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电子发烧友网>今日头条>使用 Si 和 SiC 器件的电力电子教育工具箱

使用 Si 和 SiC 器件的电力电子教育工具箱

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随着电力电子技术向高频、高效、高功率密度方向发展,碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等功率器件在众多领域得到广泛应用。在这些功率器件的封装与连接技术中,银烧结技术凭借其独特的优势逐渐
2025-06-03 15:43:331152

SiC功率器件在纯电动卡车中的应用的秘密

-回答星友xuu的提问,关于SiC功率器件在纯电动卡车中的应用解析-文字原创,素材来源:各厂商,网络-本篇为知识星球节选,完整版报告与解读在知识星球发布-1200+最新电动汽车前瞻技术报告与解析已
2025-06-01 15:04:40457

硅基时代的黄昏:为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和平面高压硅基MOS
2025-05-30 16:24:03932

SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题

电力电子领域,当多个SiC MOSFET模块并联时,受器件参数、寄生参数等因素影响,会出现动态电流不均的问题,制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题。
2025-05-30 14:33:432259

GaN与SiC功率器件深度解析

本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析,描述了这些技术的现状,重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:571759

34mm碳化硅(SiC)功率模块应用在电力电子系统的推荐方案

34mm碳化硅(SiC)功率模块应用在电力电子系统推荐方案 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
2025-05-04 13:23:07838

电力电子新未来:珠联璧合,基本半导体SiC模块及SiC驱动双龙出击

珠联璧合,SiC模块及SiC驱动双龙出击 ——BASiC基本股份赋能电力电子新未来 珠联璧合,双龙出击 ——BASIC Semiconductor SiC功率模块与SiC驱动板重塑电力电子行业价值
2025-05-03 15:29:13628

SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

0  引言SiC-MOSFET 开关模块(简称“SiC 模块”)由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 开关速度更快
2025-04-23 11:25:54

SiC二极管和SiC MOSFET的优势

随着现代电子技术的不断发展,尤其是在电力电子领域,宽禁带半导体材料的应用逐渐受到重视。碳化硅(SiC)作为一种重要的宽禁带半导体材料,因其优异的物理性能和电气特性,越来越多地被应用于高效能、高频率
2025-04-17 16:20:38998

麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC)MOSFET动态测试中的应用

行业基础设施演进,为电力电子从“硅时代”迈向“碳化硅时代”提供底层支撑。 相关研究: L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
2025-04-08 16:00:57

Keithley高压静电计的SiC器件兆伏级瞬态击穿特性研究

一、引言 1.1 SiC材料在高压电力电子领域的应用背景 碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁带宽度、3.7×106 V/cm的临界击穿电场、高热导率等
2025-03-31 13:36:51605

中国电力电子客户不再迷信外资品牌的IGBT模块和SiC模块

中国电力电子客户逐渐摆脱对国外IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管)和SiC功率模块供应商的依赖,转向国产替代产品IGBT模块和SiC模块,这一转变是技术、市场、政策和信任危机等多重因素共同作用的结果
2025-03-28 09:50:49712

新型SIC功率芯片:性能飞跃,引领未来电力电子

随着电力电子技术的快速发展,对功率半导体器件的性能要求日益提高。碳化硅(Silicon Carbide,简称SiC)作为一种第三代半导体材料,因其宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率
2025-03-27 10:49:441194

中国电力电子厂商创新之路:采用国产SiC模块全面取代进口IGBT模块

、经济、政策及挑战与应对五大维度展开深度分析: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体
2025-03-21 08:19:15789

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE

CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工业级全碳化硅(SiC)半桥功率模块,专为高功率密度、极端高温环境
2025-03-17 09:59:21

GaN、超级SISiC这三种MOS器件的用途区别

如果想要说明白GaN、超级SISiC这三种MOS器件的用途区别,首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性,然后再根据材料特性分析具体应用。
2025-03-14 18:05:172381

全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必
2025-03-13 00:27:37767

电力电子器件的换流方式

由于采用电力电子器件作为开关器件,各支路间电流的转移必然包含着电力电子器件开关状态的变化,它包括关断退出工作的已处通态的器件和接通进入工作的原处断态的器件。由于器件和电路元件都具有惯性,上述器件开关
2025-03-12 09:58:351320

