和干法蚀刻清洗工艺被用于去除多晶硅蚀刻残留物，这可能影响电特性和进一步的器件工艺。XPS结果表明，湿法清洗适用于蚀刻残留物的去除。
2022-05-06 15:49:501012 
引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期技术开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AIO蚀刻直接限定了沟槽和通孔的形状，然而，包括层间介电膜的沉积、金属硬掩模和湿法清洗的那些先前的工艺
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽检查 对蚀刻工艺的良好理解始于理解初始掩模轮廓，无论是光致抗蚀剂还是硬掩模。掩模的重要参数是厚度和侧壁角度。如果可能，对横截面进行SEM检查，以确定适用于您的蚀刻步骤的不同特征尺寸的侧壁角度
2022-06-10 16:09:335070 
在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中有详细描述，一旦掩模就位，可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻，图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522866 
本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素
2022-07-12 14:01:131364 
本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定
2022-07-13 16:55:042263 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
反应离子蚀刻 (RIE)是一种干法蚀刻工艺，与半导体工业中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
（干法刻蚀硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蚀二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蚀氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蚀金属，包括干法刻蚀铝、干法刻蚀氮化
2015-01-07 16:15:47
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N衬底？这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。P型
2012-05-22 09:38:48
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蚀掉,称为蚀刻。要注意的是,这时的板子上面有两层铜.在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-11-26 16:58:50
，可以根据菲林与所制作的图形线路是否一致，区分为正片、负片……（一致为正片，不一致为负片）图形转移，可以根据所采用感光材料的不同，分为干法工艺、湿法工艺……（干膜为干法工艺，油墨为湿法工艺）图形转移
2023-02-17 11:46:54
目前，印刷电路板（pcb）加工的典型工艺采用“图形电镀法”.即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。PCB蚀刻工艺
2018-09-13 15:46:18
问题，因为涉及的损害很低。此外，它们比干法蚀刻方法更便宜且不复杂。另一个重要的优点是湿法蚀刻可以选择性地去除不同的材料。本文介绍了n型氮化镓在几种电解质水溶液中(光)电化学行为的基础研究结果，以及在
2021-10-13 14:43:35
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
蚀刻，并总结了它们的优缺点。本研究通过展示 CMP 完成的 GaN 衬底的 ICP 干法蚀刻并讨论 CL 强度下降的原因来显示。在实验结果的基础上，总结了当前 CMP 和 ICP 干蚀刻需要
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依赖蚀刻的 GaN NW 制造工艺。这项工作的重点是改进自上而下的 GaN 纳米线的制造方法，并为 SPE 的制造奠定了潜在的工艺。使用干法和湿法蚀刻的组合，现有
2021-07-08 13:11:24
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号：JFKJ-21-830作者：炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部详情，请加V获取：hlknch / xzl1019^晶体蚀刻工艺中两个蚀刻步骤中的第一个用于确定蚀刻深度，它可以通过几种
2021-07-07 10:24:07
黄金。以上只是基于实验的基础，实验设备也比较简陋，如果再结合湿法清洗设备进行蚀刻工艺，效果会有明显的提高，南通华林科纳半导体设备有限公司生产的湿法清洗设备能在各方面满足要求，使清洗达到事半功倍的效果。 如有侵权，请联系作者删除
2021-07-09 10:23:37
的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺更改，这使得这项工作成为必要。首先，我们从 Clariant AZ4330 光刻胶切换到 Shipley SPR220-3。我们发现后者的光刻胶具有更好的自旋均匀性
2021-07-06 09:39:22
，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻
2021-07-09 10:21:36
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蚀刻的种类要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种
2018-04-05 19:27:39
蒸汽刻蚀是把晶圆暴露于刻蚀剂蒸汽中。氢氟酸是最常用到的。其优点是持续新鲜的刻蚀剂补充到晶圆表面并可以及时停止刻蚀。处于安全考虑，有毒蒸汽需要密封保存在系统内。干法刻蚀对于小尺寸湿法刻蚀的局限在前面已经
2018-12-21 13:49:20
操作，并具备对PECVD或LPCVD工艺优化的能力； 4、 熟悉光刻工艺、湿法刻蚀；离子蚀刻(RIE, ICP etc)者优先;5、熟悉计算机操作，具备相关专业英语阅读能力； 6、工作认真细致、有
