三星近年来在半导体制造领域持续投入,并力争在先进制程技术上取得突破。然而,据韩媒报道,三星在3纳米制程上的良率问题似乎仍未得到有效解决,这对其在市场上的竞争力构成了一定的挑战。 据百能云芯电子
2024-03-11 16:17:05107 从延长便携式设备电池寿命,到提高处理效率和响应能力,瑞萨的40纳米MCU技术正在重新定义嵌入式系统的可能性。
2024-03-11 15:11:51135 1. 传三星挖台积电墙脚 将拿下Meta AI 芯片代工订单 三星晶圆代工事业紧追台积电之际,传出三星再挖台积电客户,有望拿到Meta下世代自研AI芯片代工订单,将采2奈米制程生产,成为三星
2024-03-08 11:01:06550 近期,科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策:将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:14315 趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四代(1a)和第五代(1b)版本的过渡。
2024-03-06 10:49:49261 3 月 5 日消息,美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。 美光公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节
2024-03-06 08:37:3561 近期的演示会上,美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出,DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24190 三星作为行业领军者,在本季度DRAM营收达到79.5亿美元,环比增长近50%,主要受益于1αnm DDR5的出货提速,服务器DRAM出货量跃增逾60%。
2024-03-05 15:40:57162 2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00249 ,台积电和三星已经推出3纳米制程芯片,而英特尔则刚刚实现了5纳米制程。然而,这一决定表明英特尔有意在制程技术领域迎头赶上,计划在未来几年内推出更为先进的1.4纳米芯片。这一制程技术的推进将是英特尔为实现2025年之前进入2纳米芯片生产
2024-02-23 11:23:04172 台积电预期,目前营收总额约 70% 是来自 16 纳米以下先进制程技术,随着 3 纳米和 2 纳米制程技术的贡献在未来几年渐增,比重将会继续增加,预估未来成熟制程技术占营收总额将不超过 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 近日,三星电子宣布在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室,以加强其在存储技术领域的领先地位。该实验室的成立将专注于开发具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以满足不断增长的数据存储需求。
2024-01-31 11:42:01362 三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:46324 三星电子近日宣布,已在美国硅谷开设一个新的研发(R&D)实验室,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。这一新实验室将由三星的Device Solutions America(DSA)运营,并负责监督公司在美国的半导体生产活动。
2024-01-29 11:29:25432 台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产。
2024-01-22 15:53:26324 按工艺来看,3 纳米制程产品占当期销售额的 15%,5 纳米产品占比达到了 35%,而 7 纳米产品则占据了 17%;整体上看,先进制程(包括 7 纳米及以上)销售额占总销售额的比重达到了 67%。
2024-01-18 14:51:58389 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。
2024-01-16 10:45:25109 近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282 有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价,但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%,大幅提升DRAM价格,但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
