CREE的CMPA1D1J001S是款 1W 封装类型 MMIC HPA，使用高性能 0.15um GaN on SiC 制作工艺。CMPA1D1J001S 的频率范围为 12.7-18 GHz
2024-03-06 09:41:07
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异
2024-01-02 12:05:47
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:36
1219 CREE的CMPA1E1F060 MMIC HPA系列借助性能卓越0.15um GaN on SiC制作工艺，兼容高至60W的功率。CMPA1E1F060的频率范围为13.4-15.5GHz，偏向
2023-12-26 09:52:16
SGN2933-150D-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-150D-R提供高功率、高S波段覆盖2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达
2023-12-25 12:23:01
SGN2731-320D-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-320D-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至3.1GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达
2023-12-25 12:14:59
SGN2729-150D-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-150D-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V
2023-12-25 12:04:50
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2023-12-23 20:31:32
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2023-12-23 20:19:27
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2023-12-22 16:29:03
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2023-12-22 16:17:13
SGN19C160I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的宽带宽，以及给你更高的增益。此
2023-12-22 15:57:02
SGN19C210I2D型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-22 15:49:08
SGC5259-300A-R型号简介Sumitomo的SGC5259-300A-R是一种高功率GaN HEMT，内部匹配C波段雷达波段，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格
2023-12-21 10:53:02
SGC5259-50A-R型号简介Sumitomo的SGC5259-50A-R是一种高功率GaN HEMT，内部匹配C波段雷达波段，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-21 10:45:36
SGK5254-30A-R型号简介Sumitomo的SGK5254-30A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配C波段雷达波段，以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-21 10:18:05
SGNH360M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGNH360M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-21 10:02:08
SGN36H120M1H 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H120M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高
2023-12-21 09:56:42
SGN36H080M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN36H080M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-21 09:50:11
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2023-12-21 09:44:59
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2023-12-21 09:33:30
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2023-12-21 09:26:36
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2023-12-21 09:19:29
SGN21H181M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H181M1H 为50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供更高的增益。此新产品
2023-12-20 19:31:33
SGN21H180M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN21H180M1H为50V高功率L波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供更高的增益。此新产品
2023-12-20 19:20:05
SGN19H240M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
SGNH240M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGNH240M1H 为50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和宽带宽，并为您提供更高的增益。此新产品非常
2023-12-20 18:24:01
CREE的CMPA1F1H060 MMIC HPA系列通过性能卓越0.15um GaN on SiC制作工艺，兼容高至80W的功率。CMPA1F1H060的频率范围为15.4-17.7GHz，兼容
2023-12-20 09:32:15
SGN3035-150H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度
2023-12-17 11:25:38
SGN2731-500H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500H-R具有高功率、高效率和更高的一致性，适用于s波段雷达应用，覆盖2.7至3.1 GHz，工作电压为
2023-12-17 11:18:51
SGN2731-130H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-130H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度
2023-12-17 11:12:19
SGN2731-120H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-120H-R提供高为50V操作的S波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低点热阻允许使用高达
2023-12-17 11:04:55
SGN2729-600H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V
2023-12-17 10:56:07
SGN2729-250H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达
2023-12-16 21:29:05
SGN1214-220H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN1214-220H-R提供高功率、高效率、易于匹配和更大的一致性，适用于50V工作的L波段雷达应用，覆盖1.2至1.4
2023-12-16 21:13:08
SGN350H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高，适用于L波段雷达应用50V操作和高达150μsec脉冲的脉冲条件宽度和占空比高达10%。型号规格
2023-12-16 20:38:52
报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
SGM6906VU型号简介Sumitomo的SGM6906VU是一款50W GaN HEMT模块，内部匹配X波段雷达波段，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-14 09:11:35
SGK5867-100C型号简介Sumitomo的ES/SG5867-100C是一种高功率GaN HEMT，内部匹配标准通信频带，在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-13 12:13:43
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
SGN2933-600D-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆盖2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲
2023-12-11 13:25:59
SGC5259-400B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-400B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格 厂家
2023-12-10 21:17:16
