第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39:07
这是MOSFET驱动电压，请大神指点，其中的高电平电压波动原因是什么？
2022-05-24 09:32:29
MOSFET在快速关短过程中，驱动电压VGS会在米勒电平处震荡很厉害？请问有解决措施吗？
2018-04-19 21:17:29
电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用
2020-07-06 11:28:15
，几乎没有开关特性的温度依存性。图3: 开关温度特性关于MOSFET的VGS(th)(界限値)关于MOSFET的VGS(th)MOSFET开启时，GS (栅极、源极) 间需要的电压称为VGS(th
2019-04-10 06:20:15
如题。请问一下，MOSFET的手册里面哪个参数能看的出来，当其作为开关管，完全打开的时候，Vgs的电压？同事跟我讲，默认12V大多数都可以完全打开(NMOS)。低于12V就有点悬，MOS打开不完全
2020-11-11 21:37:41
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极
2018-11-28 14:28:20
，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC
2016-11-24 15:27:49
了MOSFET结电容随电压的变化状况。图2由于Q=C*U*t为了方便计算MOSFET所需的驱动功率以及开关损耗，规格书中通常会给出MOSFET 的Q值。图3中描述了MOSFET开通的过程以及不同的Qg
2018-12-10 10:04:29
时，客户工程师发现：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V时，Q1的导通压降只有0.06V，那么，这是不是表明：功率MOSFET在反向工作的时候，VTH比正向导通的时候低？是不是二极管的分流
2017-04-06 14:57:20
mosfet没有上电时，mosfet驱动电压很正常，mosfet上电后，mosfet的驱动电压却变成了这个样子，请问这是为什么？
2019-03-05 09:53:17
第四部第四讲讲解mosfet的开关过程，当Vgs大于开启电压时，Id与Vgs逐渐增大。当Id增大至所需最大电流时，平台电压形成，Vgs与Id成比例(未完全导通)。当mosfet完全导通时，Vgs
2018-10-24 14:55:15
描述DC-DC 转换器 33-42 Vin/12V, 5A 输出该项目最初旨在为驱动 BLDC 电机的半桥开启高端和低端 MOSFET。最好将此设计与栅极驱动器连接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。一、原理介绍如上图，NMOS管是压控型器件，Vgs电压大于Vth开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，Vgs电压小于Vth开启电压时，...
2021-07-21 06:42:25
最近做的项目比较急，当时选件的时候没有注意到AD7606输入是单端的问题，现在板子已经做好，而输入是差分的，所以我想将AD7606换成AD7609来替代，
问题1:AD7609能满足差分输入吗？单端输入的部分输入负端接地就可以了吗？
问题2.替换的话，还需要硬件或软件调整吗?
2023-12-13 06:08:15
就可以获取到ADC数据了吗？程序如下：发送命令为0x21，请问是否还需要进行其他的配置，只需要重复调用此函数应该可以获取到ADC数据了，目前采集不到ADC的数据，请大神技术支持一下！附件P70213-202514.jpg188.8 KB
2018-08-16 07:08:27
AD9220在用FPGA控制时是不是可以直接用PLL产生的10M时钟就可以？我使用内部参考2.5V，将输入端与地短接时，输出的数据是0B80跟0380（13位位OTR位），输入一固定的电压值时输出的数据也不是固定的值，而且数据差别很大。这是怎么回事？
2023-12-21 07:12:17
再请问大家一下，CYT2B7使用SDL库，设置GPIO时只用设置outVal/driveMode/hsiom就可以了吗
还有怎么读取GPIO引脚电平，要用哪个函数来读取，
还有就是，是否能单独
2024-02-02 07:02:41
OrCAD17.4 的DSN设计差异对比功能。 选择Tools--Compare Designs就可以开启DSN设计差异对比的功能。为了让小伙伴更加容易的理解，这里现在两个DSN文件进行对比说明
2020-07-06 15:02:58
DMA配置成DMA_Mode_Normal模式，开启传输完成中断，在中断函数中再次开启DMA怎么配置？直接调用"DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE)"函数就可以了吗？
2015-07-21 21:43:12
IO的电平难道不是由对应bank电源引脚的输入电压决定的吗？在硬件上已经把bank0的电源连接到3.3V了，通过sysctl_set_power_mode似乎不能把某个引脚设定到1.8V，请问是这个函数作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
的VGS（ON）阈值，源电压开始跟随栅极电压向地面倾斜。即使实际上源电压等于0V，栅极继续斜坡到零，从而关闭电源设备。这个在某些应用中，逐渐关断特性（而不是栅极驱动的突然复位）可以最小化MOSFET中
2020-07-14 14:53:05
MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会
2021-11-12 08:18:19
通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合
2011-11-07 15:56:56
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-05-07 06:21:55
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-9-15 14:48 编辑
TVS管选型计算，TVS元件的耗散功率大于按这个标准的波形功率就可以？这里测试波形的功率计算，没看懂
2021-09-15 14:04:00
会写FPGA 驱动或者DSP驱动或者逻辑，熟悉FPGA 的就可以，有意者联系哦~qq：462551726或1927458596
2015-06-01 11:11:28
is memory-mapped感觉CPU不能直接从L1P中取指，那么实际使用时我应该怎么处理，使用时只需要在定义CMD文件的时候，指定固定代码在L1P SRAM对应的地址就可以了吗？还是需要其他使用方法？谢谢！
2019-01-18 13:30:52
1.mos管漏源极电压只要是不超过最大值就可以导通对应的电压吗？2.mos驱动芯片如IR2110，其供电的VCC电压只要不超过手册的最大值且大于最小值就可以随意取吗?
