UNIVO位移传感器公司LVDT位移传感器设计、使用和优势
LVDT可用于相对位移测量要求苛刻的位移传感应用中。了解它们是如何工作的,以及为什么它们的优势更受欢迎。
使用UNIVO位移传感器公司LVDT位移传感器的十大理由
LVDT 位移传感器是众多应用的理想选择!
这是排在最前面的十大理由。
LVDT位移传感器信号调节器(调理模块)
远可定制信号调理器以满足特定的机械包络、环境条件、温度范围,或包含在定制包装或外壳中。其他配置可用,包括远程继电器、数字、按钮校准、诊断和网络安全功能。输出可以是双极或单极直流电压、直流电流和数字,包括 CAN 总线、Modbus、RS-485 等。
LVDT位移传感器应用视频 UNIVO位移传感器公司
通过视频了解位移传感器广泛的行业应用和可承受的恶劣环境,连续使用数年甚至数十年。这些传感器能够抵抗灰尘、污垢、水、碎屑和极端温度,非常适用于坚固性和可靠性至关重要的环境。
产品选型
标准产品
交流输出自由芯体类lvdt位移传感器 | |||
UR-750系列lvdt位移传感器 | UR-812系列lvdt位移传感器 | ||
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·坚固的3/4英寸不锈钢外壳 ·测量范围为±0.05至±10英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
·坚固耐用0.812英寸不锈钢外壳 ·测量范围为±0.05至±10英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
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UM-375系列超小型lvdt位移传感器 | UN-188系列超小型lvdt位移传感器 | ||
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·坚固的3/8英寸不锈钢外壳 ·测量范围为±0.025至±2英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·工作温度范围:-55℃~135℃ |
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·坚固的0.188英寸直径外壳 ·测量范围为±0.01至±0.20英寸 ·典型全量程的线性度±0.25% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
UP-520系列lvdt位移传感器 | UHA-750系列lvdt位移传感器 | ||
·20,000 PSI的操作压力 ·工作温度可高达204℃ ·直径0.52英寸的不锈钢外壳 ·比率输出,降低热灵敏度 |
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·焊接3/4英寸密封钢外壳 ·测量范围为±0.05至±10英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
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UHAR-750系列lvdt位移传感器 | UHATR-750系列lvdt位移传感器 | ||
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·耐冲击和振动 ·测量范围为±0.05至±10英寸 ·线性度±全范围典型值的0.15% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
·宽工作温度范围-55℃~204℃ ·焊接3/4英寸密封钢制外壳 ·测量范围为±0.05至±10英寸 ·线性度±全范围典型值的0.15% |
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UHT-1000系列lvdt位移传感器 | |||
·1英寸直径不锈钢外壳 ·比例输出可降低热误差 ·工作温度为1000°F,耐高温 ·线性度±0.5%的全范围典型值 |
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直流输出自由芯体类lvdt位移传感器 | 直流lvdt位移传感器 | ||
SI-750系列lvdt位移传感器 | DC-750系列lvdt位移传感器 | ||
·非线性(满量程输出):±0.25% ·工业标准3/4英寸(19毫米)直径 ·传感器密封达到IEC IP-68防护等级 ·标准测量范围由25毫米至2500毫米 |
·量程±1.25毫米至±50毫米 ·传感器密封达到IEC IP-68防护等级 ·0.6微米(0.000025英寸)重复精度 ·非线性(满量程输出):<±0.25%FRO |
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HSE-750系列lvdt位移传感器 | SE-750系列lvdt位移传感器 | ||
