AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款宽带GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
C4H27W400AVYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）功率GaN的大规模应用，其实也只有六七年的历史，从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前，从晶体管来看，功率GaN主要的产品是HEMT（高电子迁移率晶体管
2024-02-28 00:13:00
1844 Ω MMIC Ku 频率段高功率放大器应用领域军工用和商用 Ku 波段雷达产品规格描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器最低频率(MHz)：13500
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2309 C波段100W GaN功率放大器Qorvo QPA2309 C波段100W GaN（氮化镓）功率放大器的工作频率范围为5GHz至6GHz，功率附加效率 (PAE) 高达
2024-02-26 23:01:12
Qorvo QPA2310 C波段50W GaN功率放大器Qorvo QPA2310 C波段50W GaN（氮化镓）功率放大器的工作频率范围为5GHz至6GHz，功率附加效率 (PAE) 高达53
2024-02-26 23:00:18
Qorvo QPA2513 S波段125W GaN功率放大器Qorvo QPA2513 S波段125W GaN（氮化镓）功率放大器在3.1GHz至3.5GHz脉冲射频连续波下工作，提供51dBm饱和
2024-02-26 22:58:05
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）继去年英飞凌收购GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）充电桩市场随着高压直流快充的推广，在一些400kW以上的充电桩中已经采用了SiC功率器件。同为第三代半导体的GaN，由于在高频应用上的优势，一些厂商也在推动GaN进入到
2024-02-21 09:19:283849 事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
CREE的CMPA1E1F060 MMIC HPA系列借助性能卓越0.15um GaN on SiC制作工艺，兼容高至60W的功率。CMPA1E1F060的频率范围为13.4-15.5GHz，偏向
2023-12-26 09:52:16
SGN26C320I2D 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN26C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此
2023-12-25 11:57:02
SGN21C320I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN21C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-25 11:51:32
SGN19C320I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-25 11:44:59
SGN27C210I2D 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN27C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此
2023-12-23 20:37:06
SGN27C160I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN27C160I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-23 20:31:32
EGN21C210I2D 型号简介Sumitomo的GaN HEMT EGN21C210I2D 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高
2023-12-22 16:29:03
EGN21C105I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT EGN21C105I2D 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-22 16:17:13
SGN19C210I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-22 15:49:08
SGC5259-300A-R型号简介Sumitomo的SGC5259-300A-R是一种高功率GaN HEMT，内部匹配C波段雷达波段，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格
2023-12-21 10:53:02
SGC5259-50A-R型号简介Sumitomo的SGC5259-50A-R是一种高功率GaN HEMT，内部匹配C波段雷达波段，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-21 10:45:36
SGK5254-30A-R型号简介Sumitomo的SGK5254-30A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配C波段雷达波段，以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-21 10:18:05
SGNH360M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGNH360M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-21 10:02:08
SGN36H120M1H 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H120M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高
2023-12-21 09:56:42
SGN36H080M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H080M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:50:11
SGN36H050M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H050M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:44:59
SGN26H241M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H241M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:38:56
SGN26H180M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H180M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:33:30
SGN26H120M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H120M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:26:36
SGN26H080M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN26H080M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:19:29
SGN21H181M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H181M1H 为50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供更高的增益。此新产品
2023-12-20 19:31:33
SGN21H180M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H180M1H为50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供更高的增益。此新产品
2023-12-20 19:20:05
SGN19H240M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
SGNH240M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGNH240M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-20 18:24:01
CREE的CMPA1F1H060 MMIC HPA系列通过性能卓越0.15um GaN on SiC制作工艺，兼容高至80W的功率。CMPA1F1H060的频率范围为15.4-17.7GHz，兼容
