半导体制程 分立器件 二极管的种类及其用法 二极管是一种具有1个PN接合的2个端子的器件。具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。 二极管的基本特性 利用PN接合的少
2012-03-27 11:02:286113 手机性能越来越强劲离不开半导体制程的进步,明年手机处理器将会进入10nm时代。高通骁龙835、联发科Helio X30、苹果A11处理器都将采用10nm制程,因此晶圆代工厂商台积电、英特尔、三星等也在纷纷抢进10nm、7nm先进半导体制程。不过,市场真的能跟上先进半导体制程的脚步吗?
2016-12-27 15:47:02922 本文是为了在Si基板蚀刻制造金刚石时提高制造收率,为此,将半导体Si基板接入阳极,将Pt电极接入阴极后,在pt电极用跳汰机内放入氮气泡泡器,旋转对向的正电极上外部认可电压,泡泡器内吹入氮气,在加温
2022-03-24 16:47:483248 在半导体器件制造中,蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术,该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定,其产生在光刻中有详细描述,一旦掩模就位,可以通过湿法化学或“干法”物理方法对不受掩模保护的材料进行蚀刻,图1显示了这一过程的示意图。
2022-07-06 17:23:522866 BGA基板工艺制程简介
2022-11-16 10:12:27755 BGA基板工艺制程简介
2022-11-28 14:58:001217 了,那么,芯片工艺从目前的7nm升级到3nm后,到底有多大提升呢?为什么提到芯片时都要介绍制程?制程到底是什么?今天宏旺半导体就带大家来了解一下。10nm、7nm等到底是指什么?宏旺半导体提过,芯片是由
2019-12-10 14:38:41
年代的第一年,半导体工艺制程发展的状况又会如何变化呢?是否会带来一些新的进展呢? 英特尔 10nm快速崛起,重返Tick-Tock时代 英特尔的发展步伐一直是业内关注的焦点。2019年下
2020-07-07 11:38:14
半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半导体器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备,例如硅片湿法清洗、蚀刻,硅芯硅棒湿法化学处理,液晶基板清洗,LED基片显影脱膜等
2015-04-02 17:21:04
半导体制冷—— 2 1 世纪的绿色“冷源”唐春晖(上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海 200093)摘要:基于节能和环保已是当今一切科技发展进步的基本要求,对半导体制冷技术原理以及应用情况做了
2010-04-02 10:14:56
大家有没有用过半导体制冷的,我现在选了一种制冷片,72W的,我要对一个2.5W的热负载空间(100x100x100mm)降温,用了两片,在环温60度时热负载所处的空间只降到30度,我采用的时泡沫胶
2012-08-15 20:07:10
半导体制冷的机理主要是电荷载体在不同的材料中处于不同的能量级,在外电场的作用下,电荷载体从高能级的材料向低能级的材料运动时,便会释放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半导体制冷片控制板开发技术需要用到的功能模块有哪些?有知道的朋友吗?展开讲讲?
2022-05-22 18:26:09
半导体制冷片新技术应用类金刚石基板,提高制冷效率,属于我司新技术应用方向,故欢迎此方面专家探讨交流,手机***,QQ6727689,周S!详细见附件!
2013-09-05 15:33:52
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么?半导体制冷片有哪些优缺点?
2021-02-24 09:24:02
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?
