)- **通道类型：** N—Channel沟道- **漏极-源极电压（VDS）：** 40V- **漏极-源极电流（ID）：** 123A- **导通电阻（RDS(ON)）
2024-02-19 16:27:26
**NP40N10PDF-VB****丝印：** VBL1104N **品牌：** VBsemi **参数：** TO263；N—Channel沟道, 100V；45A
2024-02-19 15:14:12
**产品型号：** SIR462DP-T1-GE3-VB**丝印：** VBQA1308**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：DFN8(5X6)- 沟道类型：N-Channel- 额定
2024-02-19 14:42:26
;- N—Channel沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：80A - RDS(ON)：7mΩ @ VGS=10V, VGS=2
2024-02-03 14:24:45
8(5X6) - 沟道类型: N—Channel - 额定电压(VDS): 100V - 额定电流(ID): 100A - 导
2024-02-03 13:43:26
型号：STD100N10F7-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数：- 封装：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大耐压：100V- 最大电流：70A- 开态电阻：RDS
2024-02-03 10:54:37
型号: SI7852ADP-VB丝印: VBQA1806品牌: VBsemi参数:- 封装: DFN8(5X6)- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 80V- 最大电流(Id
2024-02-02 16:57:27
变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型
2024-01-30 11:51:42
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻
2024-01-30 11:38:27
产品概述 DK5V100R10VN是一款简单高效率的同步整 流芯片。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可 以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取 代或替换目前市场上等规的肖特基
2024-01-27 16:58:41
产品概述 DK5V100R10ST1是一款简单高效率的同步 整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特 基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率 NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗
2024-01-27 16:56:04
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能，使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:15
1382 H6203G 是一款150V高耐压芯片支持100V转3.3V 100V转5V 100V转12V。
产品描述
H6203G是一种内置150V耐压MOS，支持输入高达120V的高压降压开关控制器，可以向负载
2024-01-26 14:13:26
产品不适合电动车控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大电流冲击的应用领域。最适合用的领域就是芯片+mos管的驱动方式、5A以内的普通逻辑开关或者高频开关应用。
惠海MOS管在典型应用领域
2024-01-20 15:30:35
：- **沟道类型：** N—Channel- **最大沟道电压：** 60V- **最大持续电流：** 100A- **导通电阻：** RDS(ON)=3mΩ @
2024-01-02 15:59:28
型号：MDU1514URH-VB丝印：VBQA1308品牌：VBsemi参数：- 封装类型：DFN8(5X6)- 沟道类型：N—Channel- 最大漏电压（Vds）：30V- 最大漏极电流（Id
2023-12-29 11:22:19
型号: SI7850DP-T1-E3-VB丝印: VBQA1638品牌: VBsemi参数:- 封装类型: DFN8(5X6)- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 60V- 最大电流
2023-12-29 11:10:55
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
型号：CMU12N10-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 最大连续电流：15A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115m
2023-12-21 15:47:19
型号：12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 最大连续电流：18A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-21 10:55:58
, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：1.79V- 封装类型：DFN8(5X6)应用简介：MDU1517RH-VB是一款N沟道功率MO
2023-12-20 15:52:36
型号：ME20N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V
2023-12-20 11:10:43
型号：SUD40N10-25-E3-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
型号：FDD3672-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:32:42
型号：ME15N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 额定电流：18A- 开通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-19 11:01:35
型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大电流：160A- 导通电阻（RDS
2023-12-14 15:34:43
型号：SI7478DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1606品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：60V- 最大连续电流：90A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：6
2023-12-14 11:59:15
Ω @ 10Vgs- 阈值电压（Vth）：3.5V- 封装类型：TO252应用简介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），
2023-12-13 17:18:09
型号：UT100N03L-VB丝印：VBM1303品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：N沟道MOSFET- 额定电压（Vds）：30V- 额定电流（Id）：120A- 导通电阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