SGC7178-100A型号简介Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，内部匹配C波段应用，可在50Ω系统中提供最佳功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-10 21:10:23
SGC7172-30A型号简介Sumitomo的SGC7172-30A是一种高功率GaN HEMT匹配C波段应用，提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格 厂家
2023-12-10 21:01:54
SGN3133-260H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达200µsec
2023-12-10 20:51:52
SGC7172-120A型号简介Sumitomo的SGC7172-120A是一种高功率GaN HEMT匹配C波段应用，提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格 厂家
2023-12-10 20:42:56
SGK5867-30C 型号简介Sumitomo的SGK5867-30C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。型号规格 厂家
2023-12-10 20:35:27
SGK5872-20C型号简介Sumitomo的ES/SG5872-20C是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳功率和线性。型号规格 厂家
2023-12-10 17:56:39
SGC9395-50B-R型号简介Sumitomo的SGC9395-50B-R是一种高功率GaN HEMT与X波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格 厂家
2023-12-10 14:44:02
SGC5259-300B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-300B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格
2023-12-10 14:37:28
SGC52589-50B-R型号简介Sumitomo的SGC5259-50B-R是一种高功率GaN HEMT与C波段雷达波段匹配，以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。型号规格
2023-12-10 14:22:48
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 一、CGHV60075D5产品描述1.产品特性CGHV60075D5 75 W, 6.0 GHz, GaN HEMT DieDescriptionCree’s
2023-11-07 15:31:11
nitride h鄄igh electron mobility transistor） 的应用可以进一步提高开关频率， 使变换器的开关频率达到 500 kHz甚至几兆赫[1]。 但 GaN HEMT 存在
2023-09-18 07:27:50
Wolfspeed的CG2H40120是款前所未有的类产品；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CG2H40120选用28伏电源轨工作；具备通用型应用领域；适合各种射频和微波应用领域
2023-08-07 17:07:10227 70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。它具有输入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
120-W；射频功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用 28 伏电源轨
2023-08-07 09:25:11
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT
2023-08-07 09:22:52
120-W；射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40120 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40120；采用
2023-08-07 09:20:30
120-W; DC – 8000-MHz; 28 V; GaN HEMT Die 沃尔夫斯派特的cg2h80120d是一种氦氮化钠(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或
2023-08-04 17:25:02
60-W; 8.0-GHz; GaN HEMT Die沃尔夫斯派特公司的cg2h80060d是一种氦氮化镁(GAN)高电动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高
2023-08-04 16:58:59
CG2H80045D 沃尔夫斯派特的CG2H80045D是一种氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。甘油酯的性能优于硅或氟化钡,包括较高的击穿电压、较高的饱和电子漂移速度和较高
2023-08-04 16:43:55
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:41:15
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:29:07
45瓦射频功率 沃尔夫斯派特公司的cg2h40045是无与伦比的,它是高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40045;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供宽带
2023-08-04 16:17:49
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 15:56:50
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 15:49:22
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频
2023-08-04 10:04:25
35-W射频功率 沃尔夫斯派特的cg2h40035是无与伦比的;氮化钡(GAN)高电子移动晶体管(HEMT)。cg2h40035;在28伏轨道上运行;提供一般用途;为各种射频和微波应用提供
2023-08-04 09:18:43
30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越的性能；包括
2023-08-03 17:00:22
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:43:09
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 15:08:51
25W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40025 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40025；采用 28
2023-08-03 14:55:55
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓相比，GaN具有更优越
2023-08-03 14:06:49
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；采用 28
2023-08-03 13:41:45
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 13:36:27
10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H
2023-08-03 11:58:27
Wolfspeed的CGH35060P1是款致力于高效化需求设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带性能；这导致CGH35060P1特别适合3.3–3.6GHzWiMAX
2023-07-19 09:01:11125 说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到极致，并产生商业价值最大化，全球没有第二家公司超越。 经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司
2023-07-10 08:54:531834 Wolfspeed的CGH35015是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管，致力于802.16-2004 WiMAX稳定连接应用需求设计。GaN HEMT具备高效率；高增益和宽带网络性能；从而
2023-07-06 09:12:4876 以及Class D半桥逆变测试，配套测试设备可实现对系统的效率监测以及GaN器件的温度监测。测试平台的电路原理图如图2所示，对应系统的实物图如图3所示，该测试平台的驱动IC为Si8274，利用驱动IC
2023-06-25 15:59:21
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
Wolfspeed的CGHV14500是种致力于高效化设计的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；这也使得CGHV14500成为了1.2–1.4GHzL波段雷达放大器
2023-06-06 11:19:48541 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061220 
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011374 
CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)，适用于960至1215MHz频率段。GTVA104001FA-V1具备输入适配性能；高效率;及其具有
2023-05-19 08:57:14443 Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域
2023-04-24 09:12:47258
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