转变,不少专注GaN器件的Fabless公司正在 有着越来越大的影响力。 器件设计 GaN器件设计根据类型我们可以分为三个部分,分别是:射频、功率和光电子,这次主要关注的是射频以及功率方面的应用。 GaN射频器件设计 GaN射频器件主要可以分为三种:大
2022-07-18 01:59:454002 市场调查公司Yole Developpement(以下简称Yole)认为,市场规模方面,2020年GaN器件市场整体规模有可能达到约6亿美元。从(2020年将支配市场的)电源和PFC(功率因数校正)领域,到UPS(不间断电源)和马达驱动,很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件(垂直氮化镓或垂直 GaN)。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工作,这将催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064231 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下,WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物,并在
2022-07-29 14:09:53807 近年来,电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展,对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限,氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体
2022-08-22 09:44:013651 100 V GaN FET 在 48 V 汽车和服务器应用以及 USB-C、激光雷达和 LED 照明中很受欢迎。然而,小尺寸和最小的封装寄生效应为动态表征这些功率器件带来了多重挑战。本文回顾了GaN半导体制造商在表征这些器件方面面临的挑战,以及一些有助于应对这些挑战的新技术。
2022-10-19 17:50:34789 氮化镓(GaN)功率器件在几个关键性能指标上比硅(Si)具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场,能实现更薄的漂移层,同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻(Rds(on))。由于
2023-11-06 09:39:293609 作为一种新型功率器件,GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。
2023-12-07 09:44:52777 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787 与所有Microchip 的GaN射频功率产品一样,新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造,提供了高功率密度和产量的最佳组合,可在高压下运行,255℃结温下使用寿命超过100万小时。
2021-12-02 14:09:211347 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361219 )。另一方面,功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向,包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件,而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件(共源共栅Cascode结构)。 E-
2024-02-28 00:13:001844 和FPGA的低直流电源通常需要多级直流 - 直流转换和调节。如果高压设备可用于进行转换,则可以减少转换次数。GaN器件提供了这种潜力。一个例子是数据中心电源系统。数据中心包含许多需要高电流低电压的高功率
2017-05-03 10:41:53
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路技术:过去,现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高频高功率的应用领域体现了其独特的优势,其中,针对GaN功率器件的性能特点,该器件可被用于适配器、DC-DC转换、无线充电、激光雷达等应用场合。
图1 半导体材料特性对比
传统的D类
2023-06-25 15:59:21
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因,介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态,对GaN 调制掺杂场效应晶体管(MODFETs)的工作原理以及特性进行了具体分析,并同其他微波器件进行了比较,展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41:00
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅技术的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
展现了高功率电子设备封装技术的发展历程,因为这个采用法兰封装的器件能够支持许多军事应用所需的连续波(CW)信号。图6. HMC8205BF10功率增益、PSAT以及PAE和频率的关系。结语GaN等全新
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
IC、电源控制器和高集成度嵌入式处理器, 将能管理复杂的多电平、多级功率回路,从而正确发挥新一代 SiC/GaN 功率转换器的优势。——ADI公司再生能源战略营销经理Stefano
2018-10-30 11:48:08
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高
2019-08-01 07:24:28
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率,减小体积无源器件,进一步优化产品功率密度和成本。然而,由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性,给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升压从动器PFC通过调整来提高低线效率总线电压新的SR VCC供电电路简化了复杂性和在高输出电压下显著降低驱动损耗条件新型GaN和GaN半桥功率ic降低开关损耗和循环能量,提高系统效率显著提高了
2023-06-16 09:04:37
在过去的十多年里,行业专家和分析人士一直在预测,基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
在现有空间内继续提高功率,但同时又不希望增大设备所需的空间,”德州仪器产品经理Masoud Beheshti说,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州仪器的GaN产品系列实现
2019-03-01 09:52:45
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
作者: Grant Smith,德州仪器 (TI)业务拓展经理简介功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高
2019-07-12 12:56:17
