电子发烧友网报道（文/刘静）2018年开始氮化镓被引入快充充电器，为充电器工厂提供了巨大的发展空间，大批的传统充电器厂商纷纷转战氮化镓市场。随着苹果推出140W大功率的笔电快充方案，充电器
2023-07-21 09:08:38
2500 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脉冲射频连续波下工作。该款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性 2023 年 12 月 28
2024-01-03 15:17:33125 2024紫光同创盘古家族产品将全面更新，推出多款新品，涵盖紫光同创Logos/Logos2/Titan2/Compa全系列，满足多方位需求，同时，针对高校教学，推出盘古EU22K(PGL22G)(教学版/合并下载器)、盘古PGX(PGL50H)(电赛定制)，产品丰富
本主题由 dianzi_0
2024-01-03 14:49:15
事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
也提出了更高的要求。 按照栅极特性差异，GaN分为 常开的 耗 尽型（D-mode ）和 常关的增强型（E-mode） 两种类型；按照应用场景差异，GaN需要 隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断 等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出
2023-12-20 13:35:02235 
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
德州仪器 (TI) 今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 今年PI InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品，“900V耐压”和“100W输出功率”非常吸引眼光。本次，我们将从新品性能、参考设计以及Demo测评三个角度，初步认识本次新品。
2023-11-28 15:24:42719 
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 虽然氮化镓（GaN）半导体在汽车应用中仍处于早期阶段，它正迅速进入更高电压领域。考虑到其高功率密度和效率，氮化镓技术正逐渐在汽车工业中获得吸引力。适用于低压和高压应用，它能应用于各种汽车系统。GaN有潜力大幅提高整体效率，我们预计，它会对汽车工业产生显著影响。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
ECCE 2023 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC
2023-10-31 11:12:52266 氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
2023-10-24 14:12:26531 有无大佬知道这个SYN15-AAC是个啥?半导小芯查不到
这东西不知道被谁插在电脑上了,还插在了打印机线上,是同事问我打印机找不到了才发现这么个东西,插电脑上有一声响但不知道是干啥用的
2023-10-20 14:14:48
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44544 后，再次推出高集成度氮化镓功率芯片KT65C1R120D，将控制器、氮化镓驱动器、GaN功率管集成到DFN8*8个小体积封装。通过将它们全部集成到一个封装中，降低了寄生参数对高频开关的影响，在提高可靠性的同时提高了效率，并简化了氮化镓充电器的设计。
2023-10-11 15:33:30311 
在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
与器件接地参考控制信号。自举电容器 CBST、图腾柱双极驱动器和常规栅极电阻器都可作为电平位移电路。此外，一些驱动芯片已内置自举电路，可直接将自举信号接入功率器件基准端。
驱动电路按照电路结构分为隔离型
2023-10-07 17:00:40
作为第三代半导体材料，氮化镓具有高频、高效率、低发热等特点，是制作功率芯片的理想材料。如今，电源芯片厂商纷纷推出氮化镓封装芯片产品。这些氮化镓芯片可以显著提高充电器的使用效率，减少热量的产生，并且缩小了充电器的体积，使用户在日常出行时更容易携带。
2023-10-07 15:32:33414 
86面板墙插是我国普通家庭用电最常见的一种电力接口，当第三代半导体氮化镓功率器件遇上86面板墙插，会带来怎样的新惊喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
Keep Tops继年初推出KT65C1R200D 等氮化镓功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化镓功率芯片，Keep Tops产品将高性能、高可靠性电流控制
2023-09-20 16:07:23387 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342697 
推出非常关键的同步整流控制器，解决了氮化镓快充的全部难点。在移动电源领域，智融同样不断克服技术难题，推出同步升降压控制器、协议芯片、SoC 芯片等产品，致力于为客户提供端到端的全套解决方案。
2023-09-18 15:52:03
氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。意法半导体的数字电源解决方案可以使用专用的评估板、参考设计、技术文档和eDesignSuite软件配置器和设计工具来实现
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:151942 。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 这是以电源IC AN7115为主要部分搭建的微型音频放大器电路。通常，使用 9VDC 电源和 4Ω 扬声器时，该放大器将提供约 2.1W 的功率。当电源电压（Vcc）为9.0VDC、THD=10%、RL=8Ω时，AN7114的输出功率可达1.4W，噪声输出为3mV。
2023-08-02 15:33:10412 
相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:233605 氮化镓功率器件多用于充电器领域，出货量很大。并陆续扩展到车载OBC、数据中心的电源、分布式电源等应用。最近罗姆发布EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品
2023-07-27 11:06:201179 
R2A20112SP/DD 数据表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-07-13 19:23:53
0 深圳市三佛科技有限公司供应NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC，原装现货 型号：NCP1342品牌：安森美封装:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
。这款电源内置英诺赛科INN700TK350B氮化镓开关管，采用TO252封装，额定耐压为700V，瞬态耐压为800V，具有更多余量。电源支持90-264V输入电压
2023-07-05 22:38:44
NP83P06PDG 数据表
2023-06-30 20:17:160 NP100P06PDG 数据表
2023-06-30 20:17:040 NP83P04PDG 数据表
2023-06-30 20:13:510 NP100P04PDG 数据表
2023-06-30 20:00:430 NP110N04PDG 数据表
2023-06-26 20:55:200 NP82N06PDG 数据表
2023-06-26 20:54:420 NP82N04PDG 数据表
2023-06-26 19:41:180 功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
座采用橙色胶芯，正负极加宽设计。
全部拆解完毕，来张全家福。
充电头网拆解总结
橙果电子推出的这款氮化镓充电器为长条柱状造型设计，具备折叠插脚，小巧便携。充电器具备2C1A接口，总输出功率为65W
2023-06-16 14:05:50
电机逆变器功率开关的比较电机逆变器:三相拓扑•IGBT:行业“主力”开关速度慢，损耗低•MOSFET:更快的开关，更好•氮化镓:几乎没有开关损耗
2023-06-16 11:31:56
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
。
在器件层面，根据实际情况而言，归一化导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）乘积得出的优值系数，氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径，氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15384 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 IC
2023-05-15 10:47:11947 
业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商。
2023-05-10 11:23:31820 业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
NP110N04PDG 数据表
2023-05-06 19:09:180 NP82N06PDG 数据表
2023-05-06 19:08:400 NP82N04PDG 数据表
2023-05-05 19:48:410 镓PD-65W应用器件先进封装关键技术研究与开发、PDPN5*6 IC器件封装工艺研究、SOP16 IC器件封装工艺研究、TO247大功率器件封装工艺研究、TO220F大功率器件封装工艺研究。目前晶导
2023-04-14 16:00:28
爱美雅公司推出的小型 65W 氮化镓 2C1A 多口充电头，采用茂睿芯成熟稳定的 IC 芯片及第三代半导体制造商-润新微 GaN-MOS，充电器具备 2C1A 三个输出接口，两个 USB-C
2023-04-07 10:59:141224 
智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积
2023-04-04 17:53:37
PI宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。新IC采用了PI特有的PowiGaN技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而无需散热片，并可简化空间受限型应用的电源设计。
2023-03-31 02:10:003363 
R2A20112SP/DD 数据表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-03-30 19:52:440 、高耐压的半导体器件。近期，深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)宣布推出900V耐压的氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3系列反激式开关IC再添新品。 据了解，新IC采用该公司特有的PowiGaN技术，使用独
2023-03-30 11:48:45562 AP7115-25SEG
2023-03-28 14:52:17
在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021193 
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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