电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>今日头条>使用 Si 和 SiC 器件的电力电子教育工具箱

使用 Si 和 SiC 器件的电力电子教育工具箱

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

电力电子仿真软件推荐

推荐几款电力电子仿真软件,有没有安卓端和电脑端的?
2024-03-17 09:43:40

B82791X0001

用于电力线路的共模扼流圈 工具箱 分类 通孔
2024-03-14 22:40:50

ACL ENG KIT 01

共模扼流圈 工具箱 通孔
2024-03-14 20:36:12

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43106

使用PSoc6在Modus工具箱中创建一个示例应用程序时,终端报错的原因?

你好, 每当我尝试使用 PSoc6 在 Modus 工具箱中创建一个示例应用程序时,我的终端都会显示以下两个错误。 有人有什么建议吗? 1) make[1]:*** [../mtb_shared
2024-03-04 07:01:42

为什么无法在modustoolbox™工具箱中打开新应用程序?

我无法在modustoolbox™工具箱中打开新应用程序。 如何解决这个问题?
2024-01-31 07:32:05

可以在Modus工具箱eclipse中使用DAVE™创建的项目吗?

我们可以将项目(在 IDE 中创建 DAVE™ )使用 Modus 工具箱 eclipse IDE 吗? 如果是,怎么做? 如果不是,为什么不呢?
2024-01-26 06:55:14

使用自定义BSP的空项目出现Modus工具箱编译错误的原因?

的日志。 有人能为我指出有关这个错误的方向吗? 也许使用 BZI 芯片然后尝试在 LQI 芯片上加载代码是更好的主意吗? (我可以确认 BZI 芯片成功兼容空应用程序)。 看来这是我要问的关于 modus 工具箱的众多问题之一。
2024-01-23 06:32:19

请问KitProg2是否支持加载使用Modus工具箱构建的程序闪存?

我明白 KitProg3 或更高版本的工具(例如 需要 miniProg4) 才能调试使用 Modus 工具箱创建的项目。 但是,我想使用 KitProg2(例如 miniProg3) 加载程序闪存
2024-01-19 06:29:58

碳化硅晶片为什么存在C面和Si

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本结构单元为 Si-C 四面体。
2024-01-18 09:42:01520

同是功率器件,为什么SiC主要是MOSFET,GaN却是HEMT

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361219

SiC三极管与SiC二极管的区别

的特点。SiC是一种宽禁带半导体材料,具有优异的热导性、较高的电击穿电场强度和较高的电子饱和漂移速度。相比于传统的硅(Si)材料,SiC具有更好的高温特性、更低的导通损耗和更高的开关频率。因此,使用SiC材料制造的三极管和二极管在高温、高电压和高频率
2023-12-21 11:31:24274

功率电子器件从硅(Si)到碳化硅(SiC)的过渡

众所周知,硅(Si)材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼,构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今,碳化硅(SiC)材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料,它可以实现更高
2023-12-21 10:55:02182

碳化硅功率器件的电气性能优势

SiC材料具有两倍于Si电子饱和速度,使得SiC 器件具有极低的导通电阻(1/100 于Si),导通损耗低;SiC材料具有3倍于Si 的禁带宽度,泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级,从而可以减少功率器件的功率损耗。
2023-12-20 15:47:44169

SiC相对于Si有哪些优势?

的 R sp将导致更低的损耗,从而产生更高的效率。 电子漂移速度是电子由于电场而在材料中移动的速度。SiC 半导体的电子漂移速度比 Si 基半导体高 2 倍。电子移动得越快,设备开关的速度就越快。系统
2023-12-19 09:41:36348

SiC功率器件中的失效机制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用,例如电动汽车充电和牵引、储能系统和工业电源。SiC 功率 MOSFET 已在电动汽车车载充电器中得到
2023-12-15 09:42:45950

为什么SiC在功率应用中战胜了Si

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196

碳化硅(SiC)功率器件的优势和应用领域

随着科技的不断进步,电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而,随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展,传统的硅基功率器件已经逐渐暴露出其局限性。此时,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的电力电子器件,以其独特的优势逐渐受到人们的关注。
2023-12-06 09:53:18381

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

在ADAU1761的工具箱库下的部分组件没有Help说明是为什么?