2024-01-08 16:43:54466 数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22387 近期,韩国主要的半导体制造商三星电子曝出重大泄密案,员工和供应商泄露了公司的重大技术信息,引发巨大经济损失。据悉,两名涉事员工金某和方某已被当地检方起诉,他们涉嫌在2016年向中国长鑫存储(CXMT)透露了三星集团18纳米DRAM制程秘诀。
2024-01-04 09:54:37290 根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16872 近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21549 有个问题请教一下:在静态测量的情况下,两轴的加速度计在测得X、Y轴上的加速度后,是不是就可以根据这两个值和重力加速度g算出Z轴方向的加速度,这样的话XYZ三个方向的角度也可以推导出来。不知道我这种理解的问题在哪里?如果实这样的话那么三轴加速度计有什么优势。
2023-12-29 06:06:29
这场纠纷始于2016年,当时台湾联华电子与福建晋华签署了一项技术合作协议,旨在协助晋华开发32纳米DRAM相关制程技术。
2023-12-25 16:38:53456 受美国对高端设备出口限制影响,中国大陆转向成熟制程(28纳米及以上)领域,预计2027年在此类制程上产能达到39%。
2023-12-15 14:56:35337 请问一下电机的星三角启动是不是降低电机的启动电流的啊,还是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
随着全球电子产业向更高精尖领域发展,台积电和三星这两个行业龙头无疑成为争夺下一个巅峰的选手。据悉,这两家公司均打算在2025年商业化量产他们各自的2纳米工艺芯片生产线。尽管台积电已经赢得了苹果、英伟达等知名厂商的支持
2023-12-12 15:33:35303 据报导,三星已主要客户的部分先进 EUV 代工生产在线导入 EUV 光罩护膜。虽然三星也在 DRAM 生产线中采用 EUV 制程,但考虑到生产率和成本,该公司认为即使没有光罩护膜也可以进行内存量产。
2023-12-05 15:09:01491 三星去年6 月底量产第一代3 纳米GAA (SF3E) 制程,为三星首次采用全新GAA 架构晶体管技术,而第二代3 纳米制程3GAP(SF3) 将使用第二代MBCFET 架构,从第一代3 纳米SF3E基础上再最佳化,预期2024 年进入量产阶段。
2023-12-04 15:55:37362 三星去年6月底开始量产第一代3纳米GAA(SF3E)制程,这是三星首次采用全新的GAA架构晶体管技术。第二代3纳米制程3GAP(SF3)将采用第二代MBCFET架构,在第一代3纳米SF3E的基础上进行进一步优化,预计将于2024年开始量产。
2023-12-04 15:49:59260 三星已将4nm制程良率提升到了70%左右,并重点在汽车芯片方面寻求突破。特斯拉已经将其新一代FSD芯片交由三星生产,该芯片将用于特斯拉计划于3年后量产的Hardware 5(HW 5.0)计算机。
2023-12-01 10:33:451052 三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 DRAM制造技术进入10nm世代(不到20nm世代)已经过去五年了。过去五年,DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此,本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15536 三星正在加速进军扩展现实(XR)市场。三星电子与三星显示已开始合作开发OLEDoS(OLED on Silicon)。
2023-11-21 18:23:11768 当年苹果推出第一代iPhone后,iPhone芯片一直是由三星代工,但2016年iPhone 7开始三星却被台积电取代,由台积电担任独家代工厂。这些年来三星晶圆代工事业的4纳米制程无论在芯片效能及良率上都落后台积电一大截,导致许多大客户都投向台积电怀抱。
2023-11-20 17:06:15680 当年苹果推出第一代iphone后,iphone芯片一直由三星生产,但从2016年iphone7开始被三星电子取代,由台积电担任独家生产工厂。近年来,在三星晶圆代工产业中,4奈米制程在半导体效率和数量上大大落后于台积电,使许多顾客进入台积电的怀抱。
2023-11-17 10:00:11514 有报道称amd将利用4纳米技术将部分生产转移到三星,但具体交易规模尚未公开。新报道称,amd可能会使用三星vender工厂测试三星vender或部分i/o芯片,但根据目前的报告,amd不可能在三星4纳米内生产主要ip。
2023-11-13 11:16:36457 西门子电机绕组重绕后,星三角启动角型切换时跳空开,电机保养厂商说可能线圈绕组顺序换了,只要把线圈首尾端换后就能启动,西门子电机有这种现象,有谁遇到过这种情况吗?原因是什么?
