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电子发烧友网>今日头条>使用GaN设计高功率器件

使用GaN设计高功率器件

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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

GaN功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793

GaN HEMT大信号模型

电流。另一方面,GaN RF 功率器件具有自加热特性,并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2023-05-24 09:40:011374

GaN功率器件应用可靠性增长研究

GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051073

实测干货分享!1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试

点击上方 “泰克科技” 关注我们! (本文转载自公众号: 功率器件显微镜 ,分享给大家交流学习) GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关
2023-07-17 18:45:02711

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

电脑电源为什么不用氮化镓 氮化镓充电器好还是原装充电器好

虽然GaN功率器件领域有很大的潜力,但目前仍存在一些技术和经济上的挑战,使得它在电脑电源领域的应用受到限制。其中一个主要因素是成本。目前,GaN的制造成本相对较高,主要因为生产工艺和设备复杂度较高。这使得在大规模消费电子产品中使用GaN仍不具备竞争力。
2023-08-17 14:59:345346

对于第三代半导体氮化镓,你知道多少?

氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻,GaN功率器件明显优于硅基器件GaN晶体可以在各种
2023-09-08 15:11:18535

低成本垂直GaN(氮化镓)功率器件的优势

GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25657

分析 丨GaN功率器件格局持续变化,重点关注这两家厂商

机构Yole数据显示,2022年GaN功率器件在总功率半导体(功率芯片、功率分立器件和模块)市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率器件的复合年增长率很高(59%),Yole预计到2027
2023-09-21 17:39:211626

垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

使用GaN(氮化镓)的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术,解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40707

沃泰芯(晶圆制造)简介

公司研发团队位于中国的核心城市-广州。沃泰芯项目坐落于江西省龙南市,拟总投资50亿元,建成无尘生产车间及数条半导体量产线,主营产品包括:VCSEL、光检测器、GaNHFET器件与集成电路、GaN
2022-01-14 14:03:3715

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术

氮化镓(GaN功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC-DC)变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点,用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03350

GaN HEMT为什么不能做成低压器件

GaN HEMT为什么不能做成低压器件  GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337

低成本垂直GaN功率器件研究

随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374

航空航天领域中的GaN功率器件(下)

由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战,GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是,随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良,宇航电源将会得到更大助推。 结合高集成度电源设计,以及优化的宇航
2024-01-05 17:59:04272

氮化镓功率器件结构和原理

氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667

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