您好,有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件,因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时,它只显示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟,我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
、开关速度和可靠性都在不断提高。这些器件已成功解决低电压(低于100伏)或高电压容差(IGBT和超结器件)中的效率和开关频率问题。然而,由于硅的限制,因此无法在单个硅功率FET中提供所有这些功能。宽带隙
2018-11-20 10:56:25
的差异,然后整理出三种最近上市的 GaN 器件。晶体管用氮化镓和碳化硅氮化镓和碳化硅由于其高电压能力、快速开关速度和耐高温性能,经常被认为是高功率和频率电子应用的顶级材料。然而,当它们投入使用
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT) 的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
稳定的化合物,具有强的原子键、高的热导率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中电离度是最高的、化学稳定性好,使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更强抗辐照能力,同时GaN又是高熔点材料,热传导率高,GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
大功率容量等特点,成为发较快的宽禁带器件。GaN功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势,已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好
2017-06-16 10:37:22
耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的发展路径中,功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升,其演进的主要
2021-12-01 13:33:21
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2018-08-04 14:55:07
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT),实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节,此参考设计不仅可以显著
2018-10-17 15:39:59
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目,共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 产品概述
1.无内匹配设计,最大化产品的宽带特性和通用性。
2.依据芯片和封装的不同组合,功率涵盖6W-180W等多种档次,频率高达6GHz。
3.产品兼容28-32V供电,产品
2017-12-27 11:20:4611763 -提供业内最为先进的基于氮化镓的1200伏功率器件解决方案 VisIC Technologies 致力于为能源转换系统开发和销售基于氮化镓 (GaN) 的高效功率器件,目前推出业内首个1200伏氮化
2018-02-09 15:15:44135 氮化镓射频器件能够突破硅基器件的理论极限,实现高频率/宽频带、高功率、高电压、高效率及高使用温度的特性,而被逐渐广泛应用于移动通信行业。移动通讯基站要求器件在额定电压下长期连续工作,因而可靠性成为GaN器件能否得到广泛应用的一个关键因素。
2018-12-02 10:56:292022 EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息,以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。
2018-12-06 18:06:214652 目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线,一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线,另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 11月7日,氮化镓(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。区委书记、嘉兴科技城党工委书记朱苗,嘉兴科技城管委会副主任曹建弟,浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司负责人出席签约仪式。
2019-11-08 16:07:506907 氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
2019-11-18 08:38:435667 该GaN功率器件可以应用在快速充电设备中, 令其避免出现受高温熔断的情况,进而确保此功率器件在进行快速充电时能够很好的运行使用。
2020-03-16 15:34:303656 前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功开发出一种基于GaN的超高效功率模块。
2020-04-27 16:46:163692 氮化镓功率器件因其优良的性能而被广泛应用于基础工业(如通讯基站)和国防领域(如雷达),然而其高功率耗散及可能的 恶劣工作环境又对可靠性提出了更高要求。能讯高能半导体作为处于产业链上游的企业,始终
2021-01-15 10:30:000 ,特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询(TrendForce)指出,因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升,预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率领域营收
2021-05-03 16:18:0010174 与Si元器件相比,GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率,随着5G通信和新能源汽车的迅猛发展,GaN快充技术也随之受到关注。
2021-12-24 09:46:131449 新成果展示:高性能肖特基功率二极管的设计与制备——助力GaN基功率电子器件物理模型的开发与完善 GaN基功率器件凭借其高电子漂移速度和迁移率、高耐压特性与热稳定性、低导通电阻和开启电压等优异特性
2021-12-27 09:56:26425 现在,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的宽带隙 (WBG) 半导体材料满足了军事和航空航天系统对更高功率密度和改进冷却的巨大需求,这让这两个行业松了一口气. 10 倍电压阻断、10
2022-07-28 15:17:211522 和 SiC”,从当天的主题演讲中汲取灵感,包括新产品开发、技术挑战和晶圆制造。 由于尺寸、重量和成本的节省以及更高的效率,GaN 和 SiC 功率器件正在大力推动超越快速充电器和可再生能源,进入
2022-07-29 18:06:26391 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化镓 (GaN)。尽管迄今为止它在低压应用(大约 650 V 及以下)方面取得了成功,但最成熟的 GaN 基功率器件高电子迁移率晶体管 (HEMT) 并不适用于中压(大致定义为 1.2 至 20 kV) ) 应用,包括电动汽车传动系统和许多电网应用。这
