3月20日，CFMS | memoryS 2024中国闪存市场峰会（以下简称“CFMS 2024”）在深圳宝安前海·JW万豪酒店隆重召开，本届峰会以“存储周期 激发潜能”为主题，汇聚了全球存储产业链及终端应用企业
2024-03-22 13:34:37
34 自2021年起，西部数据及合作方铠侠一直着手探讨合并事宜，以便共同掌控占据全世界NAND闪存市场三分之一份额的市场份额。然而，2023年10月的合并协商陷入停滞，此后西部数据宣布，他们将逐步剥离受供应过盛所困的闪存业务
2024-03-06 16:57:07243 我有一个 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一个 NOR 闪存，我可以从中将固件读取到 RAM，然后 NOR 闪存的一部分内存应该EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作为大容量存储设备。
我应该采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社宣布，该公司已开始提供业界首款面向车载应用的通用闪存(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品。
2024-02-22 16:21:51612 NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器，存在于固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化
2024-02-05 18:01:17418 
我尝试读取闪存，并定义宏内存（地址）来读取闪存。
#define MEM（地址）* ((uint32 *)（地址））
aa = MEM (0xa0008000)；bb=aa
；
但是不能读取任何
2024-01-24 07:51:33
; 没有这样的文件或目录\"。
似乎串行闪存库尚未设置。在库管理器1.0下，而我使用的是库管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行闪存库。
在此先谢谢。
2024-01-24 07:09:52
你好，
我通过 vsCode 使用 ModustoolBox。 我已经成功地在 CYPROTO-063-BLE 套件上测试了我的程序。 为此，我必须调整那里的闪存。 现在我想在 CY8C6245 上
2024-01-22 06:42:24
在存储容量和成本的权衡下，据报道，苹果 iPhone 16 Pro 系列的1TB机型可能将采用QLC NAND闪存。这一决策意味着成本降低，但读写速度可能会受到影响。
2024-01-18 20:02:24818 IDC数据表明，传统企业存储系统中的全闪阵列同比下降5.5%，用户更加青睐端到端NVMe 全闪、分布式全闪等高端全闪存储。
2024-01-03 10:43:18282 
华为在2023年第三季度全闪存（SSA）全球市场中表现出色，实现了惊人的增长，市场份额首次超越Dell，成为全球全闪存市场的季度第一。
2023-12-29 16:18:25522 FLASH闪存是一种非易失性内存，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
2023-12-15 14:06:27419 据了解，在此次诉讼中，Temu 重申了此前提出的指控，指责 SHEIN 在市场上采取了不公平的行为，如大规模抄袭 Temu 自有的品牌设计、侵权以及滥用其市场支配地位等。
2023-12-14 15:07:13195 目前，Marvell以自主开发或外包的方式，为掌握nand闪存ic市场而展开竞争。因此，Marvell在企业市场上的运营受到了影响，Marvell正在缩小相关团队。
2023-11-17 10:28:48362 三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111212 8gu盘闪存颗粒坏了 可以自己换16g或者更大的闪存颗粒吗
2023-11-01 06:47:37
工业闪存卡有很多种类，常见的有CF卡、SD卡、MMC卡、记忆棒、SM卡、xD卡、TF卡等
2023-10-25 15:53:53958 
对闪存的整片擦除有两种方法，操作闪存控制寄存器（FLASH_CTRL）或者解除访问保护。一般情况下使用的方法是操作闪存控制寄存器（FLASH_CTRL）进行整片擦除，使用整片擦除函数
2023-10-20 08:21:03
中芯国际方面表示：“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点，已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 在现代工业领域中，长度尺寸测量至关重要。无论是制造业、建筑业还是科学研究，准确测量长度都是保证质量和安全的基础。为满足多样化的测量需求，如今市场上测量长度的工业仪器有许多种类型，本文介绍几种常见
