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10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）将在深圳会展中心举行。24日上午，碳化硅材料与电力电子器件分会在山东大学徐现刚教授和美国伦斯勒理工学院周达成教授主持下隆重召开。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“碳化硅材料与电力电子器件”分会作为论坛常设技术分会之一，由深圳基本半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所协办支持，浙江大学教授、博士生导师盛况与山东大学教授徐现刚共同担任分会主席。中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松， 中国科学院物理研究所研究员陈小龙，东莞市天域半导体科技有限公司副总经理孙国胜担任分会委员，与多位国内外的权威专家共同坐镇。
会上，来自美国伦斯勒理工学院周达成教授、 美国GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN、瑞典皇家工程学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI、株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平、深圳基本半导体有限公司副总经理张振中、PowerAmerica执行副总裁兼首席技术官/美国北卡罗莱纳州立大Victor VELIADIS教授、瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER和香港应用科技研究院功率器件组总监袁述一起，从各自擅长领域介绍和分析了当前碳化硅材料与电力电子期间的前沿研究进展。
首先，来自美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》，报告中介绍了由瑞典创新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告；张振中对各种类型的碳化硅器件，包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》；
瑞典Ascatron AB 首席技术官Adolf SCHÖNER介绍了《10千伏高压4H碳化硅PIN二极管的少子寿命调制》技术报告；
矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转换器以及基于SiC器件的ASTRI最近的研究进展。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
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