2023-11-09 07:17:20
笔电DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存储器模组合约价,10 月也较9 月上涨11.5%,到每单位33 美元。智能手机DRAM合约价也开始涨价。TrendForce 预计第四季行动DRAM
2023-11-03 17:23:09958 TrendForce统计,28纳米以上的成熟制程及16纳米以下的先进制程,2023~2027年全球晶圆代工产能比重约维持7比3。其中,中国大陆因积极扩增成熟制程产能,全球占比估自29%增至33%,台湾则估自49%降至42%。
2023-11-02 16:04:0796 来源:满天芯 编辑:感知芯视界 系列芯片,为全球首发以3纳米生产的计算机中央处理器(CPU),业界分析由台积电独家代工,看好苹果新品有望掀起换机潮,推升台积电先进制程订单动能持续强劲。 业界分析
2023-11-02 09:32:47278 10月19日,韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上,三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略,宣称将在未来3年内量产2纳米制程
2023-11-01 15:07:53428 在2023年2月在国际学会ISSCC上,三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下图左)和硅芯片(下图右)。
2023-10-29 09:46:58783 美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。
2023-10-26 14:19:24136 三星在会上表示,作为新一代汽车技术,正在首次开发5nm eMRAM。三星计划到2024年为止,用14纳米工程增加mbram产品有价证券组合,2年后升级为8纳米制程。
2023-10-23 09:57:22370 三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 其中,2纳米芯片的制程技术要求极高,需要采用全新的晶体管架构、高精度材料和设备,同时对制程参数的精度和稳定性要求更高,因此需要研发更加先进的制程技术。
2023-10-20 15:37:06317 GPS定位到三颗星为什么还不能实现定位?
2023-10-16 06:58:02
共聚焦光学系统为基础,结合高稳定性结构设计和3D重建算法共同组成测量系统,能用于各种精密器件及材料表面的非接触式微纳米测量。能测量表面物理形貌,进行微纳米尺度的三维形貌分析,如3D表面形貌、2D的纵深
2023-10-11 14:37:46
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 高通去年在骁龙高峰会公布年度5G旗舰晶片“骁龙8 Gen 2”是由台积电4纳米制程打造;前一代高通“骁龙 8 Gen 1”则由三星4纳米制程生产,之后传出散热等问题,高通紧急推出升级版“骁龙 8+ Gen 1”,并改用台积电4纳米制程。
2023-09-26 17:17:09943 在 20 世纪 60 年代,芯片制程技术还处于起步阶段,当时的制程尺寸达到了 10 微米。这种毫米级的制程技术虽然较为粗糙,但已经为计算机和通信设备的小型化奠定了基础。随着半导体技术的发展,科学家们开始研究如何减小制程尺寸,以提高芯片的性能和集成度。
2023-09-19 15:54:411612 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能,而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期,三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨,而目前
2023-09-15 17:42:08996 今天凌晨苹果公司正式发布了苹果15系列手机,很多网友会关注,苹果15芯片是多少纳米?苹果15芯片几纳米的?按照发布上正式的解读是,苹果15芯片是3nm制程。便宜些的标准版iPhone 15芯片
2023-09-13 17:36:016407 有传闻称,三星缓存DRAM将使用与hbm不同的成套方式。hbm目前水平连接到gpu,但缓存d内存垂直连接到gpu。据悉,hbm可以将多个dram垂直连接起来,提高数据处理速度,因此,现金dram仅用一个芯片就可以储存与整个hbm相同数量的数据。
2023-09-08 09:41:32399 的新世代车型会从2025年起陆续问世,这些车型将把未来十年的出行愿景在两年后呈现在消费者面前,而宝马集团也将随着这些车型的推出进入一个全新发展阶段。"
2023-09-05 16:51:11264 日前有信息称,三星将采用 12纳米 (nm) 级工艺技术,生产ERP开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而这样就可以在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍。
2023-09-04 10:53:46470 韩媒报导,三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等南韩晶圆代工厂近期产能利用率都仅介于40%至50%之间.因应终端需求疲软,上述三家南韩晶圆代工厂已决定关掉某些成熟制程设备电源,进行「热停机」,凸显晶圆代工成熟制程景气持续低迷。
2023-08-22 16:19:28445 groq创始人兼首席执行官Jonathan Ross就此次合作表示:“groq的技术进步将通过保障ai出色性能的三星4纳米晶片工程实现。”三星Foundry表示:“与groq合作表明,三星Foundry的技术可以进一步扩大ai半导体革新的可能性。”并表示将加快半导体应用领域的多元化。
