据日本研究人员报告，通过减少碳污染来避免碳污染源导致的“迁移率崩溃”，氮化镓（GaN）的电子迁移率性能创下新高 。
2024-03-13 10:51:34
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CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行，为各种
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
FHX06X型号简介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一种高电子迁移率晶体管（HEMT）用于通用、低噪声和高增益放大器在2到18GHz的频率范围内。这些设备非常适合电信
2023-12-15 10:12:14
FHX05X型号简介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一种高电子迁移率晶体管（HEMT）用于通用、低噪声和高增益放大器在2到18GHz的频率范围内。这些设备非常适合电信
2023-12-15 10:06:46
FHX04X型号简介Sumitomo的FHX04X、FHX05X和FHX06X是一种高电子迁移率晶体管（HEMT）用于通用、低噪声和高增益放大器在2到18GHz的频率范围内。这些设备非常适合电信
2023-12-15 10:01:25
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
,高电子迁移率晶体管 CMPA0527005F，CREE/科锐CMPA0527005F是封装的氮化镓（GaN）高电子基于迁移率晶体管（HEMT
2023-10-17 16:12:54
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器，能处理多种波形
2023-08-26 15:40:57
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
200-W；4400 - 5000 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
200-W；4400 - 5000 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高
2023-08-09 09:18:23
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-08 17:42:05
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50欧姆；输入/输出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-08 17:40:24
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH31240F 非常适合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH35240 非常适合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法
2023-08-07 17:01:21
电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH35240 非常适合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法
2023-08-07 16:58:15
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:16:09
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:14:06
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:11:49
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-07 15:02:04
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有无与伦比的输入
2023-08-07 14:07:15
180-W；直流 - 2 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有
2023-08-07 14:04:59
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 13:46:18
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:54:44
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 CGHV27030S 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），效率高；高增益和宽带宽能力
2023-08-07 10:43:16
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 10:21:42
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；专为高效率而设计的高电子迁移率晶体管
2023-08-07 09:54:13
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；专为高效率而设计的高电子迁移率晶体管
2023-08-07 09:51:08
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 09:46:19
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 09:44:15
6-W；直流 - 15.0 GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F006 是一款无与伦比的产品；专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 09:41:27
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH21240F 非常适合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体
2023-08-07 09:34:30
) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH21240F 非常适合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体
2023-08-07 09:32:17
180W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:29:54
180W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40180PP 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40180PP；采用
2023-08-07 09:27:38
120-W；2300 – 2700 MHz；用于 WiMAX 和 LTE 的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH25120F 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-07 09:18:04
120W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓（GaN）；高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120；采用 28 伏电源轨运行；提供
2023-08-07 09:15:24
迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH09120F 非常适合 MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
2023-08-07 09:13:02
迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH21120F 非常适合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷
2023-08-07 09:00:48
电动晶体管(HEMT),使Cgh21120F适合于1.8-2.3GZWCDMA和LTE放大器的应用。该晶体管以陶瓷/金属法兰包装提供。 特点
2023-08-04 18:01:00
120瓦射频功率 沃尔夫斯派特的cg40120是无与伦比的;氮化镁;高电动晶体管(HEMT)。cgh40120;在28伏特轨道上运行;提供通用的宽带解决方案,用于各种射频和微波应用。甘赫姆
2023-08-04 17:39:47
120瓦射频功率沃尔夫斯派特的cg40120是无与伦比的;氮化镁;高电动晶体管(HEMT)。cgh40120;在28伏特轨道上运行;提供通用的宽带解决方案,用于各种射频和微波应用。甘赫姆茨提供高效率
2023-08-04 17:37:32
60-W; 3300 – 3600-MHz; 28-V; GaN HEMT for WiMAX 沃尔夫斯派特公司的cgh35060p1是一种专门为高效率、高增益和宽带功能而设计的高氮化硅高
2023-08-04 17:06:29
8-W(平均);28-V;用于甚高频至3千兆赫的线性通信的一般HEMT沃尔夫斯派特公司的Cgh27060F是一种专门为高效率、高增益和宽带功能而设计的高氮化硅(GAN)高功率移动晶体管;它使
2023-08-04 17:01:17
45瓦射频功率沃尔夫斯派特的cgh40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cgh40045;在28伏特轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带解决方案。甘赫姆茨提供
2023-08-04 16:47:22
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特的cgh40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cgh40045;在28伏特轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带解决方案。甘
2023-08-04 16:38:44
45瓦射频功率沃尔夫斯派特的cgh40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cgh40045;在28伏特轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带解决方案。甘赫姆茨提供
2023-08-04 16:10:11
35-W射频功率沃尔夫斯捷尔公司的cgh40035f是无与伦比的,它是高电势晶体管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特轨道上运行;提供通用;宽带解决方案的各种射频和微波应用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 10:16:16
35-W射频功率沃尔夫斯捷尔公司的cgh40035f是无与伦比的,它是高电势晶体管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特轨道上运行;提供通用;宽带解决方案的各种射频和微波应用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 09:15:44
30-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:25:43
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
(GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH55030F1/CGH55030P1 非常适合 5.5 – 5.8 GHz WiM
2023-08-03 17:03:53
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-03 16:51:14
而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带能力；这使得 CGH55030F1/CGH55030P1 非常适合 5.5 – 5.8 G
2023-08-03 16:45:34
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:22:28
25W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 15:59:00
25W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 15:39:32
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40025；采用
2023-08-03 14:53:05
15-W；3300 – 3900 MHz；28V；用于 WiMAX 的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH35015 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管，专为
2023-08-03 14:17:54
15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 线性通信的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH27015 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率
2023-08-03 14:10:42
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 线性通信的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH27015 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管；高增益和宽带能力
2023-08-03 14:01:54
15-W；28V；用于 VHF 至 3 GHz 线性通信的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH27015 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管；高增益和宽带能力
2023-08-03 13:59:06
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:44:13
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏
2023-08-03 13:39:48
10W 射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40010；采用 28 伏电源轨运行
2023-08-03 12:01:16
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-03 11:33:36
6W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源
2023-08-03 11:26:41
Wolfspeed 的 CGH40006 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40006；采用 28 伏电源轨运行；提供通用用途；适用于各种射频和微波
2023-08-03 11:23:41
Wolfspeed的CGH35060P1是款致力于高效化需求设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带性能；这导致CGH35060P1特别适合3.3–3.6GHzWiMAX
2023-07-19 09:01:11125 Wolfspeed的CGH35015是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管，致力于802.16-2004 WiMAX稳定连接应用需求设计。GaN HEMT具备高效率；高增益和宽带网络性能；从而
2023-07-06 09:12:4876 度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11:29599 
Wolfspeed的CGH21240F是款致力于高效率设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使得CGH21240F成为1.8–2.3-GHzWCDMA和LTE
2023-04-20 09:12:59144 Wolfspeed的CGH40180PP是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40180PP；选用28伏电源供应；提供了一个通用型；各个射频和微波应用网络带宽
2023-04-17 08:49:44206 Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT
2023-04-04 08:56:10233 Wolfspeed的CGH60120D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGH60120D具备更优越使用性能；以及更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高
2023-03-28 08:59:39164
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