电子发烧友网站提供《单通道隔离式栅极驱动器UCC53x0数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:00:57
0 电子发烧友网站提供《具有-5V输入电压能力的20V、4A双通道低侧栅极驱动器UCC27444数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 13:46:040 电子发烧友网站提供《电隔离单通道栅极驱动器UCC21750-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:38:520 电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:510 电子发烧友网站提供《38-V 1.2-A 单通道 LED 背光灯驱动器TPS92360数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:03:130 电子发烧友网站提供《具有UVLO的5A、5A光耦兼容单通道功能隔离式栅极驱动器UCC23113数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 09:59:350 电子发烧友网站提供《汽车类 4A、6A 增强型隔离双通道栅极驱动器UCC21551x-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 11:40:320 电子发烧友网站提供《具有单通道降压稳压器、由串行接口控制的7通道电机驱动器TPIC2030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:50:400 电桥电路栅驱动器和MOSFET栅驱动器产品介绍
2024-03-19 09:43:36
49 
电子发烧友网站提供《单通道高速MOSFET驱动器TPS2816-Q1 TPS2817-Q1 TPS2818-Q1 TPS2819-Q1 TPS2828-Q1 TPS2829-Q1数据表 .pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:28:320 电子发烧友网站提供《单通道高速MOSFET驱动器TPS28xx数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-14 09:25:460 • 热关断保护：170°C• 采用 SOP-8 封装 描述：SCT52245是一款宽电源、双通道、高速、低侧栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT
2024-03-13 14:41:18
描述：SCT63141是一款高度集成的电源管理IC，可实现高性能、高效率和成本效益的无线电源发射系统，支持高达15W的功率传输。该器件集成了5V-LDO、4-MOSFET全桥功率级、栅极驱动器
2024-03-13 13:54:46
荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 电子发烧友网站提供《超低工作电压单通道H桥驱动器FS116L数据手册.pdf》资料免费下载
2024-03-08 09:10:331 驱动器和控制器的发展。因此，电路设计人员经常求助于为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，从而需要仔细考虑各种因素以获得最佳性能。 GaN晶体管与Si MOSFETs 与硅MOSFETs相比，eGaN FETs表现出不同的特性，影响其与专为后者设计的栅极驱动器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16406 
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
本文通过分析低侧栅极驱动器的等效电路来计算如何合理的选取RGATE电阻的阻值，既要保持MOS管的良好开关性能，还要有效抑制振铃的产生。
2024-02-26 18:14:341240 
由于IGBT高电压、大电流和高频特性，IGBT需要一个专门的驱动电路来控制其开通和关断。本文将介绍IGBT驱动电路。 一、IGBT驱动电路的作用 IGBT驱动电路的主要作用是向IGBT提供适当的栅极
2024-01-17 13:56:55553 
必易微新推出的栅极驱动器 KP85402，专为家用电器和工业新能源等应用场景而设计。这款产品旨在为客户提供一个高可靠性、低成本的解决方案，以满足各种栅极驱动需求。
2024-01-08 15:33:25390 非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。
2023-12-21 11:46:42334 报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、详实、细致的比较分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率电子领域的半导体器件。它们的主要区别在于结构和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的电流由栅极的电压控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT7与IGBT4在伺服驱动器中的对比测试
2023-12-14 11:31:08232 
圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
是MOSFET的控制电路，它对于MOSFET的工作状态和性能有着重要的影响。以下是关于MOSFET栅极电路常见的作用以及电压对电流的影响的详细介绍。 1. 控制MOSFET的导通与截止： MOSFET的栅极电压决定了通道电流的大小，从而决定MOSFET的导通与截止。当栅极电压高于阈值电压时，
2023-11-29 17:46:40571 电子发烧友网站提供《单通道栅极驱动器ADuM4135应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:00:580 电子发烧友网站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的单电源/双电源 高电压隔离IGBT栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-11-29 09:37:154 使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）
2023-11-28 16:18:10272 
深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25220 