2021-04-06 20:34:12
想问，本来打算用STM32IO口驱动光耦，然后光耦输出端集电极接电压，控制PMOS管导通。但是发现很多光耦，都有（需要）10-20V的电源电压。光耦不是电流驱动就行了吗。电流如果在其导通发光二极管范围内，是不是就可以导通，不必看电压大小了。
2018-05-08 09:52:29
解码8位数码管显示，按一次得到两组数据，xx xx xx xxxx xx xx xx 然后发送这组数据就可以控制空调，是这样子的吗？
2015-01-02 17:29:24
请教牛人： 我要对N76E003进行ISP更新程序时，利用n76e003的串口和电脑的串口进行通讯时，只要RXD，TXD两根线通讯就可以了吗？还要不要N76E003的第三个IO口，或者RST复位端口？我记得有的芯片，利用串口ISP更新程序，需要第三个IO口设置电平识别的。
2023-06-16 06:09:37
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小驱动电阻可以减小线性区持续的时间
2017-03-06 15:19:01
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
）中，对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供，而ID由分立元件构成恒流源，其工作原理非常简单：就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性，调节G极的电压就可以调节电流的大小
2017-01-13 15:14:07
，如图2所示。反之，关断时，电流从最大值线性地下降到0的同时，电压也线性地从0增加到0最大值。图2：阻性开通时电流、电压波形基于上述的波形，在电流和电压重叠的时间区域内对其积分，就可以计算阻性开通
2016-12-16 16:53:16
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
如图，VB接到10~20V,当内部信号拉高HO，HO的电压等于VB的电压，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此时MOSFET导通，VS的电压等于HV.HV是高电压，我们设定为30V.这
2020-12-27 16:55:32
关于 增强型PMOS管开启电压Vgs疑问 有以下三个问题，请教各位大神：1、如下图：增强型PMOS管G极接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S极电压高于0v（至少零点几伏）的时候才能导通，可是下图
2017-11-22 10:01:58
Vgs（th）相等，并且Id变为零时，这个阶段即结束。这个阶段结束后，MOSFET将完全关断。 阶段4 [t=t4] ,栅极驱动对Cgs持续放电，直至Vgs电压水平变为零。 B.传统的TO247封装
2018-10-08 15:19:33
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以输出14V，那么当外接MOS管输入电压是24V是，这个MOS管的VGS能达到开启的状态码？如果不开启，那怎么实现大电流的控制呢？
2019-04-03 08:48:56
电压等于0的时候，漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏，当所有的讨论都是基于源级接地的电路时，当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时，电流怎么变化，两种管子工作在
2019-04-08 03:57:38
请问各位高手.新买的 ARM芯片是不是直接安装上去就可以直接下载程序工作了了吗, 还需要有什么别的设置吗.
2023-04-19 16:54:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
雾化片的电压难道不是分解水的吗？让水变成小小的颗粒？崩溃,谁告诉我雾化片的电压到底是做什么用的
2012-12-04 16:11:37
用其作为放大区域使用（类比BJT的放大去）。MOSFET的变阻区相当于一个受Vgs控制的变阻器，当Vgs增大时沟道电阻变小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流过较大的电流。利用 MOSFET截止区和变阻区的特性，就可以将 MOSFET 应用于 逻辑或功率开关。`
2020-03-09 15:36:41
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
，即MOSFET的导通电阻RDS(ON)为负温度系数，可以将这个区域称为导通电阻RDS(ON)的负温度系数区域。 图2：MOSFET转移特性而在VGS-ZTC电压的右上部分曲线，如图2的A点区，VGS
2016-09-26 15:28:01
，而且Crss电压也正向增加到米勒平台电压。从图3可以看到，在米勒平台区，VGS电压不是绝对的保持不变，而是应该有非常小、非常小的上升幅度，这样的幅度可以忽略，因此基本上认定其电压保持不变，MOSFET在
2016-11-29 14:36:06
MOSFET工作也可以工作在饱和区，即放大区恒流状态，此时，电流受到沟道内电子数量的限制，改变漏极电压不能增加流通电流。功率MOSFET从放大区进入稳态工作可变电阻区，此时，VGS驱动电压对应的的放大恒流状态
2016-08-15 14:31:59
MOSFET的门极驱动电压Vgs可以判断MOSFET中的电流大小。图5中Vgs峰值为9.1V，图6中Vgs峰值为6.4V，所以增加电容使得峰值电流减小。Id也可从MOSFET的转移特性图中获得。&
2009-12-03 17:25:55
可以用ID=IDSS (1-VGS/VP)^2来表示。通过使用这个表达式，可以找到Vgs的ID值。3、P沟道耗尽型MOSFET的漏极特性P沟道耗尽型MOSFET的漏极特性如下图所示。这里VDS电压为负