2023-10-11 14:34:04
首先，内存请求与闪存内存之间存在颗粒度不匹配。这导致了在闪存上需要存在明显的流量放大，除了已有的闪存间接性需求[23,33]之外：例如，将64B的缓存行刷新到CXL启用的闪存，将导致16KiB的闪存内存页面读取、64B更新和16KiB的闪存程序写入到另一个位置（假设16KiB的页面级映射）。
2023-10-09 16:46:20375 
电子发烧友网报道（文/周凯扬）在近期的闪存峰会上，一家由英国兰卡斯特大学孵化的初创公司Quinas Technology获得了创新大奖。他们展示了ULTRARAM，一个结合了DRAM高性能和闪存
2023-10-09 00:10:001310 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
本编程手册介绍了如何烧写STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的闪存存储器。为方便起见，在本文中出特别说明外，统称它们为STM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
电子发烧友网站提供《QSPI闪存的主机编程.pdf》资料免费下载
2023-09-14 11:08:49
0 电子发烧友网站提供《将SPI闪存与7系列FPGA结合使用.pdf》资料免费下载
2023-09-13 10:00:230 近日，由百易传媒（DOIT）主办的2023闪存峰会于杭州圆满举办，2023闪存风云榜榜单同步揭晓，作为国内固态硬盘市场的领导者，忆联继荣登“2022闪存风云榜后”，再次获得“ 2023年度十大固态
2023-09-13 08:10:01517 
片上闪存特性和系统框图
存储空间组织架构
用户闪存
系统闪存
OTP
选项字节
闪存读接口
等待周期
指令预取
指令高速缓存
数据高速缓存
擦除和编程操作
读保护和写保护
STM32F2和STM32F1的闪存特性比较
2023-09-13 07:10:38
闪存特性及参数一瞥 多达64K字节空间 ，分成64个页或16个扇区 读写操作次数：多达10K次 半字（16位）的编程时间：53.5µs （典型值） 页擦除和全部擦除的时间：20ms （最小值
2023-09-12 07:26:04
系统内闪存设备编程通常要求在闪存编程期间，不执行来自正被编程的设备的代码。
这是一个问题，因为大多数系统使用单个大型闪存设备。
在这种情况下，必须将Flash编程例程复制到RAM中并从RAM执行
2023-09-01 11:10:08
电子发烧友网站提供《释放所有闪存阵列的全部潜力.pdf》资料免费下载
2023-08-30 11:05:070 全闪存存储的历史性时刻到来！ Gartner最新数据显示，2023年第一季度全球外部存储市场同比增长0.5%；其中，全闪存阵列同比增长3.6%，市场规模超过非全闪存阵列，占整个外部存储市场收入
2023-08-29 18:30:03204 
分析闪存控制器的架构，首先得了解SSD。一般来说SSD的存储介质分为两种，一种是采用闪存（Flash芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM作为存储介质。我们通常所说的SSD就是基于闪存的固态硬盘
2023-08-29 16:10:09495 如何比较市场上不同品牌的安全光幕安全光栅？ 现代工业化水平的提高，技术水平不断增加，全国制造业领域对员工的工作安全上的要求逐年增加，安全光幕安全光栅厂家随之兴起。 面对市场上各种品牌的安全
2023-08-23 15:00:40259 
应用程序 : 本代码是 FreeRTOS 任务的基本应用程序, 用于创建闪存 LED 任务 。
BSP 版本: M480系列 BSP CMSIS V3.04.000
硬件
2023-08-22 06:28:14
三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281 AMBA通用闪存总线（GFB）通过在系统和闪存之间提供简单的接口，简化了子系统中嵌入式闪存控制器的集成。GFB存在于Flash控制器的管理器侧和下级侧之间的边界上，如图1-1所示。Manager端有
2023-08-11 07:55:01
北京2023年8月7日 /美通社/ -- 日前，IDC公布《2023年第一季度中国企业级存储市场跟踪报告》，报告显示，中国企业级数据存储市场销售额同比增长3.45%至70.14亿元，全闪存储销售额
2023-08-08 12:55:47716 日前，IDC公布《2023年第一季度中国企业级存储市场跟踪报告》，报告显示，中国企业级数据存储市场销售额同比增长3.45%至70.14亿元，全闪存储销售额15亿元，市场占比25%，混闪存储销售额38
2023-08-07 11:10:02327 在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35790 