2012-07-11 20:23:15
们的投入中,80%的开支会用于先进产能扩增,包括7nm、5nm及3nm,另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机,一台设备的单价就可以达到1.2亿美元,可见半导体
2020-02-27 10:42:16
半导体制造技术经典教程(英文版)
2014-03-06 16:19:35
。电路集成度越高,挑战半导体制造工艺的能力,在可接受的成本条件下改善工艺技术,以生产高级程度的大规模集成电路芯片。为达到此目标,半导体产业已变成高度标准化的,大多数制造商使用相似的制造工艺和设备。开发
2020-09-02 18:02:47
。这样,半导体工厂投产以后整体生产系统才能发挥最大的生产效能。特别是迅速发展的亚微米工艺对生产场所空气洁净度要求特别高,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由
2020-09-24 15:17:16
的积体电路所组成,我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术,所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能,那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
~ 3,000三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类:(1)薄膜成长,(2)微影罩幕,(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类:(a)高温炉管,(b)微影机台,(c)化学清洗蚀刻台,(d)电浆真空腔室
2011-08-28 11:55:49
的复杂性,而大多数半导体制造过程包含许多非线性且复杂的化学与物理反应,难以建立其制造模型,加上检测技术的缺乏,造成无法及时得知工艺过程状态而难以对其进行有效监控。因此,当半导体制造进入8英寸、12英寸
2018-08-29 10:28:14
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:CMOS 单元工艺编号:JFSJ-21-027作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程:硅
2021-07-06 09:32:40
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 基板的表面处理编号:JFSJ-21-077作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html关键词: GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号:JFSJ-21-045作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻编号:JFKJ-21-830作者:炬丰科技摘要宽带隙半导体具有许多特性,使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种
2021-10-14 11:48:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号:JFSJ-21-044作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:湿法
2021-07-08 13:09:52
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN的晶体湿化学蚀刻[/td][td]编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:IC制造工艺编号:JFSJ-21-046作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻编号:JFSJ-21-0作者:炬丰科技关键字:InGaP,湿法蚀刻,蚀刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:微镜角度依赖性与蚀刻剂选择编号:JFKJ-21-047作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在为微光学创建
2021-07-19 11:03:23
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:用于半导体封装基板的化学镀 Ni-P/Pd/Au编号:JFSJ-21-077作者:炬丰科技 随着便携式电子设备的普及,BGA(球栅阵列)越来越多地用于安装在高密度
2021-07-09 10:29:30
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号:JFSJ-21-015作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
从7nm到5nm,半导体制程芯片的制造工艺常常用XXnm来表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极
2021-07-29 07:19:33
我想用单片机开发板做个热疗仪,开发板是某宝上买的那种,有两个猜想:一个用半导体制冷片发热,一个用电热片。但我不会中间要不要接个DA转换器还是继电器什么的,查过一些资料,如果用半导体制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答,半导体制冷片的正负极能反接吗,如果可以,那原来的制冷面是不是可变成散热面而原来的散热面变成制冷面??
2016-03-03 16:53:12
基于半导体制冷片的高精度温度控制系统,总结的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何实现基于STM32的半导体制冷片(TEC)温度控制系统设计?
2021-12-23 06:07:59
想用半导体制冷片制作小冰箱,需要用到大功率电源,半导体制冷片,还有散热系统,单片机控制系统,能调温度,还能显示温度,具体的思路已经有了,想问问你们有没好点的意见,能尽量提高点效率还有温度调节的精度
2020-08-27 08:07:58
山东高唐杰盛半导体科技有限公司,我公司主要从事微电子工艺设备及高精度自动控制系统的设计。制造和服务等,已申请国家专利10项,授权7项,产品涉及到半导体制造的前道清洗、扩散和后道封装,技术达到国内
2013-09-13 15:16:45
,而且制程成熟、整合度高,具成本较低之优势,换言之,SiGe不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程,达到高集成度,据以创造经济规模,还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入,SiGe技术
2016-09-15 11:28:41
{:1:}想了解半导体制造相关知识
2012-02-12 11:15:05
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下:集成电路工艺(integrated