在ADAU1761的工具箱库下的部分组件没有Help说明,比如MSEnv组件,有没有这部分的资料?
2023-11-29 07:20:44

了解SiC器件的命名规则

了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357

SICSI有什么优势?碳化硅优势的实际应用

SiC的导热性大约是Si的三倍,并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作,而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490

电力电子器件大全及使用方法

电子发烧友网站提供《电力电子器件大全及使用方法.pdf》资料免费下载
2023-11-18 14:46:041

SiC驱动模块的应用与发展

SiC驱动器模块具有较低的功耗、高温运行能力和快速开关速度等优势,使其在下一代功率器件中有着广阔的应用前景。SiC驱动器模块可以用于电动车的电力系统、可再生能源转换系统、工业电力电子装置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257

如何在TSMaster面板和工具箱中实现多语言切换

TSMaster软件平台已经提供了多语言的支持,对于软件内部用户二次开发的模块如Panel和工具箱模块,TSMaster也提供了多语言的支持。这一特性让基于TSMaster开发的工程只需要制作
2023-11-11 08:21:12279

碳化硅在电力电子器件中的优势和应用

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,由于其优于传统硅的性能,在电力电子行业中越来越受欢迎。
2023-11-08 09:30:28359

大功率电力电子器件散热研究综述

针对现阶段制约电力电子技术发展的散热问题,以温度对电力电子器件的影响、电力电子设备热设计特点、常见散热技术、散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的应用这五方面为切入点,论述了大功率电力
2023-11-07 09:37:08773

碳化硅SiC器件到底有多强

与目前广泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的导热性,这决定了其高电流密度特性;其更高的带隙宽度决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点可归纳为以下几点
2023-10-08 16:10:56310

【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。 一、 SiC的材料优势 碳化硅(SiC)作为宽禁带材料相较于硅(Si)具有很多优势,如表1所示:3倍的禁带宽度,有利于碳化硅器件工作在更高的温度;10倍
2023-10-07 10:12:26

碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展

在碳化硅电力电子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天,SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点,一直被视为理想器件而备受期待。不过,与以往
2023-09-27 15:37:191394

利用Matlab工具箱设计FIR和IIR滤波器

利用Matlab工具箱设计FIR和IIR滤波器
2023-09-26 14:59:15493

SiC电力电子器件的主要优势

下,消费者对电动汽车的接受度也在不断提高。 本文讨论了在电动汽车电力电子系统中快速采用碳化硅(SiC)和宽带隙半导体开关的好处,以及晶圆级衬底制造的价值。基于SiC电力电子设备使电动汽车能够实现更长的行驶里程、更快的充电速度和更低的系
2023-09-18 09:05:48279

B82731X002

用于电力线路的共模扼流圈 工具箱 分类 通孔
2023-09-07 11:51:22

B82731X0001

用于电力线路的共模扼流圈 工具箱 分类 通孔
2023-09-07 11:51:21

B82732X0001

用于电力线路的共模扼流圈 工具箱 分类 通孔
2023-09-07 11:51:21

B82733X0001

用于电力线路的共模扼流圈 工具箱 分类 通孔
2023-09-07 11:51:21

平面磁件如何提高电力电子器件性能

(GaN)和碳化硅(SiC)晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗,加速了电路越来越小的趋势。事实上,高频操作导致电子电路的收缩,这要归功于减小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。这一点对于
2023-09-06 06:38:52

SiC相较于Si的优势是什么?碳化硅的实际应用优势

如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC。目前,SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277

SiCSi它们两者本身有什么不同呢?

始于19世纪初期半导体材料的研究至今已经由第一代半导体材料发展到了第四代半导体材料,其中较为瞩目的莫过于第一代半导体材料si和第三代半导体材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144

SiC功率半导体市场,如何才能成为头部玩家?