2012-12-19 22:42:16
。蚀刻工艺对设备状态的依赖性极大,故必需时刻使设备保持在良好的状态。【解密专家+V信：icpojie】 目前﹐无论使用何种蚀刻液﹐都必须使用高压喷淋﹐而为了获得较整齐的侧边线条和高质量的蚀刻效果
2017-06-23 16:01:38
，可以根据菲林与所制作的图形线路是否一致，区分为正片、负片……（一致为正片，不一致为负片）图形转移，可以根据所采用感光材料的不同，分为干法工艺、湿法工艺……（干膜为干法工艺，油墨为湿法工艺）图形转移
2023-02-17 11:54:22
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 一.蚀刻的种类 要注意的是，蚀刻时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有
2018-09-19 15:39:21
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
磷酸铁锂干法与湿法混料技术比较分析
磷酸铁锂的混料方式主要有两种：
（1）干法混料，将各种物料
2009-12-09 09:18:343368 超细线蚀刻工艺技术介绍
目前，集成度呈越来越高的趋势，许多公司纷纷开始SOC技术，但SOC并不能解决所有系统集成的问题，因
2010-03-30 16:43:081181 微孔制备技术是锂离子电池隔膜制备工艺的核心，其分为干法单向拉伸、干法双向拉伸和湿法工艺。
2018-03-20 13:50:427466 
本文首先介绍了PCB蚀刻工艺原理和蚀刻工艺品质要求及控制要点，其次介绍了PCB蚀刻工艺制程管控参数及蚀刻工艺品质确认，最后阐述了PCB蚀刻工艺流程详解，具体的跟随小编一起来了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940469 反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768520 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前，印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。
2019-08-16 11:31:004646 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺
2019-07-10 15:11:352708 
要注意的是，这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀，其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个
2019-07-08 14:51:342430 
PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟，是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分，正片工艺使用固定的锡保护线路，负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线路。用传统的蚀刻方法到线或焊盘的边缘是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术，我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。
2021-12-22 10:17:21712 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的 100 表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH硅湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:55:35484 
本研究透过数值解析，将实验上寻找硅晶片最佳流动的方法，了解目前蚀刻阶段流动的形式，并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,用实验的方法寻找最佳流动，通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:32340 
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
2022-01-20 16:02:241860 
蚀刻或离子注入，会导致高达10i2-1013 atom/em2的金属污染。湿法工艺对于去除干法加工过程中引入的这些：金属杂质变得越来越重要。
2022-02-10 15:49:18537 
在(NH4)2cr 2o 7–HBr–EG蚀刻溶液中InAs、InSb和GaAs、GaSb半导体溶解过程的特征。蚀刻动力学数据表明，晶体溶解具有扩散决定的性质。溶剂浓度从80体积降低到0体积。根据溶液
2022-02-14 16:47:05447 
本文对单晶石英局部等离子体化学刻蚀工艺的主要工艺参数进行了优化。在射频(射频，13.56兆赫)放电激励下，在CF4和H2的气体混合物中进行蚀刻。采用田口矩阵法的科学实验设计来检验腔室压力、射频发生器
2022-02-17 15:25:421804 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
摘要 公开了一种用于湿法处理衬底的设备和系统，其可用于化学处理，例如蚀刻或清洗半导体衬底。该设备具有处理室，在该处理室中湿法处理衬底。处理液通过开口和喷嘴注入处理室，基板漂浮在注入的液体中并通过注入
2022-02-24 13:41:53953 
的氧化镍未完全去除造成的。这项研究对这些多余金属缺陷的成分进行了分类和确定，评估了推荐的去除氧化镍的湿蚀刻方法，最后提出了一种湿蚀刻工艺，该工艺将快速去除缺陷，同时继续保持所需的半各向异性蚀刻轮廓，这是大多数金属
2022-02-28 14:59:351780 
提高10倍的吞吐量。 虽然大多数公司使用干式蚀刻工艺来创建图案表面，但干式蚀刻的缺点并不小，包括加工设备的成本高，吞吐量低，扩展性差等等。 这种不利因素促使许多人重新燃起对湿法蚀刻的兴趣。历史上，标准
2022-03-08 13:34:36528 了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43336 
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