2009-09-16 11:51:34
是半导体制造,微机械和微流控设备中的重要过程,需要微尺度的特征来优化性能或创建层流态,这在宏观上几乎是不可能获得的。由于能够通过改变蚀刻剂浓度和蚀刻时间来轻松控制z轴蚀刻,因此常用于分层应用。缺点包括许多化学废物,其中许多是高酸性和多步过程。
2021-01-08 10:15:01
可行吗?还需要电器隔离吗?半导体制冷片的额定电压是12v,mcu是stm32
2018-05-01 19:29:12
碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性,碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
到了二十世纪五十年代随着半导体材料的迅猛发展,热电制冷器才逐渐从实验室走向工程实践,在国防、工业、农业、医疗和日常生活等领域获得应用,大到可以做核潜艇的空调,小到可以用来冷却红外线探测器的探头,因此通常又把热电制冷器称为半导体制冷器。
2013-11-29 09:26:38
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
其中国市场的开发、推广。公司自有产品包括半导体前段、后段、太阳能、平板显示FPD、LED、MEMS应用中的各种湿制程设备,例如硅片湿法清洗、蚀刻,硅芯硅棒湿法化学处理,液晶基板清洗,LED基片显影脱膜等
2015-04-02 17:26:21
英特尔联合创始人戈登·摩尔在半世纪前提出的摩尔定律,是指每代制程工艺都要让芯片上的晶体管数量翻一番。纵观芯片每代创新历史,业界一直遵循这一定律,并按前一代制程工艺缩小约 0.7倍来对新制程节点命名
2019-07-17 06:27:10
、物理学等相关专业是否应届要求不限性别要求男女不限年龄要求-薪金面议详细描述受新加坡公司委托***半导体工程师数名。主要包括:半导体制成整合,光刻,蚀刻,薄膜,扩散等工艺和设备工程师要求:本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理学等相关专业是否应届要求不限性别要求男女不限年龄要求-薪金面议详细描述受新加坡公司委托***半导体工程师数名。主要包括:半导体制成整合,光刻,蚀刻,薄膜,扩散等工艺和设备工程师要求:本科及以上
2009-10-12 11:15:49
半导体制程之薄膜沉积
在半导体组件工业中,为了对所使用的材料赋与某种特性,在材料表面上常以各种方法形成被膜而加以使用,假如
2009-03-06 17:14:585558 图解半导体制程概论1
█ 半导体的物理特性及电气特性
【
2010-03-01 17:00:496880 图解半导体制程概论(2)
逻辑IC
电子机器的动作所必需的内部信号处理大致可以分为模拟信号处理和数字信号处理
2010-03-01 17:03:522811 先进工艺制程成本的变化是一个有些争议的问题。成本问题是一个复杂的问题,有许多因素会影响半导体制程成本。本文将讨论关于半导体制程的种种因素以及预期。 晶圆成本 影响半导体工艺制程成本的第一个因素是晶圆成本。 毫无疑问,晶圆成本在不断上升。
2016-12-20 02:14:112183 半导体制作工艺CH
2017-10-18 10:19:4747 半导体制作工艺CH13
2017-10-18 10:22:0922 半导体制作工艺CH12
2017-10-18 10:24:1418 半导体制作工艺CH11
2017-10-18 10:26:0719 半导体制作工艺CH10
2017-10-18 10:28:1523 半导体制作工艺CH09
2017-10-18 10:30:5322 半导体制作工艺CH08
2017-10-18 10:32:4425 半导体制作工艺CH06
2017-10-18 10:34:2219 半导体制作工艺CH07
2017-10-18 10:36:1021 半导体制作工艺CH05
2017-10-18 10:37:5925 半导体制作工艺CH04
2017-10-18 10:39:4321 半导体制作工艺CH03
2017-10-18 10:41:2329 半导体制作工艺CH02
2017-10-18 10:43:2134 半导体制作工艺CH01
2017-10-18 10:45:2356 本文开始介绍了陶瓷基板的用途与优点,其次介绍了半导体制冷器概述与主要特点,最后介绍了半导体制冷机工作原理。
2018-04-19 11:38:5814146 本文档的主要内容详细介绍的是半导体制造工艺教程的详细资料免费下载主要内容包括了:1.1 引言 1.2基本半导体元器件结构 1.3半导体器件工艺的发展历史 1.4集成电路制造阶段 1.5半导体制造企业 1.6基本的半导体材料 1.7 半导体制造中使用的化学品 1.8芯片制造的生产环境
2018-11-19 08:00:00200 半导体制造的工艺节点,涉及到多方面的问题,如制造工艺和设备,晶体管的架构、材料等。随着制程的进一步缩小,芯片制造的难度确实已经快接近理论极限了。
2020-03-08 15:53:0024263 MEMS工艺——半导体制造技术说明。
2021-04-08 09:30:41237 半导体一般是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的应用非常广泛,在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用等都有应用。那么半导体工艺制程中常用的工序有哪些呢?下面一起
2021-10-03 18:14:004194 标准的半导体制造工艺可以大致分为两种工艺。一种是在衬底(晶圆)表面形成电路的工艺,称为“前端工艺”。另一种是将形成电路的基板切割成小管芯并将它们放入封装的过程,称为“后端工艺”或封装工艺。在半导体制
2022-03-14 16:11:136770 通过使半导体制造工艺中浇口蚀刻后生成的聚合物去除顺畅,可以简化后处理序列,从而缩短前工艺处理时间,上述感光膜去除方法是:在工艺室内晶片被抬起的情况下,用CF4+O2等离子体去除聚合物的步骤;将晶片安放在板上,然后用O2等离子体去除感光膜的步骤;和RCA清洗步骤。
2022-04-11 17:02:43783 半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺,半导体制造设备的电源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 在前几篇文章(点击查看),我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到,为制作巧克力夹心,需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分,然后倒入巧克力糖浆,再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 随着科技的不断进步,半导体制冷片在各种领域中得到了广泛的应用。而陶瓷基板DPC工艺作为一种先进的制作技术,在半导体制冷片制作中具有显著的优势。本文将从多个方面介绍陶瓷基板DPC工艺在半导体制冷片中
2023-09-06 14:45:22666 [半导体前端工艺:第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2023-11-29 15:14:34541
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