在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND 闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟 SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC 闪存的原理、优势以及在不同领域中的应用。
2023-08-01 11:15:471559 
苹果闪存和SSD都基于闪存技术，但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的，使用NAND（非易失性闪存）芯片技术，而SSD可以是通用的，采用不同类型的闪存芯片，如NAND、MLC（多级单元）或TLC（三级单元）。
2023-07-19 15:21:372102 UFS（Universal Flash Storage）是一种用于存储的闪存标准，而不是内存标准。它是一种闪存存储技术，用于移动设备和其他便携式电子设备中的非易失性存储。
2023-07-18 15:00:0313543 NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211444 
RH850 - 数据闪存库
2023-07-05 20:43:480 RH850 - 闪存代码库
2023-07-05 20:43:350 用于 Dialog SoC 产品的 Dialog 闪存
2023-07-03 20:35:200 PG-FP6，瑞萨闪存编程器用户手册附加文档（连接闪存编程器的推荐电路）
2023-06-30 19:18:433 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325865 
电子发烧友网站提供《用于Arduino闪存的压缩库(PROGMEM).zip》资料免费下载
2023-06-19 10:58:290 本应用笔记介绍如何使用内置实用程序ROM擦除/写入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和数据闪存。此信息适用于带可页面擦除（PE）闪存的基于MAXQ7665闪存的μC。
2023-06-16 11:37:02712 
字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前
2023-06-10 17:21:001982 SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm，就发布了一款QLC闪存的企业级产品P5-D5430，可以说是QLC SSD的一个代表作。
2023-06-09 10:41:43489 
ESP8285 芯片（Soc）是否带有内置闪存？如果是，我们可以使用带有内置闪存的 ESP8285 芯片（Soc）通过 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作为 WiFi 连接
2023-06-05 08:31:11
你好
我们想将 Winbond QSPI Flash 与 iMXRT685 一起使用。(FlexSPI)
上面的闪存部件 W25X40CLSNIG 是否兼容 iMXRT685 FlexSPI 闪存？
RT685: MIMXRT685SFVKB
SPI-NORFlash：W25X40CLSNIG（华邦）
2023-06-01 09:03:36
我需要为生产目的对 ESP8285 IC 进行闪存编程。我正在寻找可以在 3 秒内完成此操作的 SPI 闪存编程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道吗？
2023-05-31 10:11:19
我打算在我的项目中使用带有 2MB 板载闪存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎无法让用户代码从板载闪存工作。
与其他模块的不同之处在于，S2 已通过闪存连接到 HSPI（与 SPI 相对）。
我
2023-05-31 06:38:49
有没有我可以加载到我的 ESP 中并让它告诉我真正的闪存大小的程序/草图？我有几块板可以正常工作，但后来我用相同的程序加载另一块板，但它失败了。我怀疑是假的或坏的闪存，但我没有办法证明这一点。
2023-05-30 09:16:50
我们在定制板上使用 imxrt1064，我们有一个外部闪存连接 flexspi1。
对于我们的项目，我们需要在外部闪存上存储 lvgl 图像和字体，因为片上闪存 (4MB) 的大小不够
我们正在使用具有外部存储选项的 gui guider 1.5.1 我们如何使用它来读取和写入外部闪存中的图像
2023-05-30 07:50:00
我只是在思考未来的项目想法，我想知道是否有可能只对外部闪存 IC 使用正常的 SPI 模式（它只需要两个引脚用于数据传输，而不是像往常一样的四个 Quad-SPI 闪存 IC )?