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·Through-bore 工作 ·量程±0.050英寸~±10.0英寸 ·环境密封标准达IEC IP-68级 ·非线性优于±0.25% 满量程 |
·量程:0.100-20.00英寸 ·24V直流输入,0-10V预校准直流输出 ·非线性:≤±0.25% FSO ·直径:3/4英寸(19毫米),IP-62防护 |
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HSI-750系列lvdt位移传感器 | HSER-750系列lvdt位移传感器 | ||
·4至20mA输入/输出 ·全密封,可在恶劣环境中应用 ·直列式接头,已配对接插头 ·量程:25毫米至250毫米 |
·量程:0.100-20.00英寸 ·非线性:≤±0.25% FSO ·环境密封达到IEC IP-68防护等级作 ·24V直流输入,0-10V预校准直流输出 |
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交流输出回弹芯体类lvdt位移传感器 交流回弹式位移传感器 | 交流回弹位移传感器 | ||
UGA-750系列lvdt位移传感器 | UMBB系列lvdt位移传感器 | ||
·焊接3/4英寸密封钢外壳 ·测量范围为±0.05至±2英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
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·非常可靠,循环次数超过1亿次 ·线性<±.5%满量程 ·重复性为0.15µm ·可提供螺纹套筒和防松螺母 |
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国外位移传感器,进口位移传感器,国产位移传感器,国外位移传感器替代,进口位移传感器替代,国外位移传感器替换,进口位移传感器替换 | |||
GSA-750系列lvdt位移传感器 | UGAR-750系列lvdt位移传感器 | ||
·焊接3/4英寸密封钢外壳 ·测量范围为±0.01至±3英寸 ·典型全量程的线性度±0.5% ·宽工作温度范围(-65°F至220°F) |
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·测量范围为±0.05至±2英寸 ·线性度±全范围典型值的0.15% ·耐冲击和振动测相对位移 ·宽工作温度范围-55℃~135℃ |
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GHSAR-750系列lvdt位移传感器 | GHSA-750系列lvdt位移传感器 | ||
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·量程±1.25毫米至±50毫米 ·传感器密封达到IEC IP-68防护等级 ·0.6微米(0.000025英寸)重复精度 ·非线性(满量程输出):<±0.25%FRO |
·输入频率: 2.5至3.0千赫 线性误差 ·满量程输出:<±0.25% of FRO ·重复误差: <0.6微米 (0.000025英寸) ·使用温度: -55℃至+105℃ |
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直流输出回弹芯体类lvdt位移传感器直流回弹式位移传感器 | |||
UGE-750系列lvdt位移传感器 | UGER-750系列lvdt位移传感器 测量相对位移传感器 | ||
·焊接3/4英寸密封钢外壳 ·测量范围为0.10至4英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·探针触点的选择 |
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·径向安装连接器 ·焊接3/4英寸密封钢外壳 ·测量范围为±0.050至±2.0英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% |
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UGD-750系列lvdt位移传感器 | UGDR-750系列lvdt位移传感器 | ||
·焊接密封钢外壳 ·测量范围为±0.05至±2英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·耐冲击和振动 |
·焊接密封钢外壳 ·测量范围从土 0.05至±2英寸 ·典型全量程的线性度±0.15% ·耐冲击和振动 |
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GHSI-750系列lvdt位移传感器 | GHSER-750系列lvdt位移传感器 | ||
·量程:0.100-4.00英寸 ·直列式接头,含对接插头 ·输入/输出范围:4-20mA ·环境密封达到IEC IP-68防护等级 |
