）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:00
1844 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化镓功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脉冲射频连续波下工作。该款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121来驱动氮化镓半桥电路，采样的全隔离的驱动方案，但是现在上管的驱动电压随输入电压的升高而升高，不知道为啥？是因为驱动芯片的原因吗？上管是将5V的输入电压由B0515隔离芯片转化
2024-01-11 06:43:50
氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS管的优势，合理的驱动方法是至关重要的。本文将介绍氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势
2024-01-09 18:06:36302 事通讯设备产品规格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管最低频率(MHz)：0最高频率(MHz)：2000最高值输出功率(W)：200增益值(分贝)：24.0效率（％）：70额定电压(V)：27类型：封装分立晶体管封装类别：法兰盘、丸状技术应用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
也提出了更高的要求。 按照栅极特性差异，GaN分为 常开的 耗 尽型（D-mode ）和 常关的增强型（E-mode） 两种类型；按照应用场景差异，GaN需要 隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断 等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出
2023-12-20 13:35:02235 
Sumitomo 是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。住友氮化镓器件用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电和其他应用。 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信
2023-12-15 17:43:45
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比
2023-12-13 10:10:57
建立合作关系，携手研发车规氮化镓（GaN）功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。
2023-11-28 08:31:54170 本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
2023-11-27 17:12:011013 
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22350 氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓激光芯片的用途。 一、通信领域 氮化镓激光芯片
2023-11-24 11:23:151100 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程
2023-11-24 11:15:20720 具有出色的交流和直流性能，适合有源滤波器应用。因而AD712非常适合用作12位DAC/ADC的缓冲器以及高速积分器。同时，建立时间性能则是任何类似IC放大器所无法比拟的。使用在HIFI功放上是当之无愧的！
2023-11-23 08:09:33
。很明显，大压摆率赋于低延时、实时控。
4、AD823的低失调电压（200个）：一方面，光伏并网逆变器的输出功率是随阳光强弱变化的，当在很小的输出功率时，()采样到的输出交流电流也很小，因()低的失调电压
2023-11-23 07:24:40
虽然氮化镓（GaN）半导体在汽车应用中仍处于早期阶段，它正迅速进入更高电压领域。考虑到其高功率密度和效率，氮化镓技术正逐渐在汽车工业中获得吸引力。适用于低压和高压应用，它能应用于各种汽车系统。GaN有潜力大幅提高整体效率，我们预计，它会对汽车工业产生显著影响。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
2023-10-24 14:12:26531 DM9051 with AT32 MCU本应用指南将介绍如何在 AT32F4 xx 单片机上通过 DM9051 网卡芯片实现以太网通信，并提供基于AT32F4xx_StdPeriph_Lib 和 uIP 协议栈的源代码 。
2023-10-19 07:16:12
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44544 在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:23476 
是什么因素导致充电器充电效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
I.特点
HDMI和DVI
-符合HDMI 2.0b
-高达6Gbps TMDS比特率
-分辨率高达4096x2160p/30Hz
支持HDMI的直流耦合。
支持集成的50欧姆终端电阻器
用于高速输入信号
支持输出摆动调整和前置增强
支持可编程均衡比
调整视频质量和电缆长度
支持HDMI的自动输入选择
支持在活动输入之间手动选择
支持外部控制器进行输入选择
支持深彩色和RGB/YUV（4:4:4），YUV
（4:2:2）和YUV（4:2:0）颜色格式
嵌入式LDO稳压器，从5V到3.3V/1.2V
2023-09-25 06:54:16
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342697 
本书系统地介绍了功率因数校正电路的原理和应用技术。书中详细介绍了单相功率因数校正电路原理及控制方法（包括CCM单相Boost 型功率因数校正电路、CRM单相Boost型功率因数校正电路、交错并联
2023-09-19 07:12:10
氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件针对软开关谐振和硬开关转换器进行了优化，可最大限度提高低功率和高功率应用的系统效率。基于氮化镓的最新产品具备更高的能源效率，并支持面向广泛的应用提供更紧凑的电源设计。意法半导体的数字电源解决方案可以使用专用的评估板、参考设计、技术文档和eDesignSuite软件配置器和设计工具来实现
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工业应用中的解决方案，议程分为：功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
下面介绍排版惯例以及如何提供反馈：
排版惯例使用以下排版惯例：
等宽表示可以在键盘上输入的文本，例如命令、文件名和程序名以及源代码。