这样做的好处是可以在软件中使用两个以上的 GPIO。一个缺点可能是由于与外部闪存的接口较慢而需要引入更多的等待状态。
2023-05-30 06:30:10
在当今智能设备的互联世界中，我们希望更快地访问我们的数据，同时我们希望它得到保护并免受入侵者的侵害。闪存不仅速度更快，而且安全可靠，其化身为UFS - 通用闪存。此博客深入了解 UFS 设备的各种安全模式以及如何访问它们。它还指出了如何使用加密来进一步保护数据。
2023-05-26 15:29:051757 
NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元（SLC）闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元（MLC），闪存可以为每个单元存储两个或更多位，因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031193 
电子发烧友网站提供《斯丹麦德应用案例|干簧传感技术在电混动汽车市场上的应用.pdf》资料免费下载
2023-05-25 09:07:080 处理器：MIMXRT1062CVL5
外部闪存：W25Q512JV
我们正在创建一个使用 LVGL 库在监视器上显示 GUI 的项目，因此我们需要一个外部闪存来存储大量数据。
特别是，我们
2023-05-24 07:34:02
我使用 RTD 包擦除写入和读取内部闪存。它在数据闪存上是成功的，但是当我将地址更改为代码闪存时，写入和读取都失败了。
然后我调试发现Register MCR->PGM在擦除后已经变成了1。但是我找不到它是在哪里改变的。
2023-05-19 08:41:05
我们想同时使用 M7 和 A53 的 QSPI 闪存，这两个内核都有自己的内存区域，驱动程序目前支持这种情况吗？
如果是这样，我们可以研究任何参考或示例吗？我们是否需要在应用程序中实现信号量或其他
2023-05-18 07:47:18
。
除了只有 512K 的闪存外，一切都很好。
正在运行的应用程序只留下 159K 的可用空间。
我以为我只需要编译一个只做 OTA 的小应用程序，但没有用户代码的 Arduino 框架本身是 300K
2023-05-17 08:29:00
我打算把它放在 Native SDK 部分，但我想只有
人才会知道这个？
我正在为 EEPROMClass 编写一个替换类，以在闪存扇区内进行磨损均衡。我还想编写类来检测而不是使用坏的 4 字节区域
2023-05-12 06:30:50
我如何闪存 ESP 模块 3 以及有多少内存？
2023-05-10 12:48:37
我想了解我的微控制器 (MPC5777C) 的生产日期以及品牌和型号信息。我在闪存上看到了 UID 信息。我认为这些信息（品牌、型号、生产年份等）我可以从闪存中读取。是否可以？哪些地址存储这些信息？
2023-05-05 06:39:19
无法使用 Segger J-Flash 工具（使用 J-Link Plus 工具）读取或写入 MCU 闪存。
成功可以连接到MCU。
读取闪存没有发生，错误信息如下所示。
需要您的支持来解决这个问题
2023-04-28 06:20:00
我们正在考虑使用 MIMXRT1021 的新设计。我们正在寻找合适的闪存。它应该通过 Q-SPI 连接并且应该支持 RWW (ReadWhileWrite)。目的是能够在执行时擦除/写入 FLASH
2023-04-20 07:07:30
我的项目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有两个闪存数据块，如 RM 所示。 所以我的应用程序在主闪存阵列 1 中运行，并将主闪存阵列 2 用于我的保存数据区。但我无法在
2023-04-19 08:54:32
操作系统- Linux开发板- i.MX RT1170 EVKBIDE-mcuexpresso 我们正在尝试使用 GUI 闪存工具闪存示例代码，但在 Linux 中出现“无法执行操作”之类的错误，并且在控制台中打印“未配置闪存”。
2023-04-19 08:00:03
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 闪存代码示例中看到了这些代码。我不明白为什么他们在闪存操作后恢复闪存控制器缓存。据我了解，RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
当我使用 PE 微型调试器在微控制器中闪存程序时，我们在 216 处收到以下错误 ieruntime 错误并且 GDB 已终止，因此我们无法在控制器中闪存程序。请解决问题
2023-04-17 06:03:53