2023-08-17 10:31:52316 来源:经济日报 台湾地区《经济日报》消息,台积电近日宣布,为满足先进制程技术的强劲市场需求,高雄厂确定以 2 纳米的先进制程技术进行生产规划。至此,台积电将拥有三个2 纳米生产基地。 据台湾地区
2023-08-09 18:21:09640 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。 技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体
2023-08-08 14:24:12744 8月2日消息,据台媒报道,台积电2纳米制程劲敌不只大家熟知的三星、英特尔,后面还有追兵,日本芯片国家队Rapidus也计划于2027年量产2纳米芯片,抢台积电客户。 值得关注的是,英特尔上周财报会议
2023-08-02 11:39:00440 随着制程工艺的进步,DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题,解决办法就是上EUV光刻机,但是设备实在太贵,现在还要榨干DUV工艺最后一滴,DDR5内存有望实现单条1TB。
2023-07-31 17:37:07875 1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道,尽管受NAND和DRAM市场拖累,三星电子业绩暴跌,但该公司已开始生产其第三个3nm芯片设计,产量稳定。根据该公司二季度报告,当季三星
2023-07-31 10:56:44480 目前,主流智能座舱SoC芯片已经基本实现了10纳米以下的制程,包括三星的V9、瑞芯微的RK3588M等采用8纳米制程
2023-07-20 16:00:352073 台积电公司目前正处于立法会前沉默期,对任何外部传闻不予评论。据韩国经济新闻报导,特斯拉的新一代fsd芯片由三星以4纳米工程生产,这将用于特斯拉3、4年后量产的硬件5 (hw 5.0)电脑。
2023-07-19 10:01:18473 三星电子公布了其在小于 3 纳米(1 米的十亿分之一)半导体领域获得竞争优势的技术路线图。
2023-07-06 17:38:21921 "三星代工一直通过领先于技术创新曲线来满足客户的需求,今天我们有信心,我们基于全门(GAA)的先进节点技术将有助于支持我们的客户使用人工智能应用的需求,"三星电子总裁兼代工业务负责人Siyoung Choi博士说。"确保客户的成功是我们代工服务的最核心价值"。
2023-07-03 10:15:41339 三星最新公布的制程工艺技术路线图显示,该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺,以满足客户对高性能处理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。
2023-06-29 16:26:331270 IC设计业者表示,进入7纳米以下先进制程世代后,晶圆代工报价愈来愈贵,台积电7/6纳米每片晶圆报价翻倍冲上近1万美元,5/4纳米约1.6万美元,3纳米更是逼近2万美元,能有折扣优惠的是最大客户苹果(Apple),或是规模够大的订单。
2023-06-27 15:53:00381 ,这个尺寸既可以尽量保 留图片的信息以防止目标检测准确率下降,又可以在神经网络运算过程中很方便地通过 Max pooling 进行降采样。经过三层 Max pooling 后特征图的大小为 20×40
2023-06-20 19:45:12
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2023-06-01 10:10:41
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2023-05-30 14:24:29
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2023-05-29 11:37:36
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2023-05-29 11:13:51
Mini LED直显正加速进入产业化商用阶段。
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2023-05-29 10:09:46
。竞争对手三星早与另一间GPU大厂AMD合作,将其图形技术带入到手机上,具备了硬件加速光线追踪和可变速率着色功能。虽然首款产品Exynos 2200并不算很成功,但三星未来必然会延续这种做法,加深与AMD的合作。
2023-05-28 08:51:03
基于先进CXL 2.0的128GB CXL DRAM将于今年量产,加速下一代存储器解决方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179 CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements,即“半定制化紧凑型超高带宽DRAM”的简称。华邦电子次世代内存产品营销企划经理曾一峻在向《电子工程专辑》说明CUBE核心价值时表示,新能源汽车、5G、可穿戴设备等领域的不断发展
2023-05-05 11:07:44866 供应XPD767BP18 支持三星pps快充协议芯片-65W和65W以内多口互联,更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-26 10:22:36
相星三角变压器,初级侧Y连接,次级侧三角形连接,如下图所示。极性标记在每个相位上都标明。绕组上的点表示在未接通的端子上同时为正的端子。 星侧的相位标记为A,B,C,三角洲侧的相位标记为a,b,c
2023-04-20 17:39:25
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