在功率电子领域,要论如今炙手可热的器件SiC要说是第二,就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限,由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能,已经是大势所趋。 与传统
2023-08-16 08:10:05270

CVPM02工具箱用户指南

电子发烧友网站提供《CVPM02工具箱用户指南.pdf》资料免费下载
2023-08-09 10:23:030

SiC产品和Si产品的两点比较 SiC肖特基势垒二极管的特征

我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30233

使用雷达工具箱构建雷达信号处理流程

具体内容包括:使用工具箱节省时间、可视化工具的使用、提高设计保真度和减少开发周期,以及在MATLAB中实现雷达目标检测的性能和精度等。
2023-07-04 09:49:33407

瑞萨 IC 工具箱软件手册

瑞萨 IC 工具箱软件手册
2023-06-30 19:43:140

瑞萨 IC 工具箱(RICBox) 软件手册

瑞萨 IC 工具箱 (RICBox) 软件手册
2023-06-30 19:42:570

基于SiC器件电力电子变流器研究

基于SiC器件电力电子变流器研究
2023-06-20 09:36:23410

GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变

二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度,正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中,不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的,以尽量减少电容电荷,从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39

基于整数规划工具箱的几个典型例子

MATLAB的整数规划工具箱提供了许多求解整数规划问题的函数,包括 branch-and-cut、branch-and-bound、integer simplex 和mixed-integer
2023-06-14 10:26:52351

AEC-Q101|SiC功率器件高温反偏

SiC(碳化硅)功率器件以其耐高温、耐高压、低开关损耗等特性,能有效实现电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求,受到了新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499

基于模型的RT1062固件开发方法,在哪里可以找到有关修改此工具箱(我假设它需要更改)的最快方法的指导?

我正在尝试在我们的产品开发中为 RT1062 评估基于模型的 FW 开发方法(SiL、PiL)。我可以访问 NXP 提供的 Matlab 工具箱。第一个问题是我在哪里可以找到有关修改此工具箱(我假设
2023-06-08 07:56:21

MATLAB自动驾驶工具箱使用

1. 打开工具箱 MATLAB R2017a及以后的版本才有自动驾驶工具箱。 在MATLAB的APPS中选择AUTOMOTIVE下面的Driving Scenario Designer 也可以命令行
2023-06-07 11:40:531

Matlab自动驾驶工具箱使用简介

一、自动驾驶工具箱 三个依次是 驾驶场景和传感器模块库 车辆控制模块库 3D仿真模块库 二、自动驾驶模块 自动驾驶模块位于模型预测控制工具箱中的自动驾驶,主要有车道保持辅助系统模块、自适应巡航控制模块和路径跟踪控制系统模块。
2023-06-02 14:19:170

是时候从Si切换到SiC了吗?

在过去的几年里,碳化硅(SiC)开关器件,特别是SiC MOSFET,已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。
2023-05-25 09:13:1541

电力电子应用设计如何避坑?这款最新SiC仿真工具有一套给力的办法

点击蓝字 关注我们 现代电力电子产品不断向更高频、更高效、更高密度、更高压化的趋势发展,给系统产品设计带来挑战。 为加快设计周期,降低设计复杂性,各种仿真工具应运而生。 然而,在加速产品设计的同时
2023-05-24 00:15:02948

如何使用Matlab自带的相控阵工具箱写波束形成算法

昨天《GPT帮我写了一段波束形成的matlab代码,没跑通!》,今天使用Matlab自带的相控阵工具箱来写波束形成算法,仅需调用工具箱的函数即可。工具箱中有使用方法,你可以自行修改参数进行波束形成
2023-05-23 09:28:41938

为什么在新一代双向OBC设计中选择SiC而非Si

硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用
2023-05-20 16:45:131890

S32K146的基于模型的设计工具箱 - 示例代码生成并闪烁但没有任何反应的原因?

我已经安装了用于 NXP UCANS32K146 开发板的 NXP“S32K1xx 汽车微处理器系列基于模型的设计工具箱”。 我正在使用简单的示例“gpio_s32k146”,它切换 LED 并读取
2023-05-17 06:10:59

UJ4SC075018B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38

UF4SC120030K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IG
2023-05-12 15:46:12

UF4C120070K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06

UF4C120053K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37

UF3SC120040B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件. 该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si
2023-05-12 15:05:36

UF3SC120016K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF3SC120016K4S产品简介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:59:16

UF3SC120016K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF3SC120016K3S产品简介Qorvo 的 UF3SC120016K3S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:53:49

