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电子发烧友网>今日头条>SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

SiC MOSFET中Crosstalk波形错误的原因

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影响第三代半导体SiC MOS阈值电压不稳定的因素有哪些?如何应对?

由于SiC MOSFET与Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性,在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移,导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试
2023-05-09 14:59:06853

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642

浅谈高压SiC MOSFET发展历程与研究现状

高压SiC MOSFET的结构和技术存在着几个重要瓶颈:1)器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加,其他结构(沟道、JFET区等)的存在进一步提高了总导通电阻。
2023-05-04 09:43:181395

SiC MOSFET的温度特性及结温评估研究进展

的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法, 并重点阐述了温敏电参数 (TSEP) 法在 SiC MOSFET 结温评估领域的应用前景, 从线性度、 灵敏度等 6 个方面对比分析了 各方
2023-04-15 10:03:061452

R课堂 | SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法-总结

本文是“SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极-源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02814

碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18

ROHM的SiC MOSFETSiC SBD成功应用于APEX Microtechnology的工业设备功率模块系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项:一般测量方法

SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731

AEC---SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究

摘要:碳化硅(SiC)由于其优异的电学及热学特性而成为一种很有发展前途的宽禁带半导体材料。SiC材料制作的功率MOSFET很适合在大功率领域中使用,高温栅氧的可靠性是大功率MOSFET中最应注意
2023-04-04 10:12:34663

magniv的低vls错误原因

我的客户测试 他的直流电机板的失速状态,得到低 VLS 错误。我们检查了VLS_out的电压=11V,GVLSLVL=0的设置,错误还有其他原因吗?
2023-04-04 08:42:07

沟槽结构SiC MOSFET常见的类型

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329

SiC MOSFET的短沟道效应

在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529

ROHM的SiC MOSFETSiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFETSiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

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