电子发烧友网站提供《实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:57:320 电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:48:150 本应用报告旨在展示一种为高速开关应用设计的高性能栅极驱动电路 应用非常重要。这是一个内容详实的主题集，可为您提供解决最常见设计难题的“一站式服务”。因此，它可为具有不同经验的电子产品工程师提供强大
2023-11-17 16:56:163 川土微电子CA-IS3215/6-Q1适用于SiC/IGBT 的具有主动保护功能、高 CMTI、15A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器新品发布！
2023-11-15 09:49:43573 
栅极驱动 单通道隔离栅极驱动器 SOP8_300MIL Vinput=3V~17V
2023-11-06 10:41:04
MD18011X，光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器系列，是茂睿芯功率驱动产品推出的新型产品系列，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统。它们具备5700VRMS增强型隔离等级，主要
2023-10-26 16:31:51711 
MD18011X，光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器系列，是茂睿芯功率驱动产品推出的新型产品系列，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统。它们具备5700VRMS增强型隔离等级，主要
2023-10-26 16:02:08347 
MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此，高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器，这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说：“你总是可以使用标准栅极驱动器，但你必须用额外的电路来补充它，通常这就是权衡。”
2023-10-09 14:21:40423 
本应用笔记介绍了采用表面贴装封装的 n 通道双 MOSFET 的低压电机驱动设计。它描述了使用不同电压应用的设计，以及自适应 MOSFET 栅极驱动器，这是驱动双 n 沟道半桥的第三种方法。
2023-10-05 15:20:00615 
驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制，采用节省空间的窄体SO-8封装，通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率，STGAP2SiCSN简化了设计、节省了空间，并增强了节能型动力系统、驱动器和控制的稳健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虚假开关。对于这两个通道，该器件可以提供高达4A的强大栅极控制信号，其双输出引脚为栅极驱动提供了额外的灵活性。有源Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极峰。
2023-09-05 06:59:59
设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
电子发烧友网站提供《GD316x故障管理、诊断、中断和优先级表 先进IGBT和碳化硅栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-08-17 14:22:085 MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些问题和其它系统级考虑因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:34808 
本用例将讨论隔离式栅极驱动器在便携式发电站中的应用。
2023-08-02 11:41:49372 
新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT
2023-07-31 17:55:56430 
这是使用IC MD7120作为MOSFET驱动器的D类功率音频放大器的电路设计。 MD7120 用于驱动在 H 桥开关两侧运行的四个 N 沟道 MOSFET 晶体管。它由控制器逻辑电路、电平转换器
2023-07-28 16:20:50801 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 承受并保护负供电电压下的负载，并阻止反向电流，有助于简化汽车ISO7637保护的系统设计。 SCT53600控制器为外部n通道MOSFET提供了一个充电泵门驱动器。该装置将外部MOSFET的正向电压降调节到20 mV，允许平稳、无环操作，在反向事件期间提供非常快速的MOSFET关闭（ SCT53600在关机
2023-07-21 09:40:351374 
则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特
2023-07-18 19:05:01462 
宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱
2023-07-18 09:01:27330 
IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
2023-07-14 14:54:071579 
栅极驱动器是一种电子器件，它能够将信号电平作为输入，通过放大和转换等过程，产生适合于驱动下级器件的电源信号。栅极驱动器广泛应用于各种电子设备中，如显示器、LED灯、电源逆变器等。
2023-07-14 14:48:441357 PT5619 在 同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器 ，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动 。
2023-07-11 16:12:24434 
SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率
2023-07-03 17:31:24396 
该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一个半桥式栅极驱动器，内部集成了自举二极管，能够在半桥式配置中驱动n通道mosfet和igbt。TF半导体的先进工艺，使浮动高侧驱动器操作到100V的引导
2023-06-27 17:01:42
TF2184是一种高压、高速栅极驱动器，能够在半桥配置中驱动n通道MOSFET和igbt。TF半导体的高压过程使TF2184的高侧能够在引导
2023-06-25 16:25:20
宽禁带生态系统的一部分，还将提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器）的使用指南 。本文为