UF3SC120009K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF3SC120009K4S产品简介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:47:58

UF3SC065040B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:41:53

UF3SC065030B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:35:49

UF3SC065007K4S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:29:40

UF3C170400K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF3C170400K3S产品简介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 14:20:38

UF3C120400K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 14:11:46

UF3C120150B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 12:44:42

UF3C120080K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件
2023-05-12 12:26:54

UF3C120080B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

UF3C120080B7S产品简介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-12 11:54:23

UF3C065080K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S
2023-05-11 20:45:39

UF3C065080B7S 栅极驱动 SiC FET 器件

JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级
2023-05-11 20:38:23

UF3C065080B3 栅极驱动 SiC 器件

UF3C065080B3产品简介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si
2023-05-11 20:28:32

如何将MC33771C与S32K3XX工具箱一起使用?

我正在尝试选择可以与 S32K3 工具箱一起使用的组件。我想使用 teh MC33771C,但看起来 Simulink 工具箱只支持我无法获得的 MC33775 和仅适用于 6 个电池
2023-05-09 08:21:10

瑞萨FLASH开发工具箱3.07用户手册

瑞萨FLASH开发工具箱3.07用户手册
2023-05-04 19:45:171

瑞萨FLASH开发工具箱4.01(用于Windows®2000和Windows®XP)用户手册

瑞萨FLASH开发工具箱4.01(用于Windows®2000和Windows®XP)用户手册
2023-04-27 18:59:120

安装S32K1/MPC57xx工具箱后的Matlab命令窗口错误日志是怎么回事?

安装S32K1/MPC57xx工具箱后的Matlab命令窗口错误日志
2023-04-21 08:26:23

老电工师傅工具箱中的宝贝#电子

器件电工技术工具使用
未来加油dz发布于 2023-04-16 10:26:46

SiCSi的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

新功能发布 | TSMaster工具箱集成开发环境系列3-工具箱调用小程序库

前言今天继续TSMaster工具箱系列第三章,如何用Python脚本调用自己编写的API函数。安装小程序库Installtheappletlibrary/打开TSMaster,拖入一个dbc文件
2023-04-09 11:12:17532

为S12ZVMx安装MBD工具箱,许可证错误是怎么回事?

License Invalid。我检查了MATLAB和toolbox的版本,也看了所有社区的方法,仍然无法解决问题。一些信息如下:1.Matlab版本为R2020a,MBD工具箱为S12ZVMx V1.4.0
2023-04-06 07:32:50

电力电子器件的概念及分类

电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类,目前往往专指电力
2023-04-04 15:31:433951

新功能发布 | TSMaster工具箱集成开发环境系列1-工具箱设计开发

前言今天给大家介绍TSMaster新功能—工具箱设计开发。有了这个模块,任何人都能够用Python来设计专业的TSMaster用户界面并集成到自己的工程中。在此,需要大家更新TSMaster软件
2023-04-03 09:45:08650

新功能发布 | TSMaster工具箱集成开发环境系列2-工具箱极简开发流程

前言本章节继续介绍TSMaster工具箱集成开发环境系列第二章,基于Python的界面设计。下面我们一起来看看在TSMaster环境下如何进行工具箱的极简开发。创建空间Createspace/1.
2023-04-03 09:42:00534

是时候从Si切换到SiC了吗?

(BEV)驱动系统中采用,但现在,越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力,以及利用这一潜力的最佳策略是什么
2023-03-31 10:51:34293

Freemaster中是否有用于S32K344 MBDT工具箱的CAN连接?

Freemaster 中是否有用于 S32K344 MBDT 工具箱的 CAN 连接?如果有我怎么用就可以。如果有人知道你能帮帮我吗?
2023-03-31 06:27:45

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13

安森美推出仿真工具,助力加速复杂电力电子应用上市周期

和PLECS模型自助生成工具,使工程师在开发周期的早期阶段,通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真,获得有价值的参考信息。这些工具提供尖端前沿的精确仿真数据,从而让客户根据应用需求进行EliteSiC产品选型,无需耗费成本和时间进行硬件制造和测试,为电力电子工程师节省时间。  
2023-03-24 14:12:47359

已全部加载完成