电子发烧友网站提供《P沟道增强型MOS晶体管BSH201数据手册.pdf》资料免费下载
2024-03-22 17:19:26
0 景。
H4012耐压30V降压恒压芯片 30V降12V降5V 支持电流3A
产品描述
H4012是一种内置30V耐压MOS，并且能够实现精确恒压以及恒流的同步降压型 DC-DC 转换器； 支持 3A 持续输出
2024-03-22 11:31:10
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
2024-03-14 15:47:38
633 
MOS管瞬态热阻测试（DVDS）失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因，有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46:57
20VN+N沟道MOS管 8814 TSSOP8 贴片双NMOSFET 低压场效应管8814在电子元器件的世界里，MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，扮演着至关重要的角色。今天，我们将深入探讨
2024-03-07 20:22:17
无线充低压MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P沟道MOS常用场效应管，是电子工程领域中常用的电子元器件之一。它在现代电子设备中扮演着重要的角色，特别是在无线充电领域，其应用更是广泛。首先
2024-03-07 20:19:09
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
2024-03-06 16:52:07418 
变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型
2024-01-30 11:51:42
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
24V 36V 48V 60V 72V 80V转3V 9V 12V 24V 36V等不同的电压输出。
mos管选型建议
01需要抗电流冲击的，普通逻辑开关或者工作频率很低比如50kHZ以内的，电流非常大
2024-01-20 15:30:35
如何增强MOS管的带载能力呢？ 增强MOS管的带载能力是通过优化器件的设计和选择适合的工作条件来实现的。下面将详细介绍如何增强MOS管的带载能力。 1. 选择合适的材料： MOS管的材料选择
2024-01-12 14:43:47424 MOS管工作状态如何判断？ 欧若奇科技 专业电路设计，PCB复制，原理图反推，电子产品优化设计等 如何判断mos管工作状态 MOS管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分
2024-01-09 09:14:48250 
LTC4359是一款带使能控制脚的理想二极管芯片，我的电路设计是上图那样的，和手册中的背对背连接方式一样的。
实际使用是右侧（OUT）连设备的锂电池，左侧接入充电器，单片机控制使能引脚决定
2024-01-08 07:08:33
板。 一、锂电池保护板的工作原理锂 电池保护板主要由控制芯片、MOS管、电阻、电容等元器件组成。其工作原理如下：充电管理：当锂电池充电时，保护板会实时监测电池的电压和电流。当电池电压达到设定的最大值时，保护板会自动切断充电
2023-12-30 10:56:001331 P沟道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称PMOSFET）是一种常见的场效应晶体管，广泛应用于各种
2023-12-28 15:39:311087 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
工作频率8Khz，调节占空比控制mos管输出电压，R10位置接风机
。RC运放滤波得到电压U1，之后运放是如何反馈控制mos管调节U2？
2023-12-06 18:19:11
深圳市三佛科技有限公司供应SLD80N03T贴片MOS美浦森 30V 80A TO252，原装现货 SLD80N03T 美浦森 30V 80A TO252 N沟道 MOS
2023-11-30 16:26:19
MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的缩写。它是
2023-11-30 14:24:54619 Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道
2023-11-28 15:53:49
FS4059C一款5V输入,1.2A充电电流,支持三节锂电池串联应 用,锂离子电池的升压充电管理I-FS4059C
12V供电是很多电子元器件或者很多电子产品标准的电源电压。便携式电子产品也不例外
2023-11-21 14:07:55
概述
FS4067是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型两节锂电池充电控制集成电路。FS4067采用恒流和恒压模式对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测
2023-11-21 12:14:43
请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01:20
今天给大家说一个很实用的小技能，用万用表去检测MOS管好坏的方法，这里以N沟道增强型场效应管（N MOS管）为例给大家说一下
2023-11-13 16:35:58768 
这个MOS管在这里的作用是什么？是不是刚上电，MOS管是导通的，C115和R255是充电嘛？到上电稳压后MOS就不导通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
供应APG082N01 100v控制器mos管铨力N通道增强型MOSFET管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG082N01规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 16:35:09
概述：
YB5082是一款工作于3 .0V到6 .5V的PFM升压型双节锂电池充电控制集成电路。YB5082 采用恒流和恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理， 内部集成有基准电压源
2023-10-12 15:36:55
反激式电源MOS管漏极开机瞬间尖峰电压很大，如何解决？
本电源设计输入范围直流30V---700V，输出电压11V/100mA，反射电压80v，实测变压器漏感<15uH
以下波形测试
2023-10-09 23:06:47
在原理图上接型mos管没有ds管脚之分，那么是不是代表正反接这两个脚都可以，如果有区分怎么从原理图看出管脚区别
2023-10-07 07:47:06
N沟道增强型MOS管的结构如图1所示，P型衬底上制作两个高掺杂的N区，引出作为漏极D和源极S，衬底上再制作一块绝缘层，绝缘层上在制作一层金属电极，引出作为栅极G，即构成了常见的N沟道增强型MOS
2023-10-01 11:40:00525 
供应AP90N03Q 30v 90a n mos管-90n03 mos管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP90N03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-27 15:20:440 供应AP90N03Q 30v 90a mos管可代换NCEPB303GU-90N03 MOS ，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供90N03 MOS规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-27 15:17:48
供应AP3400A 30v耐压n沟道mos管兼容万代AO3400-3400 mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP3400A规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:30:52
供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:260 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 供应AP30N03K 电压30V的贴片MOS管TO-252封装丝印30N03K，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:13:03
供应AP30H80Q 30v 80a n mos管-锂保mos管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H80Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:00:130 供应AP30H80Q 电机驱动mos管-N沟道 30V 80A 丝印30H80Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H80Q 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:59:23