等距表示命令或选项的允许缩写。
可以输入带下划线的文本，而不是
2023-08-30 08:17:23
氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:151942 电子发烧友网站提供《SAS3808N Tri-Mode IOC产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-23 15:13:33
0 电子发烧友网站提供《SAS3516 Tri-Mode ROC产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-23 10:54:390 电子发烧友网站提供《SAS3408 Tri-Mode IOC产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-22 16:37:340 电子发烧友网站提供《SAS3908 Tri-Mode ROC产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-22 14:44:520 电子发烧友网站提供《SAS3808 Tri-Mode IOC产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-22 10:36:340 。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
。Nexperia（安世半导体）在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，从 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半导体）丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。
2023-08-10 13:55:54500 这是以电源IC AN7115为主要部分搭建的微型音频放大器电路。通常，使用 9VDC 电源和 4Ω 扬声器时，该放大器将提供约 2.1W 的功率。当电源电压（Vcc）为9.0VDC、THD=10%、RL=8Ω时，AN7114的输出功率可达1.4W，噪声输出为3mV。
2023-08-02 15:33:10412 
相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:233605 氮化镓功率器件多用于充电器领域，出货量很大。并陆续扩展到车载OBC、数据中心的电源、分布式电源等应用。最近罗姆发布EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品
2023-07-27 11:06:201179 
R2A20112SP/DD 数据表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-07-13 19:23:530 ; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化镓快充电源IC 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
安森美65W氮化镓PD充电器芯片 产品介绍：NCP1342准谐振反激控制器是一种高度集成的高频PWM(脉宽调制)控制器，旨在简化高性能脱机功率变换器的设计。NCP13
2023-07-05 15:24:23
NP83P06PDG 数据表
2023-06-30 20:17:160 NP100P06PDG 数据表
2023-06-30 20:17:040 NP83P04PDG 数据表
2023-06-30 20:13:510 NP100P04PDG 数据表
2023-06-30 20:00:430 NP110N04PDG 数据表
2023-06-26 20:55:200 NP82N06PDG 数据表
2023-06-26 20:54:420 NP82N04PDG 数据表
2023-06-26 19:41:180 功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理论极限[1-2]，而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性，可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能，有助消除死区时间且增加PWM频率，从而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果电子是一家专业的电源适配器，快充电源和氮化镓充电器的制造商，公司具有标准无尘生产车间，为客户进行一站式服务。充电头网拿到了橙果电子推出的一款2C1A氮化镓充电器，总输出功率为65W，单口
2023-06-16 14:05:50
电机逆变器功率开关的比较电机逆变器:三相拓扑•IGBT:行业“主力”开关速度慢，损耗低•MOSFET:更快的开关，更好•氮化镓:几乎没有开关损耗
2023-06-16 11:31:56
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例：高密度手机充电器•应用实例：高性能电机驱动器•应用示例；高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，氮化镓充电器的开关频率，已经从 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产，则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15384 业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商。
2023-05-10 11:23:31820 首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 
NP110N04PDG 数据表
2023-05-06 19:09:180 NP82N06PDG 数据表
2023-05-06 19:08:400 NP82N04PDG 数据表
2023-05-05 19:48:410 合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积
2023-04-04 17:53:37
R2A20112SP/DD 数据表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-03-30 19:52:440 AP7115-25SEG
2023-03-28 14:52:17
，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机功耗
2023-03-28 10:31:57
电压，可直接用于驱动氮化镓功率管；芯片工作于带谷底锁定功能的谷底开启模式，同时集成频率抖动功能以优化 EMI 性能；当负载降低时，芯片从 PFM 模式切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率，空载待机
2023-03-28 10:24:46
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