2023-06-25 14:35:02377 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。 图 1.1 所示为双极晶体管。要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。
2023-06-25 12:24:00556 
点击蓝字 关注我们 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件
2023-06-21 19:15:01398 
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。 上篇 中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置
2023-06-16 11:35:011246 
NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源
2023-06-16 11:33:38714 
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
点击蓝字 关注我们 NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。 其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（ ）和就绪
2023-06-12 19:15:02570 
摘要：CM3003是一款高性价比的MOS管和IGBT管栅极驱动器芯片，具有逻辑信号输入处理、欠压保护、电平位移、脉冲滤波和输出驱动等功能。该芯片适用于无刷电机控制器和电源DC-DC中的驱动电路
2023-06-08 14:32:41706 
电源是电子设备的基础，其中的栅极驱动器是稳定提供设备电源的关键。栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器芯片的低功率输入，并为高功率晶体管（例如IGBT或功率MOSFET）的栅极产生高电流驱动
2023-06-08 14:03:09362 常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。
2023-05-22 09:52:08747 
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 
功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
为了操作 MOSFET，通常须将一个电压施加于栅极（相对于源极或发射极）。使用专用驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。
2023-05-17 10:21:391475 
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电栅极驱动器的原理及应用分析用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。
2023-05-17 10:14:526256 
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
MS1681 是一个单通道视频缓冲器，它内部集成6dB 增益的轨到轨输出驱动器和6 阶输出重建滤波器。
2023-05-11 10:00:53476 
川土微电子CA-IS3221/3222 隔离栅极驱动器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1车规级隔离栅极驱动器新品发布 01产品概述 CA-IS322X系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款专为H桥驱动器应用而设计的栅极驱动器集成电路。它能够驱动由四个高达40V的N沟道功率MOSFET组成的H桥。TMI8723集成了一个可调节的电荷泵来产生栅极驱动功率，峰值和源极电流可以是500mA和250mA。同时，TMI8723可以通过引脚VDS设置过电流点的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
，工程师们需要选用合适的栅极驱动器，提高UPS的转换效率和响应速度，以满足不断增长的UPS市场需求。高速低侧栅极驱动器是一种电路，用于控制半导体开关（例如MOSFET或IGBT）的导通和断开，从而实现对电路的控制和调节。正确选择高速低侧栅极驱动器
2023-04-11 12:39:14279 
前面我们也聊到过IGBT的栅极驱动设计，虽然今天聊的可能有些重复，但是感觉人到中年，最讨厌的就是记忆力不够用，就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595 
半导体器件是现代电力电子系统的核心。这些系统利用许多门控半导体器件，如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源（SMPS）、通用电源（UPS）和电机驱动器中的开关元件。电力电子的现代技术发展通常跟随功率半导体器件的发展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET 的其他端子是源极和漏极。
2023-04-04 09:58:391001 MADR-009269-000100用于 GaAs FET 或 PIN 二极管开关和衰减器的单驱动器MADR-009269-000100 是一款单通道 CMOS 驱动器，用于将 TTL 控制输入转换
2023-03-31 13:39:01
MADRCC0005Switches & Atten 单人MACOM 的 MADRCC0005 是一款单通道驱动器，用于将 TTL 控制输入转换为 GaAs FET 微波开关和衰减器的互补栅极电压
2023-03-31 13:27:24
MADRCC0006 Switches & Atten 单人MADRCC0006 是一款单通道驱动器，用于将 TTL 控制输入转换为 GaAs FET 微波开关和衰减器的栅极控制电压。高速
2023-03-31 13:17:07
新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)单通道隔离栅极驱动器X3Compact(1ED31xx)隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列
2023-03-31 10:49:16735 单通道驱动器
2023-03-28 18:24:30
高达24V电源，4-A单通道高速低侧驱动器
2023-03-28 13:05:14
单通道功MOSFET驱动芯片
2023-03-28 00:16:51
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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