型号：15N10 TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：100V- 额定电流：18A- 静态电阻：115mΩ @ 10V, 121m
2023-12-13 14:29:03
VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A
2023-11-30 16:15:59
AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS
2023-11-29 16:53:53
AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管产品，丝印型号为VBE1104N。该产品属于N沟道类型，可承受最高100V的电压和40A的电流。其RDS(ON)参数为30mΩ（在10V工作电压
2023-11-29 16:52:11
Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。
场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道
2023-11-28 15:53:49
电路和外置场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。
当接通输入电源后，FS4067进 入充电状态，控制外置N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，外置
2023-11-21 12:14:43
请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01:20
Features
9V to 100V input voltage range
1.5A/5A continuous output current
95% Peak Efficiency
2023-11-09 15:48:40
型号 IPD78CN10N G丝印 VBE1106N品牌 VBsemi详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 25A 开通电阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V
2023-11-06 10:34:32
Ω @ 10V, 20Vgs (±V) 阈值电压 3.2V 封装类型 TO252详细参数说明 PSMN025100D是一款N沟道MOS管，适用于最大100V的工作电压，最大
2023-11-03 15:21:13
1.9Vth (V) 封装类型 DFN8 (5X6)应用简介 SIR422DPT1GE3是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的
2023-11-03 13:55:28
型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型号 CMD12N10丝印 VBE1101M品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 100V 额定电流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121m
2023-11-03 11:03:51
型号 FDT86113LZ丝印 VBJ1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 5A 导通电阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
;100V 额定电流(ID) 70A 开通电阻(RDS(ON)) 18mΩ@10V, 22mΩ@4.5V &nbs
2023-11-02 11:26:58
型号 15N10 TO251丝印 VBFB1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 15A 导通电阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型号 RSD050N10TL丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
型号 FDC3512丝印 VB7101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 3.2A 导通电阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
)；TO263该产品具有以下详细参数说明 类型 N沟道功率场效应管 最大耐压 100V 最大漏极电流 45A 导通时的电阻（RDS(ON)） 32mΩ@10V
2023-10-31 10:12:53
CED12N10详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 15A 导通电阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-30 16:06:33
型号 FQU13N10L丝印 VBFB1101M品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 100V 额定电流 15A RDS
2023-10-30 14:13:32
供应APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG095N01 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 17:14:45
FDC5661N详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 60V- 额定电流 7A- 导通电阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
供应APG082N01 n沟道mos管100v 100a-电源适配器mos管规格书，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG082N01规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 16:38:06
0 供应APG082N01 100v控制器mos管铨力N通道增强型MOSFET管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供APG082N01规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-27 16:35:09
ZXMN6A07ZTA (VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介
2023-10-27 10:30:17
供应AP40N100LK耐压100v贴片mos管-40N100管子，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP40N100LK规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-10-23 17:23:43
特点
9V 至 100V 的输入电压范围功率管 4A 电流限制
2A 连续负载电流
93%峰值效率
400µA 工作静态电流
集成 100V/400mΩ的 NMOS 管
峰值电流控制模式
300
2023-10-23 15:03:33
DMTH10H4M5LPS 产品简介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该
2023-09-19 13:30:37
DMTH10H2M5STLW 产品简介DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少(R DS(ON) )， 同时保持卓越