2023-12-20 09:32:15
SGN3035-150H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度
2023-12-17 11:25:38
SGN2731-500H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500H-R具有高功率、高效率和更高的一致性，适用于s波段雷达应用，覆盖2.7至3.1 GHz，工作电压为
2023-12-17 11:18:51
SGN2731-130H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-130H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度
2023-12-17 11:12:19
SGN2731-120H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-120H-R提供高为50V操作的S波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低点热阻允许使用高达
2023-12-17 11:04:55
SGN2729-600H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V
2023-12-17 10:56:07
SGN2729-250H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达
2023-12-16 21:29:05
SGN1214-220H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN1214-220H-R提供高功率、高效率、易于匹配和更大的一致性，适用于50V工作的L波段雷达应用，覆盖1.2至1.4
2023-12-16 21:13:08
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
SGC5259-400B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-400B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格 厂家
2023-12-10 21:17:16
SGC7178-100A型号简介Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，内部匹配C波段应用，可在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-10 21:10:23
SGN3133-260H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达200µsec
2023-12-10 20:51:52
SGC5259-300B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-300B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格
2023-12-10 14:37:28
SGC52589-50B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-50B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格
2023-12-10 14:22:48
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03350 
GaN市场规模还高出数倍。 这一笔大规模交易的背后，是对功率GaN市场发展潜力的看好。相比于SiC的功率应用产业化较早，GaN材料最初在LED、射频等领域经历了漫长的发展，功率GaN的市场严格来说是从19年才真正上规模。 因此功率GaN市场发展潜力被广泛看好，集邦咨询的预测
2023-11-10 00:24:001758 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25657 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的类产品；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CG2H40120选用28伏电源轨工作；具备通用型应用领域；适合各种射频和微波应用领域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏电源轨
2023-08-07 09:25:11
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃尔夫斯派特的cg2h80120d是一种氦氮化钠(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃尔夫斯派特公司的cg2h80060d是一种氦氮化镁(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃尔夫斯派特的CG2H80045D是一种氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:41:15
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:29:07
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:17:49
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 15:49:22
35-W射频功率沃尔夫斯捷尔公司的cgh40035f是无与伦比的,它是高电势晶体管(HEMT)。cgh40035f;在28伏特轨道上运行;提供通用;宽带解决方案的各种射频和微波应用。甘赫姆茨提供
2023-08-04 10:16:16
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 10:04:25
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越
2023-08-03 14:06:49
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
高功率多波段UV-LED点光源光波导传输，光固化等应用昊量光电新推出用于紫外光固化工艺的模块化光谱组合的高功率多波段UV-LED点光源。模块化理念，基于UV-LED技术、VIS-LED技术
2023-06-26 10:01:07528 
200W的负载电阻。
图7 GaN Class D系统半桥逆变电路
测试时调制波频率设置在人耳可听到的音频范围20Hz-20kHz内，这里取为2kHz。当输出功率为100W时，记录系统的工作波形如图8所示
2023-06-25 15:59:21
GaN在单片功率集成电路中的工业应用日趋成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体集成驱动性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半导体器件集成提供应用性能
2023-06-21 13:20:16
升级到半桥GaN功率半导体
2023-06-21 11:47:21
用于无线充电应用的高压GaN功率半导体单级6.78 MHz功率放大器设计
2023-06-21 11:45:06
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC变换器设计
2023-06-21 07:35:15
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成电路的进展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成电路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
氮化镓（GaN）是用于在干扰器中构建RF功率放大器（PA）的主要技术。GaN 具有独特的电气特性 – 3.4 eV 的带隙使 GaN 的击穿场比其他射频半导体技术高 20 倍。这不仅是GaN的高温可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干扰设备能够满足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
今天，我们接着来说E波段毫米波雷达的功率。在这之前，先来看一个汽车雷达的有趣应用。
2023-05-04 09:29:302051 
我想降低有源和 LPCD 模式下的射频功率，以减少读取范围和功耗。我目前正在读取 70mm 的 ISO 卡。
当前配置如下：
我想我应该降低 VDDPA，但有很多与此相关的设置。
TXLDO_VDDPA_MAX_RDR（0008h）设置为3V3，但读取范围相同。
我应该触摸哪些键设置？
2023-04-28 07:24:02
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41963 
L，S 波段中功率单刀双掷开关
2023-03-25 00:47:37
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