SiC与GaN技术专利竞争:新兴电力电子领域的创新机遇

在过去十年中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势,如降低功率损耗、更高的开关速度以及能够在高温下工作,使其特别适用于电动汽车(EV
2025-03-07 11:10:29953

2025被广泛视为SiC碳化硅在电力电子应用中全面替代IGBT的元年

2025年被广泛视为碳化硅(SiC器件电力电子应用中全面替代IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的元年,在于国产SiC(碳化硅)单管和模块价格首次低于进口IGBT(绝缘栅双极型晶体管)单管及模块
2025-03-07 09:17:271320

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述

拿到一个ST的宣传材料,该资料介绍了Si/SiC混合功率器件可能是过渡到全SiC的中间方案,也找了文章了解了一下原理。资料有限,标题的问题没找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152091

碳化硅功率器件的特性和应用

随着全球能源需求的快速增长和对可再生能源的重视,电力电子技术正经历着前所未有的变革。在这一过程中,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优越的性能,正在逐步取代传统硅(Si
2025-02-25 13:50:111608

SiC器件封装技术大揭秘:三大“绝技”让你惊叹不已!

半导体碳化硅(SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,以其耐高压、高温、导通电阻低、开关速度快等优异特性,在电力电子领域展现出了巨大的应用潜力。然而,要充分发挥SiC器件的这些优势性能,封装技术起着
2025-02-21 13:18:361795

BASiC基本股份国产SiC碳化硅MOSFET产品线概述

倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件
2025-02-12 06:41:45947

有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不仅会降低外延片的良品率,还可能对后续器件的可靠性产生严重影响。因此,有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成,对于提升Si
2025-02-10 09:35:39401

水冷负载:节能环保的测试新选择

电力电子测试领域,负载是不可或缺的关键设备。随着测试功率的不断提升,传统风冷负载的能耗和噪音问题日益突出。水冷负载作为一种新型测试设备,凭借其高效的散热性能和节能环保特性,正在逐步取代传统
2025-02-07 11:11:11

VirtualLab Fusion应用:AR&MR光波导器件的仿真研究

随着增强现实和混合现实(AR&MR)领域新技术的出现,使光学光波导越来越受欢迎。为了对此类结构进行建模和设计,VirtualLab Fusion使用其强大的光波导工具箱,该工具箱允许
2025-02-06 08:56:14

负载电力系统测试中的应用与优势

电力系统是现代社会的核心基础设施,其稳定性和可靠性直接关系到工业、商业和居民生活的正常运转。为了确保电力系统在各种工况下都能高效运行,负载作为一种重要的测试设备,被广泛应用于电力系统的测试和验证中
2025-02-05 16:39:32

SiC碳化硅MOSFET功率器件双脉冲测试方法介绍

碳化硅革新电力电子,以下是关于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍,结合其技术原理、关键步骤与应用价值,助力电力电子领域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

倾佳电子杨茜向您拜年:以SiC革新电力电子 · 2025与您智启零碳未来!

吉祥如意、事业蒸蒸日上!以SiC革新电力电子 · 2025与您智启零碳未来! 回首2024年,我们共同见证了电力电子产业的革新浪潮。在“双碳”目标的引领下,碳化硅(SiC)技术以势如破竹的姿态,加速替代传统IGBT模块,推动行业向高效、紧凑、低碳
2025-01-28 13:27:00742

使用 SiC 功率半导体提升高性能开关转换器的效率

作者: Jens Wallmann 尽管硅 (Si) 器件相对成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低产品成本并提高效率。然而,有些设计人员可能仍然认为 SiC 半导体相当昂贵且难以控制
2025-01-26 22:10:001253

国产首款高压抗辐射SiC功率器件完成空间验证并实现在轨电源系统应用

功率器件是实现电能变换和控制的核心,被誉为电力电子系统的心脏,是最为基础、最为广泛应用的器件之一。随着硅(Si)基功率器件的性能逼近极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以禁带宽
2025-01-23 17:19:26985

Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用
2025-01-21 11:03:572638

SiC MOSFET分立器件及工业模块介绍

BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32:042

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