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电子发烧友网>今日头条>基于选择性紫外光刻的光纤微图案化

基于选择性紫外光刻的光纤微图案化

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2023-06-09 11:36:522037

利用选择性改善接收机的截止点

。本文分别介绍了二阶和三阶交调情况下传统接收机截止点级联方程的改进形式。二阶截止点(IP2)和三阶截止点(IP3)级联方程的数学推导过程引入了给接收级之间增加选择性(S)带来的影响,以改善IIP2与IIP3。
2023-06-08 17:06:15687

紫外光刻随机效应的表现及产生原因

  极紫外光刻的制约因素   耗电量高极紫外线波长更短,但易被吸收,可利用率极低,需要光源提供足够大的功率。如ASML 3400B光刻机,250W的功率,每天耗电达到三万度。   生产效率仍不
2023-06-08 15:56:42283

昊衡科技:OLI-国产高性能光纤微裂纹检测仪

OLI是昊衡科技推出的一款低成本光学链路诊断系统,基于白光干涉原理,通过相干检测技术,精确测量整个链路的回波损耗分布,进而判断链路的性能。图1OLI低成本光学链路诊断仪保偏光纤有两个主要的传输
2023-06-07 10:13:36338

一文看懂EUV光刻

紫外 (EUV) 光刻系统是当今使用的最先进的光刻系统。本文将介绍这项重要但复杂的技术。
2023-06-06 11:23:54688

可燃气体报警器价格一览:如何选择性价比最高的产品?

可燃气体报警器价格一览:如何选择性价比最高的产品?
2023-06-05 16:27:25644

芯片里面百万亿的晶体管是怎么装进去的?

光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )
2023-06-02 14:48:301085

无需FMM,京东方研发出光刻AMQLED

BOE(京东方)开发的量子点直接光刻(DP-QLED)工艺,仅需要涂膜、曝光、显影三步即实现了一种量子点的图案化;相对于其它光刻图案化工艺,步骤减少,无需引入附加结构,可有效提升效率、成本可大幅降低。
2023-06-01 17:44:041286

EUV光源四种产生方式及对比分析

随着光刻技术的进步,光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm (分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线),所制造的集成电路特征尺寸为600nm或更大。
2023-06-01 10:19:001318

载体晶圆对蚀刻速率、选择性、形貌的影响

等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤,然而,载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓(GaN)设备,通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中,英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452

紫外光谱仪的操作

紫外-可见分光光度法(ultraviolet and visible spectrophotometry,UV-vis)是基于物质分子对紫外-可见区辐射的吸收特性建立起来的一种定性、定量和结构分析的方法。这种分子光谱主要产生于分子的外层价电子在电子能级间的跃迁。
2023-05-25 09:06:201159

光纤收发器单模和双模的选择和怎么接线

  综上所述,如果需要进行长距离、高速率、高质量的数据传输,应该选择单模光纤收发器;如果需要进行短距离、低速率、一般质量的数据传输,可以选择双模光纤收发器。在选择光纤收发器时,还需要考虑实际应用场景、设备兼容性、成本等因素,以选择合适的光纤收发器。
2023-05-17 15:06:172982

光纤收发器的选择事项和常见问题

  在以太网光纤收发器设计中,元器件的选择举足轻重,它决定了产品的性能、寿命和成本。光电介质转换芯片(OEMC)是整个收发器的核心。选择介质转换芯片是以太网光纤收发器设计的第一步,也是非常重要的一步。它的选择直接影响和决定了其它元器件的选择
2023-05-16 18:12:08493

受四色视觉启发的超弱紫外光探测神经形态视觉传感器

针对以上问题,天津大学纪德洋教授团队,联合南京邮电大学凌海峰教授团队和长春应用化学研究所的田洪坤研究员团队,以有机光电晶体管(OPTs)为基本工作单元(图1b和1c),受昆虫眼睛四色视觉系统的启发,利用OPTs超灵敏的紫外光响应特性及存储性能
2023-05-05 09:45:49414

EUV光刻的无名英雄

晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模,然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是,如果光刻胶太薄,它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小,底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689

光刻技术简述

光刻技术是将掩模中的几何形状的图案转移到覆盖在半导体晶片表面的薄层辐射敏感材料(称为抗蚀剂)上的过程
2023-04-25 09:55:131057

计算光刻技术有多重要?计算光刻如何改变2nm芯片制造?

光刻是在晶圆上创建图案的过程,是芯片制造过程的起始阶段,包括两个阶段——光掩膜制造和图案投影。
2023-04-25 09:22:16696

虹科技术|半导体制造工艺中的UV-LED光源

半导体行业借助紫外光谱范围(i 线:365 nm、h线:405 nm和g线:436 nm)中的高功率辐射在各种光刻、曝光和显影工艺中创建复杂的微观结构
2023-04-24 11:23:281480

光刻胶显影残留原因

151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留,找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13:52

从制造端来聊聊——芯片是如何诞生的

光刻胶层透过掩模被曝光在紫外线之下,变得可溶,掩模上印着预先设计好得电路图案紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成每一层电路图形。这个原理和老式胶片曝光类似。
2023-04-20 11:50:141523

浅谈EUV光刻中的光刻胶和掩模等材料挑战

新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战,imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121164

实力不允许低调,瑞丰恒高功率紫外激光器在白色陶瓷表面打黑

RS232串口与计算机通信,在外部精确控制激光器参数。瑞丰恒Expert III 355系列紫外激光器拥有小巧体积,一体设计,方便设备集成,而且无需做大光路,进一步节省成本。在瑞丰恒,全程无尘的生产
2023-04-04 16:40:21

西安光机所在表面功能化光纤传感器的研究

近日,西安光机所在表面功能化光纤传感器研究方面取得重要进展。研究团队基于通信单模光纤开发出一种免标记、高灵敏度、高选择性的法布里-泊罗(Fabry-Perot)型干涉探针
2023-04-04 10:11:07631

高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展

氧化镓(Ga2O3)是一种新兴宽禁带半导体(禁带宽度为4.9 eV),具有热稳定性好、禁带宽度大、紫外吸收系数大、材料易加工等优点,是日盲紫外探测理想的半导体材料。基于Ga2O3的日盲紫外光电探测器已有很多的报道。
2023-03-28 11:48:012795

新品推荐—无掩膜版紫外***

直写设备具备高灵活性,且可以实现较高精度,但由于是逐行扫描,曝光效率较低。近些年,基于空间光调制器(DMD/DLP)的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。 闪光科技为您推出TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机就采用空间光调
2023-03-28 08:55:41692

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