2022-07-29 10:35:011566 在基本半导体特性(带隙、临界电场和电子迁移率)的材料比较中,GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特,临界电子场为 0.23 MV/cm,而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽
2022-08-03 08:04:292748 意法半导体 在PCIM Europe 虚拟会议上首次向业界展示了该公司用于汽车应用的集成式 STi 2 GaN系列 GaN 功率器件 。利用台积电的 GaN 技术及其自身独特的设计和封装专业知识
2022-08-03 10:44:57641 。与此同时,一种新材料氮化镓 (GaN) 正朝着理论性能边界稳步前进,该边界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比当今市场上最好的 GaN 产品好 300 倍(图1)。 图 1:一平方毫米器件的理论导通电阻与基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻断电压能力。第 4 代(紫色圆点)和
2022-08-04 11:17:55587 GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530 WBG 半导体提供比硅基器件高 10 倍的功率密度
2022-08-17 16:14:201817 关于氮化镓(GaN)衍生功率器件的可行性,人们一直在进行无休止的猜测和相当多的怀疑,但Dialog半导体认为它已经破解了它。基于GaN的功率器件具有高效率、高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性
2022-10-25 15:05:31298 相比于横向功率电子器件,GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理,而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光,近些年已取得了重要进展。
2022-12-15 16:25:35754 GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解
2022-12-21 16:07:11425 电动汽车中的 GaN 还处于早期阶段。许多功率 GaN 厂商已经开发并通过汽车认证 650 V GaN 器件,用于 EV/HEV 中的车载充电器和 DC/DC 转换,并且已经与汽车企业建立了无数合作伙伴关系。
2023-01-06 11:11:34459 GaN基功率器件凭借其高电子漂移速度和迁移率、高耐压特性与热稳定性、低导通电阻和开启电压等优异特性被广泛应用在低
压级消费电子领域、中压级的汽车电子领域和高压级的工业电机领域中。其中
2023-02-16 15:13:290 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系,其中X金属可为Ni,Mo,PT,Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺(>800℃),第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率,得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气(2DEG)。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 电流。另一方面,GaN RF 功率器件具有自加热特性,并且元件参数的非线性与信号电平、热效应和环境条件之间存在复杂的依赖关系。这些因素往往给准确预测器件大信号性能造成更多困难。
2023-05-24 09:40:011374 GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051073 点击上方 “泰克科技” 关注我们! (本文转载自公众号: 功率器件显微镜 ,分享给大家交流学习) GaN HEMT功率器件实测及其测试注意事项。氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关
2023-07-17 18:45:02711 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG),因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量:而在硅的情况下,该能量为1.1eV,SiC(碳化硅)为3.3eV,GaN(氮化镓)为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 虽然GaN在功率器件领域有很大的潜力,但目前仍存在一些技术和经济上的挑战,使得它在电脑电源领域的应用受到限制。其中一个主要因素是成本。目前,GaN的制造成本相对较高,主要因为生产工艺和设备复杂度较高。这使得在大规模消费电子产品中使用GaN仍不具备竞争力。
2023-08-17 14:59:345346 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且机械性能非常稳定的宽禁带半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻,GaN基功率器件明显优于硅基器件。
GaN晶体可以在各种
2023-09-08 15:11:18535 GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
2023-09-13 15:05:25657 机构Yole数据显示,2022年GaN功率器件在总功率半导体(功率芯片、功率分立器件和模块)市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高(59%),Yole预计到2027
2023-09-21 17:39:211626 使用GaN(氮化镓)的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术,解决了导致其全面推广的问题。
2023-10-20 09:59:40707 公司研发团队位于中国的核心城市-广州。沃泰芯项目坐落于江西省龙南市,拟总投资50亿元,建成无尘生产车间及数条半导体量产线,主营产品包括:VCSEL、光检测器、GaNHFET器件与集成电路、GaN
2022-01-14 14:03:3715 氮化镓(GaN)功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC-DC)变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点,用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03350 GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 随着半导体技术的发展,垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战,GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是,随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良,宇航电源将会得到更大助推。
结合高集成度电源设计,以及优化的宇航
2024-01-05 17:59:04272 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件,具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667
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