在半导体微器件的制造中，必须通过蚀刻各种材料，从表面移除整个层或将抗蚀剂图案转移到下面的层中。在蚀刻工艺中可以分为两种工艺：湿法和干法蚀刻，同时进一步分为各向同性和各向异性工艺（见下图）。
2022-03-17 13:36:28404 
硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
2022-03-23 14:17:161811 
本文章将对表面组织工艺优化进行研究，多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法，其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀，主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化工艺
2022-03-25 16:33:49516 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-06 13:29:19666 
关于在进行这种湿法或干法蚀刻过程中重要的表面反应机制，以Si为例，以基础现象为中心进行解说。蚀刻不仅是在基板上形成的薄膜材料的微细加工、厚膜材料的三维加工和基板贯通加工，而且是通过研磨和研磨等机械
2022-04-06 13:31:254183 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比，应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺
2022-04-21 12:27:43589 
的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:31
6 的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化，这些技术需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析，如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻技术)、离子铣削和微切割，但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE技术更具重现性。
2022-06-20 16:38:205220 
和蚀刻残留物。开发的最终工艺产生了具有大约80度的单斜面侧壁轮廓的穿过衬底的通孔，该通孔清除了蚀刻后的掩膜材料。
2022-06-23 14:26:57516 
本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。1，2干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法蚀刻产生的侧壁的典型均方根(rms)粗糙度约为
2022-07-12 17:19:243454 
蚀刻工艺 蚀刻过程分类
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592993 
蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金属蚀刻是一种通过化学反应或物理冲击去除金属材料的技术。金属蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻。金属蚀刻由一系列化学过程组成。不同的蚀刻剂对不同的金属材料具有不同的腐蚀特性和强度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，本文就对其最后的一步--蚀刻进行解析。目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331004 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12700 
蚀刻可能是湿制程阶段最复杂的工艺，因为有很多因素会影响蚀刻速率。如果不保持这些因素的稳定，蚀刻率就会变化，因而影响产品质量。如果希望利用一种自动化方法来维护蚀刻化学，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的，并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻（压痕）和通道释放步骤，以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563989 
干法电极工艺再获国际车企巨头“力挺”。
2023-06-28 09:55:171027 PCB蚀刻工艺中的“水池效应”现象，通常发生在顶部，这种现象会导致大尺寸PCB整个板面具有不同的蚀刻质量。
2023-08-10 18:25:431013 直接蚀刻和剥离是两种比较流行的图案转移工艺。在直接蚀刻工艺中，首先使用光刻技术对聚合物抗蚀剂进行构图，然后通过干法蚀刻技术用抗蚀剂作为掩模将图案转移到衬底或子层上。
2023-09-07 09:57:14292 
一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲pcb打样蚀刻工艺注意事项有哪些?PCB打样蚀刻工艺注意事项。PCB打样中，在铜箔部分预镀一层铅锡防腐层，保留在板外层，即电路的图形部分，然后是其余的铜箔被化学方法腐蚀，称为蚀刻。
2023-09-18 11:06:30670 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜，感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比，全板镀铜的缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
2023-12-06 15:03:45262 GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一，与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子器件近期发展的关键问题。专用于三元结构的干法蚀刻工艺特别重要，因为这种器件通常包括异质结构。因此，GaN基光电器件的制造部分或全部依赖于干法刻蚀。
2023-12-11 15:04:20188 
2023年锂电隔膜出货中干法占比回弹，增速方面赶超湿法31个百分点。
2024-02-21 09:17:41303
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