2022-09-13 08:00:00
请给一个430驱动蜂鸣器的程序，只用让它叫就可以了！！！！！！！！！
2014-11-25 10:46:51
boot_image_file_name.bin -boot -v5505 -b -serial8，将OUT文件转化为BIN文件后，是不是直接烧录到flash中就可以了？还是需要自己再写跳转程序？
2019-10-24 09:11:19
AD5663为啥需要一直写入才能输出电压？正常芯片不是只配置一两次就可以稳定输出电压了吗？
2019-03-04 11:09:44
AD9220在用FPGA控制时是不是可以直接用PLL产生的10M时钟就可以？我使用内部参考2.5V，将输入端与地短接时，输出的数据是0B80跟0380（13位位OTR位），输入一固定的电压值时输出的数据也不是固定的值，而且数据差别很大。这是怎么回事？
2018-12-12 09:10:54
您好，请问ADE7953连接罗氏线圈时，电流通道只用低通滤波就可以了吗？是否还需要其它硬件？软件配置时，是否只开启数字滤波器就可以了？我现在开启数字滤波器后，外部不加电流情况下，输出总数在跳动，不能得到一个稳定的值，麻烦哪位给点意见，谢谢！
2023-12-25 07:44:00
在网上搜了一下都说RS232只能点对点通讯。为什么呢，是什么决定了它只能点对点通讯，为什么不能像485那样给从机设上地址，不让从机主动发消息不就可以实现了一主多从了吗？
2019-01-14 20:30:11
有个问题想要请教，一块板子一方面USB转串口连接电脑，另一方面通过手机充电器供电，充电器的5v电源线可以直接和USB的5v线接在一起吗，是不是只需要共地就可以了
2019-04-04 06:36:46
理论上讲把如果设为混杂模式的话，同一个频道的设备都可以通信，是不是使用MAC_MlmeSetReq（）讲混杂模式的字段设置为TRUE就可以了。但是为什么没有效果？是接收的时候需要特殊处理么？还是zigbee不支持混杂模式？
2018-08-13 06:02:05
北斗导航模块已经选好型号，天线采用有源陶瓷天线，是天线直接连到北斗模块的RF_IN就可以了吗？
2019-07-22 04:14:30
-1.3V，设置 VGS=-1.6V，电压绝对值大于 -1.3V，是否该 MOSFET 正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V 的 RDS(on) 的压降对系统没有任何影响。原来
2020-03-24 07:00:00
自移动4G试商用以来，4G速率高成为毫无争议。来自各种宣传的说法，杭州TDD-LTE实测最高速率达到100Mbps，远超于现有固网宽带速率。有了4G，我们是不是就可以砍掉固网了？
2013-02-20 10:56:14
1052 压降的MOSFET。罗恩可以进一步降低通过选择一个较低的电压齐纳，但是，要知道的栅极电流。尺寸R1这样产生的VGS不会导致栅极电流大于5A.较大负荷会降
2017-04-11 14:45:17
6 导电沟道刚刚形成的时候那个正偏电压Vgs，称为开启电压Vgs（th）（或称为“阈值电压”）；Vgs大于Vgs（th）的这一段电压区间，称为可变电阻区，MOS管漏极D到源极S的导通阻抗随Vgs增大而降
2018-05-08 16:01:5313527 
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。
2020-01-29 14:18:0019390 
如何阅读代码还要单独写一篇文章？难道不是随便用一个IDE就可以了吗？回到上一篇文章里介绍的那个问题，需要修改uboot里board_mmc_init函数里的writel(0x66666666,REG_MFP_GPD_L) ，对于初学者如何在uboot代码里找到这句话呢？当时问我这个问题的网友就有这个困惑。
2020-02-22 14:43:034255 电子发烧友网站提供《如何让STC单片机接上电就可以开始工作.pdf》资料免费下载
2020-11-26 23:48:0010 最近网上比较火的一个伪科学视频，说电动车跑不远的话，颠倒下电池的位置就可以跑远，有部分网上问是不是真的。本来觉得大家都知道就没有回答，但问的多了，今天咱们就说说，稍微懂点原理动动脑筋思考一下
2021-01-13 11:00:265322 MOS管驱动电压最大是多少？过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为：du超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会
2021-11-07 13:21:0319 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到MOSFET的开启电压时，MOSFET导通等同开关导通，有IDS通过，实现功率转换。
2022-11-28 15:53:05666 继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
功率MOSFET在开通的过程中，当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2，漏极电流ID从0增加系统的最大的电流，VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:099 为什么可以认为Vgs电压是不变的？ Vgs电压，也就是场效应管（FET）的栅源电压，在某些情况下可以被认为是恒定的。这是因为在FET工作的过程中，栅电极和源极之间没有导电材料。这意味着，当FET
2023-09-20 17:05:451405 了解这些就可以搞懂 IGBT
2023-11-24 15:47:29296 
如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
2023-12-05 16:46:29482 
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