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去年，电动汽车的发展速度比预期的要快。自动驾驶技术已经从短期优先目标推向长期目标，但与 AV 抢先的竞争依然激烈。高级汽车技术论坛将提供有关最新汽车设计趋势的主题演讲、小组讨论、技术演示和教程，包括多管齐下地开发具有自动化功能的节能先进电动汽车。
汽车行业正在参加汽车电气化和汽车自动化的竞赛。为了使电动汽车能够更快地充电，汽车电力电子设计人员需要宽带隙半导体材料 (GaN/SiC) 和能够满足电动汽车效率和功率密度要求的新型动力总成架构。为了保护环境，限制温室气体排放至关重要。
第一天将由 McLaren Applied 电气化主管 Steve Lambert、EPC 首席执行官 Alex Lidow 和华威大学 PGC Consultancy 创始人 Peter Gammon 发表演讲。Stephen Lambert 将探讨效率对这些指标的影响和重要性。
汽车动力总成技术的最新进展加速了双 48 V/12 V 总线架构在轻度混合动力汽车中的使用，该架构可降低 8-15% 的油耗。48 V 总线的可用性还可以支持更重的负载，如空调、更快的机舱加热，以及使用 48 V 锂离子电池更快、更平稳的启动。正如 Lidow 的演讲中所展示的，GaN-on-Si 功率器件是最适合该应用的半导体。
Peter Gammon 将分析 SiC 为何优于硅同行、汽车逆变器中 SiC 技术的现状以及 SiC 芯片生产的经济性。
GaN、SiC、动力总成、充电站
第二天，UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 将谈论 SiC ，并以题为 “使用最新 SiC FET 技术改进车载充电器性能”的开场白介绍 SiC 。碳化硅 FET 已经在车载充电器 (OBC) 电路中确立了自己的地位，尤其是当电池工作电压超过 500V 时。这些器件的低功率损耗允许在此应用中使用通孔和表面贴装封装。Bhalla 将检查这些封装选项的相对热性能，并展示 TO247-4L 和 D2PAK-7L 选项在 6.6KW 和 11KW 充电器中的可行性。
开幕后，德州仪器汽车系统系统工程营销总监 Ryan Manack 和 Wolfspeed 首席技术官兼联合创始人 John Palmour 将分别以以下标题谈论 GaN/BMS 和 SiC： “通往电动汽车之路采用：GaN、BMS 和集成动力系统”——“用碳化硅推动更绿色的未来”
第三天，我们将分析 充电站。英飞凌科技全球应用经理 Elisabeth Preuss 将发表题为 “对下一代快速电动汽车充电器的展望”的开幕式。
随着市场上电动汽车数量的不断增长以及政府要求到 2050 年将汽车排放量降至零的压力，对更高效的充电解决方案的需求日益增长。正如各种消费者研究表明的那样，电动汽车的接受程度在很大程度上取决于高效快速充电基础设施的可用性。配备强大直流充电器的超大功率电动汽车充电站将是未来市场的答案。因此，电动汽车的充电时间可以达到为传统汽车加油的水平。在开幕式上，英飞凌将更深入地了解半导体技术如何推动电动汽车快速充电进入未来。
然后，两个主题演讲将讨论电动汽车的无线充电并展望充电基础设施的未来： “电动汽车无线充电之路”，由 Eggtronic 首席执行官兼首席技术官 Igor Spinella 撰写； ABB Power Conversion 工业部门负责人 Gopal Mitra 和 ABB Power Conversion 电动汽车充电业务全球业务发展经理 Daan Nap 的“电动化我们的移动性：不断发展的 EV 用例如何推动充电基础设施创新” 。
最后，将有两个小组进行讨论。一个小组将包括与主题演讲者和观众的问答环节，而另一个小组将彻底检查宽带隙材料的各个方面。电动汽车和混合动力电动汽车正在寻找既高效又具有成本效益的电力转换解决方案。与硅相比，宽带隙半导体提供卓越的性能。在与 Nexperia、onsemi 和 STMicroelectronics 的小组讨论中，我们将讨论主要挑战以及 GaN/SiC 可以为汽车行业带来哪些好处。
审核编辑 黄昊宇
工商网监
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