·量程2.5毫米至100.0毫米 ·24V直流输入,0至10V预校准直流输出 ·非线性(满量程输出):≤±0.1%FSO ·2.5微米(0.0001英寸)重复精度 |
定制产品
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优利威设计和高精度定制lvdt位置传感器/lvdt位移传感器,以满足几乎所有应用的需求。我们拥有大量的自定义设计库,并且始终愿意承担新项目。我们的内部工程团队将与您紧密合作,以提供实用,具低成本高效益的解决方案。 很受欢迎的设计包括定制安装支架,特定的电气输出要求,比率式(差/和)输出,指定的连接器或电缆,高行程与长度比,浸入式,耐腐蚀材料,辐射硬化,很高的温度暴露,自定义信号调节和更多。 |
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微型LVDT位移传感器(超小型位移传感器) 测微小位移的传感器 测小位移的传感器 超小型位移传感器 微型LVDT是需要在小空间进行可靠测量的理想选择。这些LVDT具有高达30000 psi的排气选项和200°C的温度额定值,可在液压设备中运行,嵌入机器人,并在恶劣的条件下使用。 您可以联系我们定制体积微型的位移传感器,高精度、高分辨率、十分灵敏,高可靠性,可测量相对位移。 |
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耐核辐射LVDT位移传感器 耐辐射LVDT位移传感器 耐辐照位移传感器 为很苛刻的辐射环境设计的 LVDT 能够承受高达 100 MRad 的总积分通量,非常适合在高压釜、粒子加速器、核电站、国防应用、潜艇和太空中关键位置测量。 由特殊的耐辐射材料制成,可连续运行而不会出现故障或衰减。 提供额定温度从低温到 500°C 的 LVDT 提供抗辐射选项。抗辐射 LVDT 可以安装在受辐射区域,而相关的信号调节电子设备可以安装在屏蔽位置 - 有时距离传感器数百英尺。 |
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耐高温高压LVDT位移传感器 耐高温位移传感器耐高压位移传感器 采用特殊材料制成,可确保在高达 204°C+)的温度和高达 20,000 psi (1380 bar) 的压力下可靠运行。电气材料、陶瓷和特殊芯材能满足高达 538°C的温度要求。从低温到 500°C 的 LVDT 提供抗辐射选项。具有宽的操作温度范围,并已被证明具有优良的可靠性和接近无限寿命的设计。 |
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防爆LVDT位移传感器 防爆型位移传感器LVDT防爆型LVDT 给电压使用汽轮机的苛刻环境提供可靠的非接触位置测量,如燃料阀门位置、叶片倾斜度伺服控制、调节器控制和发动机外壳膨胀测量。它们的额定温度可满足很多其它电厂汽轮机的应用。同样也是天然气站发动机驱动压缩机节气位置感应、纸厂网前箱和切薄片高度测量、塑料薄膜厂边缘探测及织物松紧度控制、化工厂所有阀门位置的实时感应等。 |
行业应用 |
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核与辐射 | 耐辐射位移传感器LVDT | 工业制造 | |
LVDT位移传感器能够承受高达100MRad 的总积分通量,适合在高压釜、粒子加速器、核电站、国防应用、潜艇和太空中进行关键位置测量。特殊的耐辐射材料制成 |
允许在室外或恶劣环境中进行测量,特殊的电气材料、陶瓷和特殊芯材来满足高达538°C)的温度要求。可嵌入系统中,承受高压、高温、冲击和振动的组合,以提供可靠的位置测量。 |
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水运和海洋 | 电力和能源 | ||
提供符合 20 年寿命要求的交流、直流和数字 LVDT,并采用高强度、耐腐蚀的合金制造,以确保在超过 15,000 英尺的深度下连续运行。材料压力等级灵活性强。 |
LVDT 位移传感器提供蒸汽和天然气发电的关键位置测量。由于其在恶劣环境中的可靠、坚固性和弹性,LVDT 位置传感器是监测和控制阀门、伺服、涡轮壳膨胀、涡轮振动等的成熟方法。 |
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石油天然气 | 结构监测和科研 | 长寿命LVDT 位移传感器 | |
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特殊材料制成,可确保在高达 204°C 的温度和高达 20,000 psi (1380 bar) 的压力下可靠运行。密封的 LVDT 可承受暴露于各种腐蚀性化学品。 |
持久耐用的 LVDT 位移传感器可在材料测试期间检测轻微的结构变化和应变。高精度、出色的可重复性测量远低于 0.001 英寸的位移,不受雨水或液体的影响。 |
审核编辑 黄昊宇
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