供应AP30H80K 30V 80A N沟道MOS管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供30H80K规格书参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:52:000 供应AP30H80K 30v耐压n沟道mos管TO-252封装 丝印:30H80K，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H80K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:50:43
供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 供应AP30H150KA N沟道 30V 150A 丝印:30H150KA-30h150 mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:38:20
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2023-09-25 10:27:380 DMTH3004LFGQ 产品简介DIODES 的 DMTH3004LFGQ 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-19 13:50:09
USB升压恒流驱动芯片内置MOS消防应急灯锂电池供电升压恒流驱动IC方案芯片外贸应急灯专用锂电池升压恒流芯片简约台灯专用升压恒流驱动芯片可调光台灯专用升压恒流芯片礼品台灯专用升压恒流芯片LED智能
2023-09-14 09:41:18
2.7V 到 6.5V 的 PFM 升压型两节锂电池充电控制集成电路。 FS4067采用恒流和恒压模式对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源， 电感电流检测单元，电池电压检测电路和外置场效应晶体管驱动
2023-09-01 15:34:32
mos管p沟道n沟道的区别 MOS管是一种主流的场效应晶体管，分为p沟道MOS管和n沟道MOS管两种类型。这两种MOS管的区别主要在于导电性质、静态特性、输入电容、噪声功率和门极结色散等方面
2023-08-25 15:11:258265 供应AP3908GD 30V bldc电机mos管 丝印:3908G-n+p复合mos，铨力MOS管广泛应用于汽车电子、BMS、PD电源、工业、SMPS、 DC-DC、电动工具、储能、小家电、BMS
2023-08-22 17:46:42
供应AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:31:063 供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:30:12
供应AP4435C -30v的耐压p型mos管丝印:4435，铨力MOS管广泛应用于汽车电子、BMS、PD电源、工业、SMPS、 DC-DC、电动工具、储能、小家电、BMS、车载充电、EV
2023-08-22 17:24:17
供应AP18P30Q -20a -30v耐压的p型mos 丝印:18P30Q参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:590 供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
FP6296内置MOS异步DC升压芯片，单双节锂电池输入，最高12V输出
2023-08-14 16:13:17666 
FP6293内置MOS升压DC转换器，双节锂电池升压输出8.4V1A
2023-08-09 11:51:00660 
HAT1108C 数据表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-07-13 18:31:360 锂电池保护电路，锂电池锂电池保护板（可充型）之所以需要保护，是由它本身特性决定的。由于锂电池保护板本身的材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电，因此锂电池保护板锂电组件总会跟着一块精致的保护板和一片电流保险器出现。
2023-07-13 15:43:254193 
NP30N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:41:080 NP29N06QDK60 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET应用：汽车
2023-07-07 18:40:500 NP29N04QUK40 V - 30 A - 双 N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-07 18:40:360 20V N沟道增强型MOS场效应管FS8205规格书
特点
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 mos管的驱动电流如何设计呢
如果已经知道MOS的Qg
恒压模式下如何设计驱动管的电流
恒流模式下设置多大电流呢
2023-06-27 22:12:29
供应mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管，提供4842双mos管规格书及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:46:251 供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
供应HY3810NA2P 100V180An沟道增强型场效应管，提供HY3810NA2P 100v mos管手册及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:23:141 供应HY3810NA2P TO-220AB 100v耐压mos管100V/180A N沟道增强型MOSFET，提供HY3810NA2P关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:21:45
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
电路图如图所示，示波器黄色通道1测试电容两端电压，蓝色通道2测试Vds.使用的mos管型号为IRFZ34n,mos管总是在1伏时导通，使用了其他mos管也是同样的情况，这1伏的电压还没有达到mos管的开启电压，为啥mos管就开启了呢？
2023-05-18 22:59:00
n-mos管截止如果在s-d之间加上正向电压，体二极管会不会导通？
2023-05-16 14:30:44
IU5180集成30V的OVP功能，3A充电电流1~4节锂电池，升降压充电芯片
2023-04-19 20:49:56630 
FP5217是一顆非同步电流模式DC-DC 升压转换器，内置MOS，输入低启动电压 2.5V 与电压工作范围 5V~24V，单节锂电池3V~4.2V应用，能精准地反馈电压 1.2V，内置软启动
2023-04-07 23:01:33
作为输入，可驱动单颗WLED，具有恒流、限流以及输出过压保护功能，输出最高电压取决于芯片的VDD 过压保护点（5.8V）。典型应用电路如图3 所示。方案4：高效率，限流功能驱动WLED 方案锂电池作为
2023-04-07 10:31:45
对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗
2023-03-31 15:31:55
电容电池与锂电池能互换使用吗？13400的一个锂电容坏了，可以用18650的锂电池代替吗？
2023-03-31 11:33:59
HAT1108C 数据表 (-30V -1.5A Silicon P Channel MOS FET / Power Switching)
2023-03-30 18:59:570 MOS管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。
2023-03-30 09:27:491837 MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。 有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）。
2023-03-28 10:13:287482 
30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
2023-03-24 13:58:22
大佬们，打算用几节干电池或3.7v锂电池做一个控温电路，希望升降温快，把三极管作为控制开关，如何选择三极管和加热元件呢？
2023-03-23 13:00:33
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