众所周知，铠侠公司发明了NAND Flash。公司凭借其领先的三维（3D）垂直闪存单元结构BiCS FLASH，让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时，铠侠还是第一个设想并准备将SLC技术成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
2023-04-14 09:17:03796 您好，我们正在使用 iMX RT 1021 MCU 设计定制板。由于此 MCU 没有内部闪存，我们通过 MiMX RT1020 EVK 用于外部闪存接口的相同 SPI 接口使用 Microchip
2023-04-14 08:35:18
有什么方法可以添加闪存前和闪存后构建步骤吗？对于我的系统，我必须向 ESP 发送一条特殊命令以将其置于引导加载程序模式，然后再发送一条命令使其真正启动。除了正常的构建步骤之外，我似乎无法在 IDF 中找到任何用于增加构建步骤的文档。谁能指出我的好方向？
2023-04-14 08:07:35
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2023-04-12 10:25:033 ，所以只剩下一个硬件问题：写入 SPI 闪存时如何保持 LCD 刷新？在 manuconfig 中，我将所有 SPI、GDMA 和 LCD ISR 标记为放置在 IRAM 中，但没有任何帮助。每次我尝试
2023-04-12 08:41:21
是否可以使用外部闪存绕过 C3FN4 或 C3FH4 中的内部嵌入式闪存？我的意思是作为指令（引导）闪存当然，不仅仅是数据闪存。
2023-04-12 06:15:17
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。当我尝试调试时出现以下错误闪存驱动程序 V.2 启动失败 - rc Ef(34)：初始化闪存超时。芯片初始化失败 - Ef(34)：初始化闪存超时
2023-04-11 06:37:52
在SMT电子行业中，锡膏大多用于电子电路板SMT焊接的技术中，这样的锡膏不仅要求焊接牢固，导电性好，无立碑，无虚焊等，还要求无残留、绝缘阻抗性佳、环保；那么现在市场上什么锡膏品牌好用呢？在锡膏厂家
2023-04-10 17:44:261664 
我正在使用 LPC54608、LwIP 和 MCUXpresso IDE v11.7.0 SDK2_13。在我的项目中，我需要一个两步引导加载，在第一步中，位于@0x000 闪存地址的引导加载程序
2023-04-06 06:49:13
我将在 LPCXPresso 7.9.2 版上运行的项目移植到 MCUXpresso 11.6。该项目正常运行，但是我在一个功能上失败了。在此功能中，有时我仅在 RAM 中运行软件并完全擦除闪存
2023-04-03 06:03:48
NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术，其中NANDFlash存储器具有容量较大，擦写速度快等优点。它们的广泛应用就不用小编敲黑板了吧？然而，市场上流行的NANDFlash产品，尤其是
2023-03-31 10:34:54382 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我对内存使用有一些疑问： XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存？如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动，则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
我正在使用 S32K148 EVB 测试闪存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置这个大小。是否有任何示例代码可用于分区 D 闪存
2023-03-28 08:28:20
大家好，我正在从 MPC5744P 移植 MPC5775E 的启动应用程序，所以首先我创建了一个使用 S32DS 闪烁 LED 的项目，我将 linker_flash.ld 中的默认闪存地址从
2023-03-24 07:28:05
程序会通过蓝牙将.sb2文件下载到sdcard，然后booloader会读取0xB000地址的AES密钥，解密sdcard中的文件，最终将程序写入flash 0xA000。我想知道在写入闪存之前将 AES 密钥存储在哪里，我应该什么时候将它写入闪存才能使整个更新过程安全？
2023-03-23 08:47:27
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的，然后继续我测试的其他阶段。（我不想一次擦除整个芯片，因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
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