串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Vo+Vbe），约为（Vo+1）。若基极串接一个电阻，则电阻输入端电压必须高于（Vo+1）以使电流流过。而最经济易行的方法
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件号：
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
C4H27W400AVYAmpleon 的射频功率晶体管射频功率晶体管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大，从而提供比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。
2024-02-27 15:50:53
512 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
双极性晶体管是利用两种离子导电，空穴和自由电子，但是对于一个实际存在的系统，其整体上是呈现电中性的，当其中的电子或者空穴移动形成电流时，与之对应的空穴或者电子为什么不会一起随着移动？
这个问题困扰
2024-02-21 21:39:24
晶体管偏置电阻的计算主要是为了确定适当的基极电流以确保晶体管正常工作和线性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶体管的偏置是指为了使晶体管正常工作，需要给晶体管的基极或发射极加上适当的电压，从而使晶体管的工作点处于稳定的状态。
2024-02-05 15:00:43370 
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切换晶体管时遇到了一个问题。我正在尝试让 LED 通过晶体管闪烁。当我从评估板（即 MSP-EXP430G2ET）获取电源 （3.3V） 时，该程序有效。但是当我使用外部电源 （8.33V） 为
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半导体元件还有利用一个PN结构成的具有负阻特性的器件一单结晶体管，请问这个单结晶体管是什么？能够实现负阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶体管在基极和集电极之间并联电容有什么作用？是为了米勒电容吗、？但是米勒电容对三极管的开通有害的时候，为什么还要并联电容？电容不是越并越大，加大了等效米勒电容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
晶体管也就是俗称三极管，其本质是一个电流放大器，通过基射极电流控制集射极电流。
1、当基射极电流很小可以忽略不计时，此时晶体管基本没有对基射极电流的放大作用，此时可以认为晶体管处在关断状态
2、当基
2024-01-18 16:34:45
对于一个含有晶体管，场效应管，运放的电路，该如何求解他的输入电阻和输出电阻，举例而言，在含有晶体管的电路射极跟随器中，求解输出电阻时，为什么要考虑基极的电阻和偏置电路的电阻，此时不应该在基极是二极管
2024-01-10 17:17:56
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
晶体管作为现代电子技术的核心组件之一，尤其是双极结型晶体管（BJT），在众多应用中扮演着开关的重要角色。这篇文章将深入探讨如何在共射极配置下使用NPN型BJT晶体管作为开关，并阐明其在切断区和饱和区的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶体管损坏？ 晶体管是半导体器件的一种，应用广泛，可以在计算机、电视、手机等各种设备中使用。晶体管工作时非常稳定，但是如果不注意使用、维护，很容易损坏。下面为您介绍几种避免晶体管损坏的方法
2023-10-31 10:37:46382 专业图书47-《新概念模拟电路》t-I晶体管
2023-09-28 08:04:05
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的类产品；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CG2H40120选用28伏电源轨工作；具备通用型应用领域；适合各种射频和微波应用领域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:55:56
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:53:36
70-W；4500 至 5900 MHz；用于 C 波段雷达系统的内部匹配 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV59070 是内部匹配的；氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
2023-08-07 15:49:41
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:16:09
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:14:06
10瓦；C波段；无与伦比；氮化镓高电子迁移率晶体管Wolfspeed 的 CGH55015F2/CGH55015P2 是一款专为高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 15:11:49
2.4 - 2.5 GHz、300W 氮化镓晶体管 Wolfspeed 的 WST33H0NC 是一款 300W 封装、部分匹配的晶体管，采用 Wolfspeed 的高性能、50V
2023-08-07 14:26:59
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏电源轨
2023-08-07 09:25:11
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃尔夫斯派特的cg2h80120d是一种氦氮化钠(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃尔夫斯派特公司的cg2h80060d是一种氦氮化镁(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃尔夫斯派特的CG2H80045D是一种氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:41:15
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:29:07
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:17:49
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 15:49:22
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 10:04:25
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越
2023-08-03 14:06:49
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
。
排水端子
· 在 FET 中，漏极端子是载流子离开沟道的地方。
· 这类似于双极结型晶体管中的集电极端子。
· 漏源电压指定为 VDS。
· 漏极端子可指定为 D。
· 离开漏极端子通道的电流可以指定
2023-08-02 12:26:53
该2通道混音器电路基于2n3904晶体管，该晶体管形成2个前置放大器。2通道混音器电路的第一个前置放大器具有高增益，可用于麦克风输入，第二个前置放大器可用于控制音频电平的输入。
这种双通道
2023-08-01 17:19:21
ZXTP19100CG 产品简介DIODES 的 ZXTP19100CG（PNP, 100V, 2A, SOT223）这种采用 SOT223 外形封装的新型低饱和 PNP 晶体管具有
2023-06-11 16:36:12
ZXTP19060CG 产品简介DIODES 的 ZXTP19060CG（PNP、60V、5A、SOT223）这种采用 SOT223 外形封装的新型低饱和 PNP 晶体管具有极低的导通状态
2023-06-11 14:34:04
微波晶体管按功能分类可分为微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管，低噪声晶体管和大功率晶体管被用于设计低噪声放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
ZXTN19100CG 产品简介DIODES 的 ZXTN19100CG 采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC
2023-06-07 07:25:22
ZXTN19060CG 产品简介DIODES 的 ZXTN19060CG 采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合
2023-06-07 07:00:31
当 D0 (GPIO16) 设置为输出时，我在默认引脚（D1 和 D2）上使用 I2C 时遇到问题。GPIO16 连接到 mosfet 晶体管以驱动两个 LED。通常 GPIO16 运行良好——我
2023-06-06 06:02:42
晶体管是什么控制型器件 晶体管属于电流控制电流控制型器件。 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种
2023-05-30 15:32:362179 我正在寻找摩托罗拉收音机 VHF 射频末级中使用的这些旧射频晶体管的数据表，有人可以帮我吗？
2023-05-30 07:40:02
晶体管是什么器件 晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59833 晶体管是什么 晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201133 嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
单结晶体管随着电容的充电放电是如何形成自激振荡脉冲的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大电路输入共模信号时
为什么说RE对每个晶体管的共模信号有2RE的负反馈效果
这里说的每个晶体管的共模信号是指什么信号 是指输入信号 还是指ie1 ie2 uoc ?
另外为什么是负的反馈
2023-04-25 16:15:31
双极结晶体管电路输入振幅变大为什么会导致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在寻找零件号“PCAL6408ABSHP”中有关工艺节点和晶体管数量的信息。NXP 网站上是否有一个位置可以找到 NXP 部件号的此类信息？
2023-04-19 09:27:44
西门子S7-200电源怎么看是继电器输出还是晶体管输出呢？
2023-04-18 10:08:03
西门子CPUSR30可以增加晶体管扩展模块控制步进电机吗？
2023-04-17 14:13:13
采用晶体管互补对称输出时，两管基极之间有电容相连，为什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
请问BJT工艺的线性稳压源为什么多是PNP型晶体管呢？
2023-03-31 11:56:49
有没有负触发导通正的晶体管呢？哪位大神知道请赐教。谢谢啦！
2023-03-31 11:47:46
我在设计 PCB 时犯了一个错误，我的一些晶体管在原理图上将集电极和发射极调换了。“正常”方式是有 1：基极，2：发射极，3：集电极，但我需要一个晶体管，1：基极，2：集电极，3：发射极。引脚号与此图像相关：你知道有这种封装的晶体管吗？我知道我可以将它倒置并旋转，但我想知道我是否可以正确使用一个。
2023-03-28 06:37:56
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