2023-09-19 12:36:29
DMTH10H072LPS 产品简介DIODES 的 DMTH10H072LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该
2023-09-19 11:55:10
DMTH10H010LCTB 产品简介DIODES 的 DMTH10H010LCTB 这种新一代N沟道增强型MOSFET设计用于最小化RDS（ON），同时保持卓越的切换表演该设备是高效电源
2023-09-19 11:39:39
DMTH10H009LPS 产品简介DIODES 的 DMTH10H009LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该
2023-09-19 11:26:18
DMT10H4M5LPS 产品简介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 13:23:02
DMT10H015LCG 产品简介DIODES 的 DMT10H015LCG 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 11:23:58
DMT10H010LPS 产品简介DIODES 的 DMT10H010LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 11:18:46
DMT10H009SCG 产品简介DIODES 的 DMT10H009SCG 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 11:05:00
DMT10H009LPS 产品简介DIODES 的 DMT10H009LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 10:56:52
DMT10H009LCG 产品简介DIODES 的 DMT10H009LCG 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件
2023-09-18 10:29:47
Features 100V, 75ARDS(ON)
2023-09-02 17:13:59
mos管p沟道n沟道的区别 MOS管是一种主流的场效应晶体管，分为p沟道MOS管和n沟道MOS管两种类型。这两种MOS管的区别主要在于导电性质、静态特性、输入电容、噪声功率和门极结色散等方面
2023-08-25 15:11:258265 PL8311是宝砾微电子推出的一款36V，1.5A单片式降压型开关稳压器。 PL8311集成了36V 250mΩ高侧和36V，140mΩ低侧MOSFET，可在4.5V至36V宽工作输入电压范围内提供
2023-08-23 17:07:49
供应AP8205 双n mos 20v6A 丝印：8205A-铨力mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP8205规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:07:51
（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中
2023-08-21 10:49:56
原厂代理宝砾微
PL83081是一款 PWM 控制器，专为高性能同步 Buck DC/DC 应用设计，输入电压为3.0 V 至24 V。PL83081采用恒开时间控制。根据 FREQ 引脚和 GND
2023-08-16 11:33:09
的场合可以相互更换。
2.1N4148为小电流开关管，耐压100V。
3.1N4007为整流管，1A-1000V。有许多类型的替代模型。
应用差异
一般来说，我们在使用续流二极管时大多
2023-07-31 16:07:44
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管，原装，库存现货热销MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6，原装，库存现货热销 MSM06065G1 品牌：美浦森 封装：DFN5
2023-07-05 15:50:06
RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:360 X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10
2023-06-29 17:40:01368 
供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
供应HY3810NA2P 100V180An沟道增强型场效应管，提供HY3810NA2P 100v mos管手册及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:23:141 供应HY3810NA2P TO-220AB 100v耐压mos管100V/180A N沟道增强型MOSFET，提供HY3810NA2P关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:21:45
供应功率mos管10N65L-ML UTC 10A，650V，提供-10n65参数及代换 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请 。>>
2023-06-09 15:24:46
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
PL30502是宝砾微电子推出的20V同步升压转换器，内置栅极驱动器，可断开负载。 PL30502集成了两个低导通电阻功率FET：一个7mΩ的开关FET和一个7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
中国—— 意法半导体的STL120N10F8N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 保护和过温保护。
SL3041 外围电路简单，封装采用ESOP8
特点
3A输出峰值电流
10V至100V宽工作电压范围
内置功率MOSFET
110KHZ固定开关频率
软启动
输出短路保护
2023-05-24 16:39:12
Boost升压电路，DC60-DC72大功率用于电动车增速使用，MOSFET管烧坏导致短路，这种管子网上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
描述BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。特点♦ 快速切换♦ 低Crss
2023-05-16 16:28:47
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26:16
limit of 3.5A, typically. The wide 5Vto 100V input range accommodates a variety
2023-04-21 15:36:47
概述SL3041 是一款内部集成有功率MOSFET管可设定输出电流的降压型开关稳压器。可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（10V至100V）可提供最大3A电流的高效率输出
2023-04-20 10:19:11
PL1201 锂电充电芯片产品型号供货状态模式串数(s)锂离子（V）磷酸铁锂输入电压(V)充电电流(A)静态电流（uA）指示灯输入过压(V)输入欠压(V)封装PL1201量产Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
对于N沟道增强型MOS管而言，为何漏源电压增大到一定反型层会消失？此时栅极和衬底间不是仍然有一个正压吗
2023-03-31 15:31:55
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